基于边界扫描技术的MACRO测试语言应用及分析

MACRO测试语言作为边界扫描测试基础上的延伸,继承了边界扫描测试的优点,同时更具灵活性。对于LVDS传输、特殊存储器等,在现有边界扫描测试无法直接用模型解决的情况下,MACRO测试填补了这一空白。文中对MACRO测试的程序设计方法、适用条件等做了介绍,同时通过LVDS传输电路、双端口存储器电路的不同特点,做了程序上的对比分析。通过分析结果不难发现MACRO测试灵活性大的优势,因此能够在测试技术中占据一席之地,并得到更广泛的应用。

基于压电陶瓷光电相移驱动的大行程纳米定位系统

由于压电陶瓷驱动器作纳米定位控制系统驱动元件会导致定位过程中出现超调及振荡现象,故提出了一种新的基于外差干涉仪和自制高频相移电路的光电相移压电陶瓷驱动方法。实验论证了在严格控制的实验环境下,压电陶瓷能实现自主位置锁定并以纳米量级步距值被逐步推进。步距值可控的压电陶瓷驱动器与商用宏动平台结合,可实现纳米精度重复性的大行程定位系统。实验结果表明,对于5mm往返行程的位移,在靠近目标处执行理论值为5nm步距值的步进位移时,系统的定位重复性精度小于1nm。该定位方法规避了压电陶瓷的机械非线性误差,具有系统架构简单,定位速度快等优点,可应用于当前纳米科技和超精密加工等领域。

ZVS谐振控制芯片MC34067的建模与应用

介绍了零电压开关(Zero Voltage Switching,简称ZVS)谐振模式控制芯片MC34067的内部组成和主要特性。根据仿真的要求,构建了MC34067主要功能模块的宏模型,并以该宏模型为核心对LLC ZVS谐振功率变换器进行了仿真,以验证其可行性。

基于开关电容技术的8阶切比雪夫滤波器及PSpice仿真研究

应用开关电容电路技术对8阶切比雪夫滤波电路进行变换和简化,设计了集成8阶切比雪夫滤波器电路.该设计运用μA741运算放大器及开关电容时域宏模型,开关电容的时钟频率为128kHz.计算机模拟说明,其结果与理论计算值相符,可为其器件级设计提供分析依据.

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.

10kV单相变压器高频无源宏模型的建立与特快速暂态仿真

提出了一种适用于变压器的高频无源宏电路模型的建立方法,并应用该方法对一个10 kV变压器进行了建模仿真。该方法首先依据测量得到的导纳参数建立其π型等效电路,然后用改进矢量匹配法对导纳参数进行有理函数逼近;为建立能进行稳定仿真的电路模型,应用起作用集方法对导纳参数的有理函数进行无源优化,再用模式搜索法对电路元件进行优化,使电路综合得到的π型电路模型仅由参数值为正值的RLCG元件组成,最终实现了变压器电路模型的严格无源性。对10 kV单相变压器进行仿真计算验证了该方法的有效性。

铜导线一次短路熔痕形貌火场稳定性研究

实验模拟火灾热环境,将铜导线一次短路熔痕在不同温度下加热不同时间后自然冷却,观察样品的宏观和微观形貌。结果表明:火灾现场的温度以及熔痕持续受热时间对铜导线一次短路熔痕的宏观形态有一定的影响,但是熔化区与非熔化区的界限比较明显;金相显微组织随着温度升高和加热时间的延长也具有不稳定性。

电路划分问题的算法研究与计算机实现

在介绍电路划分问题的基础上,提出了一种基于宏单元的电路划分数学模型,同时给出了利用计算机解决该问题的遗传算法的设计和实现过程。将该实现方案用于对标杆电路划分进行测试,与传统的F-M划分算法相比,划分结果得到明显改善。

微结构器件宏模型的建模方法

主要描述了微机械器件宏模型的构建问题。以微悬臂梁为例子,阐述了等效电路法、节点分析法、S—空间矩匹配方法、模态—Galerkin方法构建微机械宏模型的研究概况以及各个宏建模方法的优、缺点。

一种基于迭代PTM模型的电路可靠性评估方法

纳米工艺的快速发展既给电路设计创造了新的机会,同时也带来了新的挑战,基于纳米器件的电路可靠性设计便是主要挑战之一,因此有必要研究在设计的早期阶段便能准确地评估电路可靠性的方法.考虑到经典的概率转移矩阵方法在电路可靠性计算中的优势与不足,文中提出了宏门的概念和以宏门为单位的迭代概率转移矩阵模型,并设计了相应的电路可靠性评估算法,可计算从原始输入到任意引线位置的电路可靠度,该算法的复杂性与宏门的数目成线性关系.理论分析与在74系列电路和ISCAS85基准电路上的实验结果证明了文中所提方法的准确性、有效性及潜在的应用价值.

用晶闸管宏模型分析换流阀内电压分布特性

晶闸管器件性能和缓冲电路参数会影响换流阀内电压分布特性。在晶闸管断态情况下进行换流阀电路参数选择,其结果明显具有局限性。用考虑二次效应、温度特性和反向恢复过程的晶闸管宏模型,对换流阀内的一个晶闸管模块与饱和电抗器的串联电路进行了动态仿真,分析了晶闸管器件参数分散性和缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响;同时还考虑了换流器换流时换流阀内电压振荡特性。

一种CMOS混合信号电路衬底噪声耦合模型

利用二维器件模拟器MEDICI提取出重掺杂外延型衬底的电阻宏简化模型,所需的6个参数均可通过器件模拟得到,能够精确表征混合信号集成电路中的衬底噪声特性。基于0.25μm CMOS工艺所建立的电阻宏模型,设计了简单的混合信号电路进行应用验证,证明了该模型能够有效表征混合信号集成电路的衬底噪声。

一种建立数字电路宏模型的方法

提出了一种建立数字门电路宏模型的方法 ,采用该方法建立的门电路宏模型可以对门电路以及由门电路构成的数字电路进行逻辑仿真 .宏模型用构造法建立 ,不含有源器件 ,具有模型结构简单、仿真速度快。

电子线路仿真中一些问题的讨论

通过几个例子讨论了Pspice设计中容易被忽视、或出错,但非常有用的一些功能.介绍了用Probe进行性能分析的方法及实现过程;叙述了子电路、层次电路、模型在创建中容易出错和应该注意的问题;最后对Pspice数学宏模型的建立展开了讨论.

嵌入式整流变压器油温测控系统的研制

描述系统的技术指标,铂电阻随温度的变化的物理特性,使用C51高级编程语言中的浮点运算解决汇编语言计算精度不高的问题,以及使用MCU改善了系统的性能等。详细地论述了系统的结构组成,各主要硬件模块的实现原理,以及采用具有负反馈的电阻传感器线性化电路,改善了电桥的非线性。叙述了在C51语言中将浮点数转换为BCD码的方法。概括了提高系统的测控精度和可靠性采取的方法和措施,系统使用软、硬件相结合技术,合理的接地技术等,提高系统的测控精度、可靠性、安全性和抗干扰能力。

基于PSpice的TL494宏模型的研究

提出了基于开关电源集成控制器PSpice的开关电源集成控制器TL494的宏模型。由于它包含有开关电源控制所需的全部功能,广泛应用于单端正激、半桥式、全桥式开关电源,所以研究它的PSpice仿真模型对控制芯片的设计分析有重要的意义。首先给出TL494的内部结构和工作原理。对TL494各个功能模块建立了PSpice宏模型电路,再将各个功能模块封装起来,实现了TL494在PSpice中的模型库。然后设计了基于TL494控制的Buck电路,通过实验对所建模型进行验证,将仿真结果与实验结果进行对比,证明了所建模型的正确性与可行性。

MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模

采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。

MIG焊接304不锈钢电弧物理现象-焊缝形貌组织-力学性能的相关性研究

借助高速摄像系统对焊接过程中的电弧稳定性和熔滴过渡现象进行分析,探究MIG焊接4 mm厚304不锈钢电弧电压-电弧物理-焊缝形貌组织-接头力学性能相关性机制。结果表明,电压为20.6 V时,焊接电弧热量分布均匀,熔滴过渡形式为稳定连续的短路过渡,焊缝宏观成形良好,微观组织为蠕虫状铁素体,焊接接头强塑性高;当电压降低为16.6 V时,弧长变短,熔滴未长大便短路过渡,热量传导缓慢,焊缝上表面出现咬边缺陷和凹槽,微观组织出现部分片状铁素体;当电压增大至24.6 V,电弧能量严重发散,熔滴过渡稳定性和连续性下降,焊缝表面出现不规则鱼鳞纹,背部出现未焊透现象,焊缝下层中形成较多片状铁素体。电压较低和较高时,焊接接头强度和塑性均下降。

Kink效应对低温CMOS读出电路的影响

在深低温下(T<50K),CMOS器件会出现Kink效应,即I-V特性曲线会发生扭曲。当漏源电压较大时(Vds>4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系。本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性;对于共源放大器和两级运放,Kink效应会使其增益产生非线性。最后,针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行分析和研究,提出在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案。

基于神经网络的微波集成电路补偿模型设计

提出一种基于神经网络的集成电路补偿模型建模方法。针对等效电路模型与电路实测数据之间存在偏差的问题,建立人工神经网络模型补偿差值部分,补偿后的模型作为一种集成电路宏模型,可用于辅助集成微系统仿真分析。该补偿模型是一个单层的全连接神经网络,以tanh函数作为激活函数,均方误差作为损失函数,使用Adam优化器优化训练而成。在工作频段为6~13 GHz的低噪声放大器电路上进行实验,补偿前后,原仿真数据与测试数据之间的均方根误差从0.868降低至0.274,提高了电路模型精度。