高温热管MCT晶体材料生长炉

介绍了同轴径向传热的高温热管结构、工作原理及其传热特性。根据这种高温热管的传热特性 ,结合Bridgman晶体生长法 ,研制了碲镉汞 (MCT)晶体材料生长炉 ,并利用该热管炉生长出了合格的 MCT晶体材料试样。

大直径MCT晶体的双晶衍射回摆曲线测量

采用加压改进Bridgman法生长出大直径 ( =40mm)MCT晶体。对所生长的晶体进行了双晶衍射回摆曲线测量 ,所测量样品的双晶衍射回摆曲线的半峰宽最小值为1 4.4″～ 1 6.2″。测试结果表明 :大直径MCT晶体质量优良 。

磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用

在0～4．5KGs的横向磁场中用布里兹曼法生长了碲镉汞晶体，轴向组分分布略见平缓，而径向组分显示出明显的偏心分布。在2～3KGs下，径向组分均匀性有明显改善，并获得了组分分布更为均匀的“斜”平面。

非晶态碲镉汞薄膜晶化过程的椭圆偏振光谱研究(英文)

采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在薄膜内部均匀发生的,对于不同晶化程度的薄膜,其光学常数谱具有明显的特征,通过对光学常数谱的分析研究可以对非晶态碲镉汞薄膜的晶化程度进行量化表征,从而控制退火条件,优化材料质量。

开管汽相外延法生长碲镉汞晶膜

报道用开管汽相外延法生长长波碲镉汞晶膜的结果。实验表明,用这种方法容易得到适合红外焦平面列阵器件制备用的大面积均匀优质碲镉汞晶膜。

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望

简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理，回顾了国内进行碲镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法（ＡＣＲＴＢ）研究的情况，并提出了进一步研究的问题。

MnO_2改性的MgTiO_3-CaTiO_3微波介质陶瓷材料

通过两步法制备MnO_2改性的MgTiO_3-CaTiO_3(MCT)微波介质陶瓷材料,研究MnO_2对MCT陶瓷的微观结构、烧结特性以及微波介电性能的影响.结果表明,MnO_2不仅能有效抑制杂相的生成,将烧结温度降低15℃,而且能提高MCT陶瓷的致密度,改善MCT陶瓷的微波介电性能.当MnO_2添加量为0. 1%时,1 385℃烧结获得的MCT陶瓷具有最佳介电性能,ε_r=20. 48,Q×f=58,690 GHz,τ_f=-6. 29×10-6/℃.