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磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Γ-X电子态混合
1
作者
刘剑
李月霞
+3 位作者
郑厚植
杨富华
宋爱民
李承芳
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期113-117,共5页
报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.
关键词
磁隧穿
Γ-
x
混合
双势垒
砷化镓
砷化铝
下载PDF
职称材料
题名
磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Γ-X电子态混合
1
作者
刘剑
李月霞
郑厚植
杨富华
宋爱民
李承芳
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期113-117,共5页
基金
国家攀登计划资助
文摘
报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.
关键词
磁隧穿
Γ-
x
混合
双势垒
砷化镓
砷化铝
Keywords
magneto tunneling
,
γ x mixing
,
gaas/alas.
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
O471.5 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Γ-X电子态混合
刘剑
李月霞
郑厚植
杨富华
宋爱民
李承芳
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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