硅-MOS型三维磁场敏感器结构研究

本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY)优于6×10^(-2)T^(-1)。当外加磁感应强度低于0.4T时该器件非线性误差低于1×10^(-2)。由于本器件采用了特殊的相容性制造工艺,可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计。

3CCM硅磁敏三极管工作机理

本文首次指出3CCM硅磁敏三极管的磁敏效应是载流子双注入效应和霍耳效应的结合。反向偏置的收集结允许空穴和阻挡电子通过。积累在收集结附近的电子产生霍耳电场。霍耳电场和劳仑兹力对空穴产生同一方向的作用力,所以这种磁敏管的磁敏电流的线性度和灵敏度都比较高。

抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究

介绍了一种新型的用ＣＭＯＳ标准工艺制作的具有抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管．理论分析及实验测量结果表明。