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Particle-in-Cell/Monte Carlo Collision simulation of planar DC magnetron sputtering 被引量:2
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作者 赵华玉 牟宗信 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第4期1475-1479,共5页
In this paper a numerical simulation of a planar DC magnetron discharge is performed with the Particle-in Cell/Monte Carlo Collision (PIC/MCC) method. The magnetic field used in the simulation is calculated with fin... In this paper a numerical simulation of a planar DC magnetron discharge is performed with the Particle-in Cell/Monte Carlo Collision (PIC/MCC) method. The magnetic field used in the simulation is calculated with finite element method according to experimental configuration. The simulation is carried out under the condition of gas pressure of 0.665 Pa and voltage magnitude of 400V. Typical results such as the potential distribution, charged particle densities, the discharge current density and ion flux onto the target are calculated. The erosion profile from the simulation is compared with the experimental data. The maximum erosion position corresponds to the place where the magnetic field lines are parallel to the target surface. 展开更多
关键词 magnetron sputtering pic/mcc sputtering yield
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纳米氮化钛薄膜对高频陶瓷窗片二次电子发射率的影响研究
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作者 赵毅红 李芳芳 +4 位作者 王博锋 叶成聪 缪雨龙 陈海波 陈荣发 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期960-966,共7页
纳米TiN薄膜可用来抑制高频陶瓷窗片的二次电子倍增,缩短器件高功率老炼时间,提高微波发射性能。文章通过专用真空镀膜设备,采用同轴圆柱靶和平面靶的直流磁控反应溅射方法,通过优化制备工艺参数,在陶瓷窗片的表面成功制备了纳米氮化钛(... 纳米TiN薄膜可用来抑制高频陶瓷窗片的二次电子倍增,缩短器件高功率老炼时间,提高微波发射性能。文章通过专用真空镀膜设备,采用同轴圆柱靶和平面靶的直流磁控反应溅射方法,通过优化制备工艺参数,在陶瓷窗片的表面成功制备了纳米氮化钛(TiN)薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)等现代分析手段进行了测试分析,结果表明:纳米TiN薄膜表面晶粒细小,致密度较好;晶面(111)和(200)特征衍射峰峰型规整,峰宽细窄;Ti/N原子计量比接近于1∶1。随着薄膜沉积时间增加,二次电子发射系数(SEY)逐渐增大,溅射时间8.4 s时,SEY为1.72;随着基体偏压的增加,电离效率增加,SEY不断降低,当偏压为350 V时,SEY为1.89;随着N2流量增加,SEY发生变化,当N2流量为38 mL/min时,SEY为1.83。 展开更多
关键词 磁控反应溅射 纳米TiN 薄膜 高频陶瓷窗片 二次电子发射率
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TiZrV吸气剂薄膜的性能研究 被引量:2
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作者 张波 王勇 +6 位作者 尉伟 范乐 裴香涛 洪远志 王建平 张玉方 李为民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期674-677,共4页
采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,峰值由2.03降到1.55。不锈钢真空... 采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,峰值由2.03降到1.55。不锈钢真空室在镀TiZrV薄膜处理后其PSD效应显著降低,在200℃下加热24h后,各气体的PSD产额与初始值相比可降低两个量级左右。TiZrV薄膜对CO和H2有较好的吸气效果,相同激活条件下对CO的抽速比H2高一个量级,吸气容量则较之低两个量级;另外,随着加热温度的提高和时间的延长,其吸气能力会有所提高。 展开更多
关键词 TiZrV吸气剂薄膜 直流磁控溅射 二次电子产额 光致解吸 吸气性能
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磁控溅射技术进展及应用(上) 被引量:48
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作者 徐万劲 《现代仪器》 2005年第5期1-5,共5页
近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自... 近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。 展开更多
关键词 薄膜 沉积方法 磁控溅射技术 闭合磁场非平衡溅射 高速率溅射 自溅射 脉冲溅射
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磁控溅射技术进展及应用(下) 被引量:16
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作者 徐万劲 《现代仪器》 2005年第6期5-10,共6页
近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自... 近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。 展开更多
关键词 磁控管 溅射率 非平衡磁控溅射 闭合场非平衡磁控溅射 自溅射
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Ni-Mn-Ga磁控溅射靶材合金制备及性能
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作者 陈峰华 张敏刚 +2 位作者 柴跃生 杨利斌 熊杰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第9期568-572,582,共6页
根据Ni-Mn-Ga合金靶材在磁控溅射过程中各元素溅射产额和靶材成分的不同,对薄膜成分的影响进行了分析,从而制备了马氏体转变温度高于室温的Ni55Mn24.5Ga20.5靶材。针对目前没有标准的Ni-Mn-Ga马氏体PDF卡片,使用模拟结合已有文献的方法... 根据Ni-Mn-Ga合金靶材在磁控溅射过程中各元素溅射产额和靶材成分的不同,对薄膜成分的影响进行了分析,从而制备了马氏体转变温度高于室温的Ni55Mn24.5Ga20.5靶材。针对目前没有标准的Ni-Mn-Ga马氏体PDF卡片,使用模拟结合已有文献的方法对制备的合金X射线衍射峰进行标定。由于差示扫描量热仪(DSC)不容易对薄膜进行相转变温度测定,提出了利用马氏体与母相磁性能的磁矩与温度(M-T)曲线来测定薄膜的相转变温度,并对合金进行了验证。居里温度约为450K的合金的制备,为进一步探索薄膜成分对磁性能的影响提供了实验依据。 展开更多
关键词 薄膜成分 马氏体类型 相变温度 磁控溅射 溅射产额
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无定形碳薄膜的二次电子发射特性研究 被引量:4
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作者 张宇心 王一刚 +5 位作者 葛晓琴 张波 尉伟 裴香涛 范乐 王勇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1065-1069,共5页
新一代粒子加速器向着高能量和高亮度方向发展,而储存环中的电子云效应极大地阻碍了粒子束的稳定性,是限制加速器进一步发展的主要制约因素。因此,对于新一代的高能粒子加速器来说,寻找低二次电子发射系数(SEY)的储存环真空室表面材料... 新一代粒子加速器向着高能量和高亮度方向发展,而储存环中的电子云效应极大地阻碍了粒子束的稳定性,是限制加速器进一步发展的主要制约因素。因此,对于新一代的高能粒子加速器来说,寻找低二次电子发射系数(SEY)的储存环真空室表面材料是至关重要的。研究发现,储存环真空室表面沉积无定形碳薄膜是一种很有潜力的加速器真空室表面处理方法。采用直流磁控溅射的方法,在管道表面沉积了高质量的无定形碳薄膜,并对二次电子发射特性进行了研究,发现在入射电子密度为1×10^(-8)C/mm^(-2)的条件下,薄膜的SEY为1. 132,说明无定形碳薄膜可以很好地降低二次电子发射,从而抑制电子云效应。 展开更多
关键词 粒子加速器 二次电子产额 无定形碳薄膜 直流磁控溅射
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不同靶材料的高功率脉冲磁控溅射放电行为 被引量:4
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作者 吴忠振 田修波 +2 位作者 潘锋 付劲裕 朱剑豪 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1279-1284,共6页
选择具有不同溅射产额的靶材料(Cu,Cr,Mo,Ti,V和C),研究了其高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)放电靶电流波形随靶电压的演化行为.发现所有材料都满足5个阶段顺序放电特征,但是不同溅射产额的材料的相同放电阶段所需要的靶电压呈现先增加后下... 选择具有不同溅射产额的靶材料(Cu,Cr,Mo,Ti,V和C),研究了其高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)放电靶电流波形随靶电压的演化行为.发现所有材料都满足5个阶段顺序放电特征,但是不同溅射产额的材料的相同放电阶段所需要的靶电压呈现先增加后下降的趋势,根据放电难易的不同分别表现出一定阶段的缺失.对其靶电流平均值、峰值和平台值的统计显示,溅射产额高的靶材料自溅射容易,平台稳定,对靶电流的贡献主要为平台值(金属放电),比较适用于HPPMS方法沉积薄膜;而溅射产额低的靶材料气体放电明显,靶电流主要由峰值(气体放电)贡献,不利于薄膜沉积. 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 溅射产额 靶电流 靶电压
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考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集 被引量:2
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作者 谢国锋 王德武 应纯同 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期2147-2152,共6页
采用PIC MCC方法研究了AVLIS工程中一维RF共振法离子引出和收集过程 ,重点研究离子在收集板上造成的溅射损失以及离子的收集效率 .模拟结果表明 ,RF共振法与平行板静电场法相比 ,引出时间较短 ,碰撞损失和溅射损失较低 ,收集率较高 ;增... 采用PIC MCC方法研究了AVLIS工程中一维RF共振法离子引出和收集过程 ,重点研究离子在收集板上造成的溅射损失以及离子的收集效率 .模拟结果表明 ,RF共振法与平行板静电场法相比 ,引出时间较短 ,碰撞损失和溅射损失较低 ,收集率较高 ;增加引出电压 ,可以缩短引出时间 ,降低碰撞损失 ,但是增加了溅射损失 ,使得收集率降低 ;增大磁场强度 ,使碰撞损失降低 ,溅射损失增加 ,收集率降低 . 展开更多
关键词 RF共振法 离子引出 溅射损失 收集效率 原子蒸气激光同位素分离
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