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基底温度对Ti/TiN薄膜内应力的影响
被引量:
2
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作者
胡敏
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第26期6743-6745,6749,共4页
采用反应直流磁控溅射法,在硅基底上制备了一系列不同结构的Ti/TiN多层薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜物相进行了分析,研究了溅射沉积过程中基底温度对周期薄膜结构及内应力的影响。结果表明:多层薄膜中的Ti出现(101)面,TiN的(200)...
采用反应直流磁控溅射法,在硅基底上制备了一系列不同结构的Ti/TiN多层薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜物相进行了分析,研究了溅射沉积过程中基底温度对周期薄膜结构及内应力的影响。结果表明:多层薄膜中的Ti出现(101)面,TiN的(200)面衍射峰强度在基底温度为600℃时最高。随着衬底温度的升高,薄膜内部的压应力逐渐减小,当基底温度在600℃时,薄膜内应力最小。
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关键词
磁控溅射
多层薄膜
基底温度
薄膜内应力
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职称材料
题名
基底温度对Ti/TiN薄膜内应力的影响
被引量:
2
1
作者
胡敏
机构
江西理工大学南昌校区机电工程系
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第26期6743-6745,6749,共4页
文摘
采用反应直流磁控溅射法,在硅基底上制备了一系列不同结构的Ti/TiN多层薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜物相进行了分析,研究了溅射沉积过程中基底温度对周期薄膜结构及内应力的影响。结果表明:多层薄膜中的Ti出现(101)面,TiN的(200)面衍射峰强度在基底温度为600℃时最高。随着衬底温度的升高,薄膜内部的压应力逐渐减小,当基底温度在600℃时,薄膜内应力最小。
关键词
磁控溅射
多层薄膜
基底温度
薄膜内应力
Keywords
magnetron sputteringof multilayer filmsmultilayer filmssputtering substrate temperature the intra-stress
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基底温度对Ti/TiN薄膜内应力的影响
胡敏
《科学技术与工程》
北大核心
2012
2
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