ROM存贮矩阵掩膜自动编辑程序设计

本文介绍了ROM存贮矩阵掩膜自动编辑程序的设计方法，主要包括数据格式、母片（原始）GDSⅡ文件生成和程序设计。根据ROM存贮数据表，一个引导文件和一个原始GDSⅡ文件、利用该程序就可以准确地实现版图GDSⅡ文件生成。

语音合成集成电路中掩模ROM的解决方案

在语音合成集成电路(IC)中,需要存储大量的程序和语音数据,因此内存储器的集成度、读取速度及可靠性成为影响一款芯片生产成本和性能参数的关键指标。存储器有很多分类,掩模只读存储器(ROM)以其较高的集成度和较低的成本在中低档消费类语音合成IC中有着较为广泛的应用。给出一种语音合成IC中掩模ROM的解决方案,分别介绍3个组成部分:存储单元阵列、地址译码器和读出放大器的设计实现。采用该方案可以有效提高掩模ROM的集成度、读取速度及可靠性,有效降低语音合成IC的生产成本、提高其性能和市场竞争力。

基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

针对传统ROM(Read-Only Memory)存储密度低、功耗高的问题,该文提出一种采用二极管单元并通过接触孔编程来存储数据的掩模ROM。二极管阵列采用双沟槽隔离工艺和无间隙接触孔连接方式实现了极高的存储密度。基于此设计了一款容量为2 Mb的掩模ROM,包含8个256 kb的子阵列。二极管阵列采用40 nm设计规则,外围逻辑电路采用2.5 V CMOS工艺完成设计。二极管单元的有效面积仅为0.017μm^2,存储密度高达0.0268mm^2/Mb。测试结果显示二极管单元具备良好的单元特性,在2.5 V电压下2 Mb ROM的比特良率达到了99.8%。

掩模ROM码点的反向提取

本文介绍了基于掩模ROM的计算机图象 ,通过测量定位、计算机辅助判定、多幅比较及ROM代码提取的过程 ,实现掩模ROM码点的反向提取 。