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目前我国兆瓦级新型电力半导体器件
被引量:
3
1
作者
张明
《大功率变流技术》
2012年第1期1-8,共8页
介绍了大型相控晶闸管、IGBT及IGCT三种兆瓦级新型电力半导体器件的发展、技术特征和应用领域,初步探讨了器件的物理极限和未来的发展方向。
关键词
大型相控晶闸管(PCT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
集成门极换流晶闸管(IGCT)
兆瓦级
下载PDF
职称材料
题名
目前我国兆瓦级新型电力半导体器件
被引量:
3
1
作者
张明
机构
南车株洲电力机车研究所有限公司
出处
《大功率变流技术》
2012年第1期1-8,共8页
文摘
介绍了大型相控晶闸管、IGBT及IGCT三种兆瓦级新型电力半导体器件的发展、技术特征和应用领域,初步探讨了器件的物理极限和未来的发展方向。
关键词
大型相控晶闸管(PCT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
集成门极换流晶闸管(IGCT)
兆瓦级
Keywords
PCT
IGBT
IGCT
megawatt grade
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
目前我国兆瓦级新型电力半导体器件
张明
《大功率变流技术》
2012
3
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