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Memcapacitor model and its application in a chaotic oscillator 被引量:1
1
作者 王光义 蔡博振 +1 位作者 靳培培 胡体玲 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期489-500,共12页
A memcapacitor is a new type of memory capacitor. Before the advent of practical memcapacitor, the prospective studies on its models and potential applications are of importance. For this purpose, we establish a mathe... A memcapacitor is a new type of memory capacitor. Before the advent of practical memcapacitor, the prospective studies on its models and potential applications are of importance. For this purpose, we establish a mathematical memca- pacitor model and a corresponding circuit model. As a potential application, based on the model, a memcapacitor oscillator is designed, with its basic dynamic characteristics analyzed theoretically and experimentally. Some circuit variables such as charge, flux, and integral of charge, which are difficult to measure, are observed and measured via simulations and exper- iments. Analysis results show that besides the typical period-doubling bifurcations and period-3 windows, sustained chaos with constant Lyapunov exponents occurs. Moreover, this oscillator also exhibits abrupt chaos and some novel bifurcations. In addition, based on the digital signal processing (DSP) technology, a scheme of digitally realizing this memcapacitor os- cillator is provided. Then the statistical properties of the chaotic sequences generated from the oscillator are tested by using the test suit of the National Institute of Standards and Technology (NIST). The tested randomness definitely reaches the standards of NIST, and is better than that of the well-known Lorenz system. 展开更多
关键词 memcapacitor OSCILLATOR CHAOS statistical test
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Investigation on the dynamic behaviors of the coupled memcapacitor-based circuits
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作者 周知 于东升 王晓媛 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第12期179-195,共17页
In this paper, by referring to the concept of coupled memristors (MRs) and considering the flux coupling connection, the constitutive relations for describing the coupled memcapacitors (MCs) are theoretically dedu... In this paper, by referring to the concept of coupled memristors (MRs) and considering the flux coupling connection, the constitutive relations for describing the coupled memcapacitors (MCs) are theoretically deduced. The dynamic behaviors of dual coupled MCs in serial and parallel connections are analyzed in terms of identical or opposite polarities for the first time. Based on the derived constitutive relations of the two coupled MCs, the modified relaxation oscillators (ROs) are obtained with the purpose of achieving controllable oscillation frequency and duty cycle. In consideration of different parameter configurations, the experimental investigation is carried out by using practical off-the-shelf circuit components to verify the correction of the theoretical calculation with numerical simulation of the coupled MCs and its application in ROs. 展开更多
关键词 memcapacitor coupling strength relaxation oscillator parallel/serial connection
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Modeling and character analyzing of multiple fractional-order memcapacitors in parallel connection
3
作者 徐翔 司刚全 +1 位作者 郭璋 Babajide Oluwatosin Oresanya 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第1期642-651,共10页
Recently,the memory elements-based circuits have been addressed frequently in the nonlinear circuit theory due to their unique behaviors.Thus,the modeling and characterizing of the mem-elements become essential.In thi... Recently,the memory elements-based circuits have been addressed frequently in the nonlinear circuit theory due to their unique behaviors.Thus,the modeling and characterizing of the mem-elements become essential.In this paper,the analysis of the multiple fractional-order voltage-controlled memcapacitors model in parallel connection is studied.Firstly,two fractional-order memcapacitors are connected in parallel,the equivalent model is derived,and the characteristic of the equivalent memcapacitor is analyzed in positive or negative connection.Then a new understanding manner according to different rate factor K and fractional orderαis derived to explain the equivalent modeling structure conveniently.Additionally,the negative order appears,which is a consequence of the combination of memcapacitors in different directions.Meanwhile,the equivalent parallel memcapacitance has been drawn to determine that multiple fractional-order memcapacitors could be calculated as one composite memcapacitor.Thus,an arbitrary fractional-order equivalent memcapacitor could be constructed by multiple fractional-order memcapacitors. 展开更多
关键词 memcapacitor fractional calculus parallel connection equivalent model
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带有阈值电压的非线性忆容器混合建模与特性分析
4
作者 曹伟 乔金杰 崔弘 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第2期204-208,共5页
忆容器是在电感、电容和电阻基本电路元件之后出现的新型电路元件,因其具有非易失性和非线性特点,在众多领域中具有广泛的应用前景。为了使忆容器模型更接近实际忆容器和方便与其他二端口电路元件连接,通过引入阈值电压的方法改进了忆... 忆容器是在电感、电容和电阻基本电路元件之后出现的新型电路元件,因其具有非易失性和非线性特点,在众多领域中具有广泛的应用前景。为了使忆容器模型更接近实际忆容器和方便与其他二端口电路元件连接,通过引入阈值电压的方法改进了忆容器荷控数学模型,并利用Simscape和Simulink相结合的混合建模方法建立了带有阈值电压的忆容器二端口仿真模型。通过仿真实验分析了触发电压的幅值和频率对该仿真模型磁滞回线的影响。结果表明,建立的仿真模型符合忆容器的基本特性,即磁滞回线随电压幅值的增大逐渐变宽,随电压频率的增加逐渐变窄。该模型可为以后忆容器的应用研究和仿真研究奠定基础。 展开更多
关键词 忆容器 阈值电压 混合建模 仿真模型 Simscape
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基于分数阶忆容器的有源滤波器设计
5
作者 黄京 尚涛 +1 位作者 左永浩 左自辉 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期19-24,共6页
在分析研究整数阶忆容器模型和分数阶忆容器模型的基础上,提出了一种具有两个分数阶阶次的忆容器模型,并对其相关特性进行了分析。将此模型应用于有源低通滤波电路中,仿真分析了含有分数阶忆容器的有源低通滤波电路的时域和频域特性。... 在分析研究整数阶忆容器模型和分数阶忆容器模型的基础上,提出了一种具有两个分数阶阶次的忆容器模型,并对其相关特性进行了分析。将此模型应用于有源低通滤波电路中,仿真分析了含有分数阶忆容器的有源低通滤波电路的时域和频域特性。实验结果表明,与整数阶忆容器模型相比,提出的分数阶忆容器模型可以通过改变分数阶阶次来调整低通滤波电路的截止频率,进而改变低通滤波电路的滤波效果。 展开更多
关键词 分数阶 忆容器 滤波电路
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一种荷控忆容器的电路模拟器设计及其基本特性分析 被引量:2
6
作者 杨凌 胡丙萌 +1 位作者 苏婧 石莹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第7期98-104,共7页
直接从荷控忆容器的数学模型出发,首先采用通用有源电路芯片设计了忆容器"浮地"电路模拟器,之后结合Matlab和Multisim混合仿真的方法,研究了其二端口的基本电特性,给出了在不同交变信号激励以及不同参数下忆容器电路模拟器的... 直接从荷控忆容器的数学模型出发,首先采用通用有源电路芯片设计了忆容器"浮地"电路模拟器,之后结合Matlab和Multisim混合仿真的方法,研究了其二端口的基本电特性,给出了在不同交变信号激励以及不同参数下忆容器电路模拟器的系统级仿真实验,最后完成了其硬件电路的实现及性能测试。结果表明:所设计的荷控忆容器具有电荷-电压之间的自收缩磁滞回线特性,是一种具有记忆特性的非线性电容,这与理论概念上的忆容器特性相吻合,可为忆容器在电子学领域产生新的应用电路提供器件模拟实体。 展开更多
关键词 忆容器 荷控 模拟器 浮地 磁滞回线 硬件实现
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一种基于忆阻器的忆容器模型 被引量:1
7
作者 甘朝晖 吴宇鑫 +1 位作者 蒋旻 张士英 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期3176-3184,共9页
惠普实验室在发现忆阻器实物以后,研究人员根据电路理论提出了忆容器的概念。但是,直到目前,忆容器的实物还没有被发现。为了研究忆容器,科研人员往往用其它的元件及电路来模拟忆容器。在详细分析了现有的忆容器模型以后,研究了忆阻器... 惠普实验室在发现忆阻器实物以后,研究人员根据电路理论提出了忆容器的概念。但是,直到目前,忆容器的实物还没有被发现。为了研究忆容器,科研人员往往用其它的元件及电路来模拟忆容器。在详细分析了现有的忆容器模型以后,研究了忆阻器与忆容器之间的变换关系,提出了一种新的非线性转换方法以实现忆阻器到忆容器的变换,并在此基础上构造了一种基于忆阻器的非线性忆容器模型。经过Pspice仿真实验发现,该模型成功地模拟了忆容器的基本特性,该模型对忆容器及其相关电路的发展及应用是非常有意义的。 展开更多
关键词 忆阻器 忆容器 非线性 模型
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悬浮型忆容器电路模型及其滤波电路分析 被引量:2
8
作者 李贵三 于东升 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期201-208,共8页
基于有源器件设计了一种新的悬浮型二端口忆容器的等效模拟电路。分别采用方波和正弦波作为激励信号,验证了忆容器等效电路的磁滞环和频率依赖特征。考虑到忆容器元件容抗的可控性,将其应用在滤波器电路中,能够获得可调的截止频率。借助... 基于有源器件设计了一种新的悬浮型二端口忆容器的等效模拟电路。分别采用方波和正弦波作为激励信号,验证了忆容器等效电路的磁滞环和频率依赖特征。考虑到忆容器元件容抗的可控性,将其应用在滤波器电路中,能够获得可调的截止频率。借助PSPICE软件,分别基于电路模型和宏模型搭建了两种由忆容器元件组成的Π型低通滤波电路。分析了滤波电路的输入输出关系,以包含高、低两种频率成分的电压信号验证系统的滤波能力,并与实验结果进行误差对比分析。结果表明此新型滤波电路可有效滤除高频信号,低通滤波能力良好,且在无控制条件下输出特性异于传统滤波电路,具有进一步研究和开发的价值。 展开更多
关键词 忆容器 PSPICE 滤波电路 截止频率
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忆容器多谐振荡器及其实验 被引量:2
9
作者 顾梅园 刘敬彪 +2 位作者 王光义 梁燕 李付鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第22期397-408,共12页
忆容器是一种具有记忆性的非线性电容,为研究忆容器的电路特性,提出了一种压控型忆容器的二次曲线模型,利用电流反馈型运放等器件构建了能够动态模拟忆容器q-v特性的仿真器.通过仿真和实验观测到忆容器的滞回曲线,以及随外加激励频率增... 忆容器是一种具有记忆性的非线性电容,为研究忆容器的电路特性,提出了一种压控型忆容器的二次曲线模型,利用电流反馈型运放等器件构建了能够动态模拟忆容器q-v特性的仿真器.通过仿真和实验观测到忆容器的滞回曲线,以及随外加激励频率增加而收缩的特性.分析了周期性激励信号的参数对忆容值取值范围的影响,并对忆容器的非易失性和平衡点的稳定性进行了研究.基于该忆容仿真器设计了一种多谐振荡器,分析了振荡器的工作原理,对振荡器的输出电压、忆容器的端电压、忆容器的磁通和电荷,以及忆容器的滞回曲线进行了测试.通过实验中观测到的各种振荡波形,分析了振荡器的频率、占空比以及忆容器的非线性特性随电路参数变化的规律. 展开更多
关键词 忆容器 非易失性 多谐振荡器
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一种通用的记忆器件模拟器及在串联谐振电路中的应用 被引量:5
10
作者 李志军 向林波 肖文润 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第7期1626-1633,共8页
该文基于忆阻器、忆容器和忆感器的物理模型与记忆机理,提出一种统一形式的记忆器件模型。在此基础上结合线性电压控制浮地阻抗(VCFI)电路与电流积分器,构建一种通用的记忆器件模拟器。该电路在拓扑结构保持不变的情况下,通过接入不同... 该文基于忆阻器、忆容器和忆感器的物理模型与记忆机理,提出一种统一形式的记忆器件模型。在此基础上结合线性电压控制浮地阻抗(VCFI)电路与电流积分器,构建一种通用的记忆器件模拟器。该电路在拓扑结构保持不变的情况下,通过接入不同性质的元件能分别模拟忆阻器、忆容器和忆感器的电学行为。最后将提出的忆阻器、忆容器和忆感器分别替换RLC串联谐振电路中的电阻、电容和电感元件,并从时域和频域两方面研究了记忆器件对电路的影响。PSPICE仿真结果验证了该模拟器的可行性和有效性。 展开更多
关键词 忆阻器 忆容器 忆感器 RLC串联谐振
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忆阻元件的研究进展 被引量:1
11
作者 俎云霄 于歆杰 《电气电子教学学报》 2010年第6期48-50,共3页
忆阻元件是一种联系电荷和磁链之间关系的新的无源电路元件,可以称其为第四类基本电路元件。本文首先介绍了忆阻元件的概念、基本模型及其数学表示方法,然后介绍了目前国内外的研究现状。国内研究主要集中于忆阻元件的数学模性、特性及... 忆阻元件是一种联系电荷和磁链之间关系的新的无源电路元件,可以称其为第四类基本电路元件。本文首先介绍了忆阻元件的概念、基本模型及其数学表示方法,然后介绍了目前国内外的研究现状。国内研究主要集中于忆阻元件的数学模性、特性及与其它元件组成的简单电路的性能;国外的研究主要集中于忆阻元件在各方面的潜在应用以及由忆阻概念进一步推测忆容和忆感元件及其系统。 展开更多
关键词 忆阻元件 数学模型 忆容元件 忆感元件
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忆容器的Simulink模型及其主要特性分析 被引量:7
12
作者 何朋飞 王丽丹 +1 位作者 段书凯 李传东 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期648-651,共4页
针对忆容器在数据读写与存储方面可能会更少丢失数据的优势,介绍了一种忆容器的数学模型,为便于对该忆容器的研究,根据其数学模型,搭建了忆容器的Simulink仿真模型,对该模型进行仿真研究,得到了关于忆容器的典型特性,验证了其有效性,同... 针对忆容器在数据读写与存储方面可能会更少丢失数据的优势,介绍了一种忆容器的数学模型,为便于对该忆容器的研究,根据其数学模型,搭建了忆容器的Simulink仿真模型,对该模型进行仿真研究,得到了关于忆容器的典型特性,验证了其有效性,同时,基于忆容器的数学模型,应用matlab研究了输入激励和忆容器的各项参数对忆容器的影响,获得了许多忆容器的新特性和重要的数据,为忆容器应用方面的研究奠定了基础。 展开更多
关键词 特性分析 忆阻器 忆容器 SIMULINK模型
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基于忆容桥的突触电路研究 被引量:1
13
作者 李超辈 李传东 张金铖 《计算机工程》 CAS CSCD 2013年第12期273-276,共4页
利用4个相同忆容器构建一个能实现零、正和负突触权重的忆容桥电路。在附加3个晶体三极管后,忆容桥权重电路能够实现神经细胞的突触操作。由于整个操作都是基于脉冲输入信号,因此整个电路是高效节能的。通过Matlab实现突触权重设计和突... 利用4个相同忆容器构建一个能实现零、正和负突触权重的忆容桥电路。在附加3个晶体三极管后,忆容桥权重电路能够实现神经细胞的突触操作。由于整个操作都是基于脉冲输入信号,因此整个电路是高效节能的。通过Matlab实现突触权重设计和突触权重乘法的模拟。仿真实验结果表明,基于线性忆容桥的突触电路在性能上与忆阻突触桥电路基本相当,优于传统突触乘法电路。 展开更多
关键词 忆容器 忆阻器 忆容桥突触 突触权重 脉冲输入
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一种基于压控型忆阻器的忆容器模型 被引量:1
14
作者 吴梦雯 甘朝晖 吴宇鑫 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第11期166-171,共6页
分析了忆阻器与忆容器之间的关系,提出了基于电压控制型忆阻器的忆容器模型.用Pspice软件对该模型进行了仿真实验,发现该模型中忆容器的忆容值与忆阻器的忆阻值成线性关系,忆容器的电压—电荷曲线呈现典型的非线性迟滞回线特性.在验证... 分析了忆阻器与忆容器之间的关系,提出了基于电压控制型忆阻器的忆容器模型.用Pspice软件对该模型进行了仿真实验,发现该模型中忆容器的忆容值与忆阻器的忆阻值成线性关系,忆容器的电压—电荷曲线呈现典型的非线性迟滞回线特性.在验证了所提出忆容器模型正确性的基础上,进一步分析了忆容器的电气特性. 展开更多
关键词 忆容器 忆阻器 模型 PSPICE
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一种分数阶压控忆容器模型及其电气特性分析 被引量:2
15
作者 赵恢寿 甘朝晖 +1 位作者 张士英 王庆国 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第1期101-106,共6页
忆容器是具有记忆功能的非线性电容.近年来,研究人员已经提出了一些整数阶忆容器模型,并分析了整数阶忆容器模型在不同类型信号激励下的响应特性,而分数阶忆容器的研究还比较少.在分析了现有整数阶忆容器模型的基础上提出了一种分数阶... 忆容器是具有记忆功能的非线性电容.近年来,研究人员已经提出了一些整数阶忆容器模型,并分析了整数阶忆容器模型在不同类型信号激励下的响应特性,而分数阶忆容器的研究还比较少.在分析了现有整数阶忆容器模型的基础上提出了一种分数阶压控忆容器模型,并对该分数阶忆容器模型在正弦信号激励下的响应进行了实验分析,结果表明该模型能够正确地模拟忆容器的特性.分数阶阶次和非线性窗函数中的控制参数对分数阶忆容器电气特性的影响规律也得到了分析和总结,这些结果对忆容器的应用具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 忆容器 分数阶 模型 幅频特性
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基于忆容器件的神经形态计算研究进展 被引量:6
16
作者 任宽 张珂嘉 +6 位作者 秦溪子 任焕鑫 朱守辉 杨峰 孙柏 赵勇 张勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期15-32,共18页
人工智能的快速发展需要人工智能专用硬件的快速发展,受人脑存算一体、并行处理启发而构建的包含突触与神经元的神经形态计算架构,可以有效地降低人工智能中计算工作的能耗.记忆元件在神经形态计算的硬件实现中展现出巨大的应用价值;相... 人工智能的快速发展需要人工智能专用硬件的快速发展,受人脑存算一体、并行处理启发而构建的包含突触与神经元的神经形态计算架构,可以有效地降低人工智能中计算工作的能耗.记忆元件在神经形态计算的硬件实现中展现出巨大的应用价值;相比传统器件,用忆阻器构建突触、神经元能极大地降低计算能耗,然而在基于忆阻器构建的神经网络中,更新、读取等操作存在由忆阻电压电流造成的系统性能量损失.忆容器作为忆阻器衍生器件,被认为是实现低耗能神经网络的潜在器件,引起国内外研究者关注.本文综述了实物/仿真忆容器件及其在神经形态计算中的最新进展,主要包括目:前实物/仿真忆容器原理与特性,代表性的忆容突触、神经元及神经形态计算架构,并通过总结近年来忆容器研究所取得的成果,对当前该领域面临的挑战及未来忆容神经网络发展的重点进行总结与展望. 展开更多
关键词 忆容器 忆容机理 突触 神经网络
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基于忆容器和忆感器的混沌振荡电路设计
17
作者 臧寿池 王光义 史传宝 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2017年第3期6-10,共5页
忆容器和忆感器是在忆阻器基础上定义的两种新型非线性记忆元件,目前未实现实际的忆容器和忆感器.为探究忆容器和忆感器在非线性电路中的特性,基于其数学模型设计了一个基于忆容器和忆感器的混沌振荡电路.通过对系统的分岔特性和Lyapou... 忆容器和忆感器是在忆阻器基础上定义的两种新型非线性记忆元件,目前未实现实际的忆容器和忆感器.为探究忆容器和忆感器在非线性电路中的特性,基于其数学模型设计了一个基于忆容器和忆感器的混沌振荡电路.通过对系统的分岔特性和Lyapounov指数等动力学特性的分析得出:在参数固定初始条件不同的情况下,系统出现了共存吸引子现象.对混沌系统进行了DSP实验验证,DSP实验结果与数值分析结果具有一致性. 展开更多
关键词 忆容器 忆感器 混沌振荡器 共存吸引子
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基于耦合忆容模拟器的双非门振荡电路 被引量:1
18
作者 周知 朱旺 +1 位作者 朱虹 于东升 《电源学报》 CSCD 北大核心 2018年第1期171-177,共7页
通过在多谐振荡电路中引入忆容模拟器,提出一种磁通控制型耦合双忆容器模拟电路,并从理论上推导出其忆容值与磁通之间的数学关系。在此基础上,进行了基于耦合忆容模拟器的双非门多谐振荡器及其动态特性的研究。因耦合作用的影响,此电路... 通过在多谐振荡电路中引入忆容模拟器,提出一种磁通控制型耦合双忆容器模拟电路,并从理论上推导出其忆容值与磁通之间的数学关系。在此基础上,进行了基于耦合忆容模拟器的双非门多谐振荡器及其动态特性的研究。因耦合作用的影响,此电路呈现出有别于传统双非门振荡器的输出特性,其可用于电力电子变换器的驱动和信号测试。为了证明耦合忆容模拟器与基于其的双非门振荡电路的可行性,搭建硬件实验电路并进行了测试,实验结果与仿真结果保持一致,证实了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 耦合行为 忆容特性 忆容模拟器 双非门振荡器
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基于忆容器混沌电路设计及图像加密算法 被引量:1
19
作者 冯泽仲 王晓东 《计算机与应用化学》 CAS 2017年第3期251-256,共6页
研究设计了一类基于忆容器的混沌电路,功率谱、Lyapunov指数的计算结果和系统运动轨迹的仿真结果验证了该系统的混沌性。鉴于传统图像加密技术和低维混沌加密技术存在安全性不高、密钥空间相对较小的局限性,本文提出一种基于该混沌系统... 研究设计了一类基于忆容器的混沌电路,功率谱、Lyapunov指数的计算结果和系统运动轨迹的仿真结果验证了该系统的混沌性。鉴于传统图像加密技术和低维混沌加密技术存在安全性不高、密钥空间相对较小的局限性,本文提出一种基于该混沌系统的图像加密方法,并对其进行了数值仿真与性能分析。安全性分析和测试结果表明,该算法对密钥非常敏感,相邻像素满足零相关性,具有较强的安全性和良好的加密效果。 展开更多
关键词 忆容器混沌电路 功率谱 LYAPUNOV指数 图像加密
原文传递
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