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Relation of Deposition Condition with Microstructure of YBCO Film and YSZ Buffer Layer on Metallic Substrate
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作者 王敬 刘安生 +3 位作者 石东奇 王晓华 邵贝羚 袁冠森 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第1期56-60,共5页
icrostructures of two Yba_2Cu_3O_(7-y) (YBCO) film deposited on metal substrate (HastelloyC) with yttriastabilized zirconia (YSZ) buffer layer were studied comparatively. Relation of microstructure with deposition con... icrostructures of two Yba_2Cu_3O_(7-y) (YBCO) film deposited on metal substrate (HastelloyC) with yttriastabilized zirconia (YSZ) buffer layer were studied comparatively. Relation of microstructure with deposition condition was also been discussed. The YSZ buffer layer with a low depositing rate is dense, even, textured and wellbonded to the substrate. On the contrary, the YSZ layer deposited with a high rate is loose and bonded badly to the substrate. Property and surface grain size of YBCO film are related to the substrate temperature (Ts) in the deposition process. 展开更多
关键词 YBCO film YSZ buffer layer MICROSTRUCTURE metal substrate
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Microstructure of YBCO Superconducting Film on Metal Substrate with YSZ Buffer Layer
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作者 王敬 刘安生 +4 位作者 石东奇 王小平 王晓华 邵贝羚 袁冠森 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第1期73-77,共5页
Microstructures of YBa_2Cu_3O_(7-y)(YBCO) film on flexible metal substrate with yttriastabilized zirconia(YSZ) buffer layer prepared by magnetron sputtering technique have been studied in this paper using transmission... Microstructures of YBa_2Cu_3O_(7-y)(YBCO) film on flexible metal substrate with yttriastabilized zirconia(YSZ) buffer layer prepared by magnetron sputtering technique have been studied in this paper using transmission electron microscopy(TEM). A critical temperature(Tc) and a critical current density(Jc) of the YBCO film are 91 K and 2×103 A/cm2 at 77 K, 0 T respectively. Bonded steadfastly to the substrate of nickel alloy(HastelloyC), the dense, even and textured YSZ layer with fine crystal grains is about 12 μm thick. With an uneven thickness of about 500 nm, the YBCO layer is sometimes weakbonded to the YSZ layer. Impurities which occasionally led to cracks were observed at the YSZ/YBCO interface. 展开更多
关键词 Rare earths YBCO film YSZ buffer layer MICROSTRUCTURE metal substrate
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Preparation of Y-Ba-Cu-O film on metal substrate with buffer layers deposited by ion beam assisted deposition
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作者 熊旭明 周岳亮 +2 位作者 吕惠宾 陈正豪 杨国桢 《Science China Mathematics》 SCIE 1997年第12期1305-1310,共0页
Ion beam assisted pulsed laser deposition of biaxially aligned yttria-stabilized zirconia (YSZ) was used to produce a buffer layer for YBCO film on polycrystalline metallic substrate.The YSZ layers were biaxially alig... Ion beam assisted pulsed laser deposition of biaxially aligned yttria-stabilized zirconia (YSZ) was used to produce a buffer layer for YBCO film on polycrystalline metallic substrate.The YSZ layers were biaxially aligned with (001) axis normal to the substrate.The minimum FWHM of (111) phi-scan of the YSZ was 19,and the minimum FWHM of the rocking curve of YSZ was 4.5.Highly c-axis oriented biaxially aligned YBCO thin films were epitaxially grown by laser ablation on these layers,with JC(77K,0T)=2.1×105A/cm2,Tc0=90.5 K. 展开更多
关键词 YBCO thin film metallic substrate YSZ buffer layer Ion beam bombardment.
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金属缓冲层上生长GaN薄膜的结构、发光性能及其生长机理 被引量:1
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作者 梁建 赵丹 +3 位作者 赵君芙 马淑芳 邵桂雪 许并社 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S4期599-603,共5页
为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入Al、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用高分辨X射线衍射仪... 为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入Al、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了结构、成分、形貌和发光性能分析,结果表明,生成物均为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,但其形貌和发光性能各异。在加入金属缓冲层后,GaN薄膜的致密度和结晶性能均提高,而且其生长取向随之发生了显著变化,光强度也有所增强。最后,对在不同缓冲层上GaN薄膜的生长机理进行了初步探讨。 展开更多
关键词 GAN 薄膜 金属缓冲层
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ZnO/SiC/Si异质结构的特性 被引量:2
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作者 段理 林碧霞 +1 位作者 姚然 傅竹西 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期259-261,共3页
用MOCVD方法在P型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出 ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(... 用MOCVD方法在P型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出 ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层.这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低. 展开更多
关键词 无机非金属材料 ZnO薄膜 SiC缓冲层 异质外延 结构特性
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缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响 被引量:3
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作者 沈建兴 李传山 +2 位作者 董金美 张雷 武红霞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期46-48,共3页
采用丝网印刷的方法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了基板、下电极和PMS-PNN-PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用,及SiO2缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定... 采用丝网印刷的方法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了基板、下电极和PMS-PNN-PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用,及SiO2缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构。结果表明,缓冲层有效地阻止了三者之间的相互扩散,样品的d33、εr等都有所提高,所制得的压电厚膜d33为285pC/N,εr为1210,Qm为1330,kp为0.54。 展开更多
关键词 无机非金属材料 PMS-PNN—PZT 压电厚膜 缓冲层 扩散
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金属基体上YSZ过渡层及YBCO薄膜结构与沉积条件的关系
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作者 王敬 刘安生 +3 位作者 石东奇 王晓华 邵贝羚 袁冠森 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期35-38,共4页
研究了两种在金属基体(HasteloyC)上沉积的、以钇稳定的ZrO2(YSZ)为过渡层的YBa2Cu3O7-y薄膜结构,并讨论了结构与沉积条件的关系。当沉积速率低时,YSZ层致密、均匀,存在织构取向,且与基体连接... 研究了两种在金属基体(HasteloyC)上沉积的、以钇稳定的ZrO2(YSZ)为过渡层的YBa2Cu3O7-y薄膜结构,并讨论了结构与沉积条件的关系。当沉积速率低时,YSZ层致密、均匀,存在织构取向,且与基体连接良好;而高速率沉积的YSZ层疏松,与基体结合差。YBCO薄膜的结构和性能与沉积时的基体温度相关。 展开更多
关键词 YBCO 薄膜 YSZ过渡层 微结构 金属基体 沉积条件
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金属基上以YSZ为过渡层的YBCO薄膜的微观结构
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作者 王敬 刘安生 +4 位作者 石东奇 王小平 王晓华 邵贝羚 袁冠森 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期367-370,379,共5页
采用透射电子显微术(TEM),研究了用磁控溅射技术在柔性金属基体上制备的、钇稳定的ZrO2(YSZ)为过镀层的YBa2Cu3O7-y(YBCO)薄膜的横断面结构。所得YBCO膜的超导临界转变温度Tc为91K,临界电流... 采用透射电子显微术(TEM),研究了用磁控溅射技术在柔性金属基体上制备的、钇稳定的ZrO2(YSZ)为过镀层的YBa2Cu3O7-y(YBCO)薄膜的横断面结构。所得YBCO膜的超导临界转变温度Tc为91K,临界电流密度Jc=2×103A/cm2(77K,0T)。基体为Ni基合金(HasteloyC)。YSZ层为致密、均匀的细晶组织,约12μm厚,具有织构取向,并与基体紧密连接。YBCO层的厚度不均匀,约500nm;YBCO/YSZ界面有时连接较差,在该界面上有杂质出现,杂质有可能引发裂纹。 展开更多
关键词 YBCO薄膜 YSZ过渡层 微结构 超导体
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低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响 被引量:4
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作者 石增良 刘大力 +3 位作者 闫小龙 高忠民 徐经纬 白石英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期124-128,共5页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 MOCVD 低温缓冲层 XRD SEM
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不同金属缓冲层对GaN薄膜的光学及电学性能的影响 被引量:1
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作者 翟化松 余春燕 +3 位作者 高昂 姜武 王坤鹏 许并社 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第3期597-602,共6页
本文以金属Ga和NH3为原料,Al、Ni和Fe为金属缓冲层,采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上合成了GaN微米薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量弥散X射线谱(EDS)、光致发光光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-30... 本文以金属Ga和NH3为原料,Al、Ni和Fe为金属缓冲层,采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上合成了GaN微米薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量弥散X射线谱(EDS)、光致发光光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)等对GaN微米薄膜进行表征。结果表明,所有样品均为六方纤锌矿结构;样品均出现了很强的近带边紫外发射峰和半峰宽较大的中心波长为672 nm红光发射峰;不同样品的电学性能差异较大。最后对合成的GaN微米薄膜的可能形成机理进行了简单分析。 展开更多
关键词 GaN微米薄膜 金属缓冲层 化学气相沉积
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化学溶液沉积法La_2CuMnO_6缓冲层薄膜的制备与结构表征
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作者 马高峰 雷宁 +5 位作者 张国防 卢亚峰 郗大来 白宏斌 王炳旭 冯宝奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期67-69,73,共4页
根据镧、铜及锰盐在不同溶剂中的溶解性,选择合适的溶剂及镧、铜及锰盐为前驱体,配制成前驱溶液进行润湿性、稳定性及不同衬底热处理实验,成功筛选出制备La2CuMnO6(LCMO)缓冲层薄膜的前驱体,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对化... 根据镧、铜及锰盐在不同溶剂中的溶解性,选择合适的溶剂及镧、铜及锰盐为前驱体,配制成前驱溶液进行润湿性、稳定性及不同衬底热处理实验,成功筛选出制备La2CuMnO6(LCMO)缓冲层薄膜的前驱体,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对化学溶液沉积法(CSD)合成的La2CuMnO6薄膜的相组成和形貌结构进行了表征。结果表明,选择合适的前驱体(La(CH3COO)3·1.5H2O、Cu(CH3COO)2·1.0H2O、Mn(CH3COO)2·4.0H2O)及SrTiO3(STO)(100)衬底,在1000℃、保温时间3h、空气气氛及总离子浓度为1.0mol/L工艺条件下制备的La2CuMnO6薄膜具有很好的c轴织构,薄膜表面较平整、均匀、无裂纹、无孔洞,分布均匀且排列致密,完全满足缓冲层对薄膜的要求。 展开更多
关键词 化学溶液沉积法 La2CuMnO6 前驱体金属盐 衬底 筛选 缓冲层薄膜 制备 结构表征
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金属薄膜/有机材料基体系激光刻蚀研究(英文) 被引量:3
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作者 王瑞 陈学康 +3 位作者 任妮 吴敢 杨建平 曹生珠 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S2期240-242,共3页
激光刻蚀技术用于卫星天线的制造,用于刻蚀由不同材料体系组成天线表面的金属薄膜,由于金属、有机材料各层对激光的热和光物理特性存在很大的差异,因而每层材料的物理特性对激光刻蚀的结果产生影响。基于在多层材料表面金属薄膜激光刻... 激光刻蚀技术用于卫星天线的制造,用于刻蚀由不同材料体系组成天线表面的金属薄膜,由于金属、有机材料各层对激光的热和光物理特性存在很大的差异,因而每层材料的物理特性对激光刻蚀的结果产生影响。基于在多层材料表面金属薄膜激光刻蚀的物理机制,通过讨论和分析实验结果,发现激光刻蚀的物理过程主要受有机材料和金属薄膜之间界面效应的影响,为获得锐利和对有机材料无损伤的刻蚀效果,在金属薄膜和有机材料之间增加厚度约为200 nm的Cr过渡层可提高激光刻蚀的质量,而界面处的有机过渡层应选择对刻蚀激光波长高透过率的材料。 展开更多
关键词 激光刻蚀 界面效应 金属薄膜过渡层
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在金属基片上激光沉积YBCO超导薄膜 被引量:1
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作者 王又青 粟飙 +4 位作者 王秋良 安承武 范永昌 黄新堂 陆冬生 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期647-650,共4页
介绍了在金属基片上激光沉积缓冲层和YBa2Cu3O7-x(YBCO)高温超导薄膜的研究结果。在带ytria-stabilized-zirconia(YSZ)缓冲层的NiCr合金基片上,激光原位沉积出YBCO超导薄膜,... 介绍了在金属基片上激光沉积缓冲层和YBa2Cu3O7-x(YBCO)高温超导薄膜的研究结果。在带ytria-stabilized-zirconia(YSZ)缓冲层的NiCr合金基片上,激光原位沉积出YBCO超导薄膜,薄膜的零电阻转变温度为84K,77K时临界电流密度约为2000A/cm2;缓冲层的取向可以通过选择适当的沉积参数来改善; 展开更多
关键词 激光沉积 超导薄膜 金属基片 缓冲层 YBCO
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