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CCD芯片金属层脱落失效分析与改进措施
1
作者
刘方
孙晨
张故万
《集成电路应用》
2021年第8期20-22,共3页
在CCD芯片制作中,出现金属层脱落的现象,通过分析金属层脱落的原因,开展工艺验证实验,采取相应改进措施,成功解决了金属层脱落的问题,使得金属层制备的工艺集成能力和芯片成品率得到了显著提升。
关键词
集成电路制造
失效分析
金属层脱落
CCD
下载PDF
职称材料
题名
CCD芯片金属层脱落失效分析与改进措施
1
作者
刘方
孙晨
张故万
机构
重庆光电技术研究所固体图像传感器事业部
出处
《集成电路应用》
2021年第8期20-22,共3页
文摘
在CCD芯片制作中,出现金属层脱落的现象,通过分析金属层脱落的原因,开展工艺验证实验,采取相应改进措施,成功解决了金属层脱落的问题,使得金属层制备的工艺集成能力和芯片成品率得到了显著提升。
关键词
集成电路制造
失效分析
金属层脱落
CCD
Keywords
integrated circuit manufacturing
failure analysis
metal layer liftoff
CCD
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
CCD芯片金属层脱落失效分析与改进措施
刘方
孙晨
张故万
《集成电路应用》
2021
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