一种32MHz低温漂高精度张弛型振荡器的设计

阐述基于0.18μmCMOS工艺设计的一种低温漂张弛型振荡器。该张弛型振荡器在使用平均周期反馈控制的基础上采用金属薄膜电阻和金属-绝缘体-金属电容作为振荡单元,可以实现温度从-40~125℃变化时1%的频率漂移。

薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材

在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。

薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材

在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。