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MO-PECVD SnO_(2-x)气敏薄膜
被引量:
1
1
作者
李支文
冯蕴道
+1 位作者
崔宇平
沈瑜生
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1993年第2期123-128,共6页
以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普...
以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。
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关键词
半导体材料
气敏薄膜
气相淀积
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职称材料
题名
MO-PECVD SnO_(2-x)气敏薄膜
被引量:
1
1
作者
李支文
冯蕴道
崔宇平
沈瑜生
机构
中国科学技术大学
上海轻工业专科学校
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1993年第2期123-128,共6页
基金
国家自然科学基金项目
文摘
以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。
关键词
半导体材料
气敏薄膜
气相淀积
Keywords
metallorganic compound
,
pecvd
(
plasma
enhanced
chemical
vapor
deposition
)
sno
_(2
-x
),
gas-sensing or gas sensor
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MO-PECVD SnO_(2-x)气敏薄膜
李支文
冯蕴道
崔宇平
沈瑜生
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1993
1
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