PCB微盲孔电镀铜填平影响因素研究

为满足含微盲孔的高密度互连印制电路板高可靠性的要求,提出了微盲孔电镀铜填平的互连工艺技术。通过对微盲孔电镀铜填平工艺影响因素的分析,主要研究了电镀铜添加剂对微盲孔电镀铜填平的影响,运用了正交试验的分析方法,得到了各添加剂的最佳浓度范围,并验证了其可行性,从而使微盲孔获得了很好的填充效果。

CO_2激光钻挠性板盲孔工艺参数的优化

选用有胶双面挠性板,通过减铜棕化工艺对板面进行处理。并运用正交试验法对影响盲孔质量的激光能量、光束直径、脉冲宽度和脉冲次数等因素进行优化,用L9(34)的正交表安排4因素3水平的试验。以盲孔真圆度和上下孔径之比作为试验指标,优化出了不同指标下的最佳参数值。并通过极差分析法得出影响盲孔质量的参数主次。通过应用被优化得到的两组参数进行再次试验后得到,当激光能量为14.2 mj,光束直径为2.2 mm,脉冲宽度为2 s时,脉冲次数为3时所得盲孔品质最优。

HDI刚挠结合板微埋盲孔研究进展

随着电子产品的小型化、轻量化、薄型化的发展,PCB更多的开始选用微埋盲孔结构。本文概述了国内外HDI刚挠结合板微埋盲孔制作的最新研究成果,主要包括微埋盲孔钻孔工艺、去钻污工艺以及孔金属化研究等。重点介绍了激光钻孔技术、微孔填铜技术的发展及应用,并提出了今后的研究方向。

脉冲电镀在微盲孔填孔上的应用

电子产品的轻薄短小的发展趋势要求印制线路板的布线密度越来越高,这就使得板上的孔(包括通孔、埋孔和盲孔)径必须越来越小。在导通盲孔上直接叠孔的结构是实现最高布线密度的有效方法之一。作者通过水平脉冲电镀进行了微盲孔填孔电镀实验,在最佳的工艺条件下,在厚径比达到1.4:1的情况下仍然获得了良好的填孔效果,并对影响微盲孔填孔能力的一些因素进行了初步的探讨。

采用盲孔填充技术制备金属微电极阵列

针对目前MEMS工艺里由于微电铸铸层内应力导致的金属微结构与基底容易脱离的问题和不足,提出一种借助盲孔填充技术制备微电极阵列的方法。选择KMPR作为胶模材料,首先通过UV-LIGA工艺制备出180μm厚的阵列孔缝胶模结构,然后在胶模表面溅射Cu种子层,优化电铸工艺参数:电铸前采用真空润湿的方法排出孔缝内气泡,电铸液中加速剂与抑制剂浓度分别为4×10^(-6)mol/L和24×10^(-6)mol/L,电流密度为1 A/dm^2,在孔缝内电铸铜,并在胶模表面电铸出铜基底,最后获得了高180μm,线宽200μm的两种柱状金属微电极阵列。试验结果表明,盲孔填充技术是一种低成本、安全的制作金属微电极阵列的方法。

HDI印制板二阶微盲填孔的构建研究

随着电子产品向小型化、轻量化及薄型化发展,HDI(High Density Interconnect)印制电路板更多地开始选用二阶及二阶以上微埋盲孔。对HDI二阶微盲孔对位、填铜药水成分及工艺参数等进行研究,得出了填孔过程中各参数的选择原则,并获得了对位精度为50μm,Dimple(下陷)低于10μm的二阶微盲孔HDI印制板。HDI印制板按照IPC—TM—650标准进行可靠性测试,结果显示产品各项指标合格,并达到了国际IPC—6016标准。

单纯型优化法在CO_2激光钻盲孔工艺参数中的应用研究

文章应用单纯型法,对CO2激光制作孔径为100μm的盲孔参数进行优化。以盲孔的真圆度和上下孔径比为优化目标函数,经优化过程获得最佳工艺参数,并对最佳工艺参数进行实验验证。根据水平效应关系对影响CO2激光钻孔的因素进行效应分析,从而确定因素之间的主次关系。结果表明,最佳工艺参数为:脉宽13.8 s,脉冲能量14.8 mJ,脉冲次数2,光圈(Mask)2.2 mm,所得盲孔孔型最好,真圆度达到99.32%,上下孔径比为82.36%。对真圆度影响的主次关系是:脉冲能量>脉冲宽度>脉冲次数>Mask;对上下孔径比影响的主次关系是:Mask>脉冲能量>脉冲宽度>脉冲次数。该方法得到的最佳工艺参数能够为实际生产提供参考。

系统级封装深盲孔化学镀铜的研究

作为超越摩尔定律发展起来的技术,系统级封装(SIP)由于务实地满足市场的需求而越来越受到重视。文章通过优化化学镀铜工艺和配方,成功实现在高深径比的系统级封装微盲孔(深径比1.5:1~2.0:1,孔径100或150μm)内部镀上连续的种子层铜,并使用我公司的电镀铜镀液通过直流电镀的方法成功填满盲孔。

孔径和内层铜面处理方式对电镀盲孔可靠性影响

在半加成工艺中,内层铜面在贴ABF膜之前需要进行适当的表面处理,以增加铜面和ABF之间的结合力,常用的表面处理方式有棕化和超粗化。在某型号试板制作过程中,发现内层铜面处理方式对盲孔的可靠性有一定的影响,同时,不同孔径的盲孔可靠性也不尽相同。用快速拉脱实验(QVP)等测试方法来研究孔径和内层铜面的处理方式对盲孔可靠性的影响,优选出一种合适的内层铜面处理方式,同时探索这两种影响因素的作用机理。

封装基板微盲孔成孔技术

随着消费电子朝着智能化、轻薄化、高频化的方向发展,封装载板上孔的密度和数量逐步提高,技术难度和生产成本也在激增,微盲孔的成孔要求越来越严格。针对上述问题,介绍微盲孔制备技术,包括激光成孔技术的原理、优势和应用,等离子成孔以及光致成孔技术。

浅谈微盲孔电镀锡工艺控制

文章主要就普通垂直电镀设备下0．15mm的微盲孔电锡蚀刻保护工艺进行阐述,详细讲述了该工艺条件下的工艺参数控制。

基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究

针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的TSV结构。使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测机和扫描电子显微镜(SEM)分别观察了TSV结构内部的缺陷分布和填充情况。测试结果证明,TSV样品导电性能良好,电阻值约为1.79×10^(-3)Ω,孔内完全填充,没有空洞。该研究为实现MEMS的小型化封装提供了一种解决方法。

采用短脉冲激光进行微盲孔加工研究

研究激光孔加工的目的是为了寻找高密度互连印制电路板微盲孔加工的先进工艺。短脉冲激光钻机具有比现有长脉冲激光钻机更高更集中的能量,它们是微盲孔加工技术发展的一个候选者。若采用此类激光钻孔方式,玻璃纤维及树脂等很容易被短脉冲激光去除,也就更有利于微盲孔加工技术提高。

印制电路板中微埋盲孔的研究进展

概述了国内外微埋盲孔制作的最新研究成果,主要包括微埋盲孔钻孔工艺、去钻污工艺以及孔金属化研究等;重点介绍了激光钻孔技术、微孔填铜技术的发展及应用;并提出了今后的研究方向。