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质子与金属布线层核反应对微纳级静态随机存储器单粒子效应的影响分析 被引量:6
1
作者 赵雯 郭晓强 +4 位作者 陈伟 邱孟通 罗尹虹 王忠明 郭红霞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期391-397,共7页
金属布线层对微纳级静态随机存储器(static random access memory,SRAM)质子单粒子效应敏感性的影响值得关注.利用Geant4针对不同能量(30 MeV,100 MeV,200 MeV和500 MeV)的质子与微纳级SRAM器件的核反应过程开展计算,研究了核反应次级... 金属布线层对微纳级静态随机存储器(static random access memory,SRAM)质子单粒子效应敏感性的影响值得关注.利用Geant4针对不同能量(30 MeV,100 MeV,200 MeV和500 MeV)的质子与微纳级SRAM器件的核反应过程开展计算,研究了核反应次级粒子的种类、线性能量传输值(linear energy transfer,LET)及射程情况,尤其对高LET值的核反应次级粒子及其射程开展了详细分析.研究表明,金属布线层的存在和质子能量的增大为原子序数大于或等于30的重核次级粒子的产生创造了条件,器件体硅区中原子序数大于60的重核离子来源于质子与钨材料的核反应,核反应过程中的特殊作用机理会生成原子序数在30至50之间的次级粒子,且质子能量的增大有助于这种作用机理的发生,原子序数在30至50之间的次级粒子在器件体硅区的LET值最大约为37 MeV·cm^2/mg,相应射程可达到几微米,对于阱深在微米量级的微纳级SRAM器件而言,有引发单粒子闩锁的可能.研究结果为空间辐射环境中宇航器件的质子单粒子效应研究提供理论支撑. 展开更多
关键词 质子 核反应 微纳级静态随机存储器 单粒子效应
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单粒子翻转二维成像技术 被引量:5
2
作者 史淑廷 郭刚 +6 位作者 王鼎 刘建成 惠宁 沈东军 高丽娟 苏秀娣 陆虹 《信息与电子工程》 2012年第5期608-612,共5页
为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的... 为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。 展开更多
关键词 单粒子翻转成像 重离子微束 随机静态存储器
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65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究 被引量:2
3
作者 李丽丽 汪栋 +6 位作者 刘夏杰 吕永红 李坤锋 蔡莉 史淑廷 惠宁 郭刚 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1326-1334,共9页
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行... 利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。 展开更多
关键词 多位翻转 静态随机存储器 双阱 电荷共享 重离子 微束实验
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纳米工艺SRAM单元的尺寸效应研究与优化 被引量:1
4
作者 王庆珍 陆戴 +2 位作者 马中华 于平平 姜岩峰 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第4期583-587,592,共6页
集成电路工艺尺寸减小至纳米级时,尺寸效应的出现会导致SRAM读写可靠性下降。针对传统六管SRAM单元,采用蝶形曲线法对尺寸效应进行了分析,对不同工艺尺寸(90 nm^7 nm)的静态噪声容限进行了研究。分析了漏极致势垒降低效应、反向短沟道... 集成电路工艺尺寸减小至纳米级时,尺寸效应的出现会导致SRAM读写可靠性下降。针对传统六管SRAM单元,采用蝶形曲线法对尺寸效应进行了分析,对不同工艺尺寸(90 nm^7 nm)的静态噪声容限进行了研究。分析了漏极致势垒降低效应、反向短沟道效应、正/负偏压温度不稳定性效应等物理效应,据此拟合出一个静态噪声容限经验公式。最后,对SRAM单元尺寸效应进行了优化,提高了SRAM单元的稳定性。 展开更多
关键词 尺寸效应 蝶形曲线 静态噪声容限 SRAM单元
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侧墙技术在相变存储器中的应用
5
作者 付英春 王晓峰 +4 位作者 张加勇 徐晓娜 马慧莉 季安 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第5期328-335,共8页
从相变存储器(phase change random access memory,PCRAM)的基本结构和工作原理出发,首先介绍了PCRAM的技术优势、面临的技术挑战、常用的解决策略以及存在的相应问题;接着阐述了在微电子加工中广泛应用的关键工艺——侧墙技术,并将其在... 从相变存储器(phase change random access memory,PCRAM)的基本结构和工作原理出发,首先介绍了PCRAM的技术优势、面临的技术挑战、常用的解决策略以及存在的相应问题;接着阐述了在微电子加工中广泛应用的关键工艺——侧墙技术,并将其在PCRAM中的应用成果进行了分类;然后从加热电极的制备、相变材料限制结构的制备、新相变材料的制备与表征和器件间互联等4个方面展开叙述;最后展望了该技术在相变存储领域应用发展的趋势。侧墙技术因其具备自对准的特点,制备工艺可控性好,制备精度不依赖于光刻精度,在纳米技术飞速发展的今天,侧墙技术将会在更高精度上发挥其作用。 展开更多
关键词 侧墙 相变存储器(PCRAM) 纳米技术 Ge2Sb2Te5 微纳加工
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