期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
微型阵列束闸设计与实验
1
作者
张利新
孙博彤
+3 位作者
刘星云
殷伯华
刘俊标
韩立
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第13期2061-2069,共9页
微型阵列束闸是多束电子束曝光系统的关键部件,用于控制多束电子束的开/关,实现复杂图形的快速曝光。对3×3微型阵列束闸进行了设计与制作,并进行了多束电子束偏转实验研究。对阵列束闸结构进行了优化设计,并基于MEMS加工工艺成功...
微型阵列束闸是多束电子束曝光系统的关键部件,用于控制多束电子束的开/关,实现复杂图形的快速曝光。对3×3微型阵列束闸进行了设计与制作,并进行了多束电子束偏转实验研究。对阵列束闸结构进行了优化设计,并基于MEMS加工工艺成功制备了阵列束闸。针对阵列束闸的控制要求,设计了可单独控制的阵列束闸控制器。将控制器与阵列束闸进行连接,验证了控制器的偏转速度与功能完整性。最后,在多束电子束测试平台对阵列束闸进行了偏转实验,研究串扰对电子束偏转的影响。实验结果表明:阵列束闸控制器的偏转速度达到43.5 MHz,大于设计值10 MHz;阵列束闸成功实现了单独控制电子束开和关,束闸的偏转距离在25~30μm之间,小于计算值43.29μm;串扰程度均小于3%。该阵列束闸已经具备多束电子束开/关控制功能,但在偏转精度,设计和加工工艺等方面还需进一步优化和完善。
展开更多
关键词
电子束曝光
阵列束闸
多束电子束
串扰
偏转速度
下载PDF
职称材料
微型阵列束闸电子束偏转特性研究
被引量:
1
2
作者
张雨露
张利新
+3 位作者
刘俊标
王文博
殷伯华
韩立
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期171-179,共9页
为了降低微型阵列式束闸边缘场和邻近电场对多束电子束的偏转影响和串扰,本文以3×3阵列束闸为研究对象,利用COMSOL Multiphysics中的静电和带电粒子追踪模块,研究束闸长宽比、隔离接地极和束闸上方增加接地层对电子束偏转的影响。...
为了降低微型阵列式束闸边缘场和邻近电场对多束电子束的偏转影响和串扰,本文以3×3阵列束闸为研究对象,利用COMSOL Multiphysics中的静电和带电粒子追踪模块,研究束闸长宽比、隔离接地极和束闸上方增加接地层对电子束偏转的影响。研究表明,在长宽比不变的情况下,边缘场对电子束偏转的影响在总偏转量中的占比与偏转电压无关;而偏转极板的长宽比越大越有利于精确控制电子束的偏转;通过优化隔离接地电极结构与参数,可减小束闸之间的串扰引起的束斑模糊问题。为了减小边缘场和邻近电场对电子束偏转的影响,本研究分析得出,如果束闸上方接地层的作用范围小于100μm,可在一定程度上抑制串扰的影响。同时,分析表明将接地层上圆孔改为方孔后,也在一定程度上减小了不平衡电场带来的影响。
展开更多
关键词
多束电子光学
微型阵列束闸
边缘场
串扰
带电粒子追踪
下载PDF
职称材料
基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计
被引量:
2
3
作者
刘俊标
方光荣
+3 位作者
靳鹏云
薛虹
张福安
顾文琪
《电子工业专用设备》
2008年第10期10-13,共4页
基于扫描电镜(SEM)的纳米级电子束曝光系统能够以较低成本满足科研单位对纳米加工设备的需求。在电子束曝光系统中,需要快速束闸控制电子束通断以实现纳米图像的多场曝光。从安装位置、机械结构和驱动器等方面讨论快速束闸的设计。
关键词
电子束曝光
束闸
扫描电子显微镜
图形发生器
下载PDF
职称材料
题名
微型阵列束闸设计与实验
1
作者
张利新
孙博彤
刘星云
殷伯华
刘俊标
韩立
机构
中国科学院电工研究所微纳加工技术与智能电气设备研究部
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第13期2061-2069,共9页
基金
国家自然科学青年基金资助项目(No.62101528)
中国科学院科研仪器设备研制项目(No.GJJ⁃STD20200003)。
文摘
微型阵列束闸是多束电子束曝光系统的关键部件,用于控制多束电子束的开/关,实现复杂图形的快速曝光。对3×3微型阵列束闸进行了设计与制作,并进行了多束电子束偏转实验研究。对阵列束闸结构进行了优化设计,并基于MEMS加工工艺成功制备了阵列束闸。针对阵列束闸的控制要求,设计了可单独控制的阵列束闸控制器。将控制器与阵列束闸进行连接,验证了控制器的偏转速度与功能完整性。最后,在多束电子束测试平台对阵列束闸进行了偏转实验,研究串扰对电子束偏转的影响。实验结果表明:阵列束闸控制器的偏转速度达到43.5 MHz,大于设计值10 MHz;阵列束闸成功实现了单独控制电子束开和关,束闸的偏转距离在25~30μm之间,小于计算值43.29μm;串扰程度均小于3%。该阵列束闸已经具备多束电子束开/关控制功能,但在偏转精度,设计和加工工艺等方面还需进一步优化和完善。
关键词
电子束曝光
阵列束闸
多束电子束
串扰
偏转速度
Keywords
electron
beam
lithography
arrayed
beam
blanker
multi-
beam
electron
beam
crosstalk
de⁃flection speed
分类号
TN16 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
微型阵列束闸电子束偏转特性研究
被引量:
1
2
作者
张雨露
张利新
刘俊标
王文博
殷伯华
韩立
机构
中国科学院电工研究所
中国科学院大学
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期171-179,共9页
基金
国家自然科学青年基金资助项目(No.62101528)
中国科学院科研仪器设备研制项目(No.GJJSTD20200003)
中国科学院特别研究助理资助项目。
文摘
为了降低微型阵列式束闸边缘场和邻近电场对多束电子束的偏转影响和串扰,本文以3×3阵列束闸为研究对象,利用COMSOL Multiphysics中的静电和带电粒子追踪模块,研究束闸长宽比、隔离接地极和束闸上方增加接地层对电子束偏转的影响。研究表明,在长宽比不变的情况下,边缘场对电子束偏转的影响在总偏转量中的占比与偏转电压无关;而偏转极板的长宽比越大越有利于精确控制电子束的偏转;通过优化隔离接地电极结构与参数,可减小束闸之间的串扰引起的束斑模糊问题。为了减小边缘场和邻近电场对电子束偏转的影响,本研究分析得出,如果束闸上方接地层的作用范围小于100μm,可在一定程度上抑制串扰的影响。同时,分析表明将接地层上圆孔改为方孔后,也在一定程度上减小了不平衡电场带来的影响。
关键词
多束电子光学
微型阵列束闸
边缘场
串扰
带电粒子追踪
Keywords
multi-
beam
electron optics
micro-arrayed beam blanker
fringing field
crosstalk
charged particle tracing
分类号
TN14 [电子电信—物理电子学]
TN16 [电子电信—物理电子学]
O463 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计
被引量:
2
3
作者
刘俊标
方光荣
靳鹏云
薛虹
张福安
顾文琪
机构
中国科学院电工研究所
出处
《电子工业专用设备》
2008年第10期10-13,共4页
文摘
基于扫描电镜(SEM)的纳米级电子束曝光系统能够以较低成本满足科研单位对纳米加工设备的需求。在电子束曝光系统中,需要快速束闸控制电子束通断以实现纳米图像的多场曝光。从安装位置、机械结构和驱动器等方面讨论快速束闸的设计。
关键词
电子束曝光
束闸
扫描电子显微镜
图形发生器
Keywords
E-
beam
lithography
beam
blanker
scanning electron microscope(SEM)
pattern generator
分类号
TN305.9 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微型阵列束闸设计与实验
张利新
孙博彤
刘星云
殷伯华
刘俊标
韩立
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
微型阵列束闸电子束偏转特性研究
张雨露
张利新
刘俊标
王文博
殷伯华
韩立
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023
1
下载PDF
职称材料
3
基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计
刘俊标
方光荣
靳鹏云
薛虹
张福安
顾文琪
《电子工业专用设备》
2008
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部