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Localized CO_2 laser bonding process for MEMS packaging 被引量:4
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作者 SUN Li A. P. MALSHE +1 位作者 S. CUNNINGHAM A. MORRIS 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2006年第B02期577-581,共5页
The packaging poses a critical challenge for commercialization of MEMS products. Major problems with the packaging process include degraded reliability caused by the excess stress due to thermal mismatch and altered p... The packaging poses a critical challenge for commercialization of MEMS products. Major problems with the packaging process include degraded reliability caused by the excess stress due to thermal mismatch and altered performance of the MEMS device after packaging caused by thermal exposure. The localized laser bonding technique for ceramic MEMS packaging to address above-mentioned challenges was investigated. A continuous wave CO2 laser was used to locally heat sealing material for ceramic MEMS package lid to substrate bonding. To determine the laser power density and scanning speed, finite element analysis thermal models were constructed to simulate the localized laser bonding process. Further, the effect of external pressure at sealing ring on the bonding formation was studied. Pull testing results show that the scanning speed and external pressure have significant influence on the pull strength at the bonding interface. Cross-sectional microscopy of the bonding interface indicates that the packages bonded with relatively low scanning speed and external pressure conditions have higher bonding quality. This research demonstrates the potential of localized laser bonding process for ceramic MEMS packaging. 展开更多
关键词 微电子机械系统 mems 封装 局部激光焊接过程 有限元分析
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一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器
2
作者 孙俊峰 姜理利 +4 位作者 刘水平 郁元卫 朱健 黎明 陈章余 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第4期353-358,共6页
设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触... 设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。 展开更多
关键词 数控衰减器 晶圆级封装 RF mems mems开关
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MEMS封装中全Cu_(3)Sn焊点组织演变及剪切性能
3
作者 梁晓波 黄漫国 +3 位作者 刘德峰 高云端 李欣 张鹏斐 《测控技术》 2023年第1期40-44,50,共6页
对Cu/Sn+Sn/Cu结构进行了低温键合,在不同的键合时间下制备焊点,分析了键合时间对焊点界面组织演变的影响和全Cu_(3)Sn焊点制备过程中界面反应机理,对焊点的剪切性能进行了分析和研究。结果表明,随着键合时间的增加,Cu_(6)Sn_(5)逐渐变... 对Cu/Sn+Sn/Cu结构进行了低温键合,在不同的键合时间下制备焊点,分析了键合时间对焊点界面组织演变的影响和全Cu_(3)Sn焊点制备过程中界面反应机理,对焊点的剪切性能进行了分析和研究。结果表明,随着键合时间的增加,Cu_(6)Sn_(5)逐渐变成扇贝状并不断长大。键合时间达到90 min时,Sn完全被消耗,继续增加键合时间,Cu_(3)Sn以Cu_(6)Sn_(5)的消耗为代价不断长大,最终全部转变成Cu_(3)Sn。随着加载速率的增加,全Cu3Sn焊点的抗剪切强度值逐渐减小,焊点界面两侧Cu3Sn界面处沿晶断裂占焊点断裂模式的比例越来越大,因为这种沿晶断裂的抗剪切能力较小,所以焊点的抗剪切强度随着加载速率的增加而下降。 展开更多
关键词 mems封装 全Cu_(3)Sn焊点 组织演变 剪切性能
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基于SOI-SOG键合的圆片级真空封装MEMS电场传感器 被引量:1
4
作者 刘俊 夏善红 +7 位作者 彭春荣 储昭志 雷虎成 刘向明 张洲威 张巍 彭思敏 高雅浩 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期2517-2525,共9页
圆片级真空封装是提高微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)电场传感器品质因数及批量化制造效率的重要途径.本文提出了一种基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)-玻璃体上硅(Silicon On Glass,SOG)键合的圆片... 圆片级真空封装是提高微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)电场传感器品质因数及批量化制造效率的重要途径.本文提出了一种基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)-玻璃体上硅(Silicon On Glass,SOG)键合的圆片级真空封装MEMS电场传感器,设计并实现了从传感器敏感结构制备到真空封装的整套圆片级加工工艺.本文建立了传感器的结构电容模型,进行了有限元仿真,分析了传感器的特性,突破了传感器微结构制备与释放、SOI与SOG键合等工艺技术难点.该传感器具有工作电压低、品质因数高的突出优点.实验结果表明,工作电压仅为5 V直流与0.05 V交流电压.在60天测试过程中,传感器品质因数始终保持在5000以上.在0~50 kV/m范围内,传感器灵敏度为0.15 mV/(kV/m),线性度为2.21%,不确定度为4.74%. 展开更多
关键词 mems 电场传感器 圆片级真空封装 模型 制备
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芯片粘接对MEMS加速度计性能影响分析
5
作者 王伟忠 刘聪聪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第8期1282-1287,共6页
研究了一种针对微电子机械系统(MEMS)变电容间隙式加速度计芯片粘接应力对零位输出影响的分析方法。通过建立加速度计的数学解析模型,从理论上推导出了电容变化量与间隙变化量的关系式。然后对影响间隙变化量的粘接应力进行了分析,得到... 研究了一种针对微电子机械系统(MEMS)变电容间隙式加速度计芯片粘接应力对零位输出影响的分析方法。通过建立加速度计的数学解析模型,从理论上推导出了电容变化量与间隙变化量的关系式。然后对影响间隙变化量的粘接应力进行了分析,得到了影响粘接应力的因素,并选取关键影响因素(粘结胶点直径)进行仿真分析。为了验证降低加速度计零位输出随温度变化的改进思路,分别装配了0.9 mm直径胶点和1.5 mm直径胶点粘接的加速度计进行了实验。实验结果表明,改进封装方案有效,采用直径0.9 mm胶点方案使零位输出变化量降低了75%。 展开更多
关键词 微电子机械系统(mems) 加速度计 封装 芯片粘接 变电容
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集成ASIC补偿电路的高温动态MEMS压力传感器
6
作者 胡英杰 王伟忠 +3 位作者 杨拥军 卞玉民 李旭浩 王晗 《现代制造技术与装备》 2023年第8期27-30,共4页
随着工业技术的进步,高温高动态压力传感器的应用需求显著增加。提出一种集成专用补偿电路的高动态硅压阻式微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)压力传感器,进行压力敏感芯片的结构设计和加工工艺设计,并对压力传感... 随着工业技术的进步,高温高动态压力传感器的应用需求显著增加。提出一种集成专用补偿电路的高动态硅压阻式微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)压力传感器,进行压力敏感芯片的结构设计和加工工艺设计,并对压力传感器进行封装和温度补偿电路设计。多层绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)材料能够使传感器在高温环境下正常工作。无引线的封装方式可有效提升传感器的频响性能。传感器后端集成了桥阻式专用集成电路(Application Specific Integrated Circuits,ASIC),能够显著减小传感器的体积,同时提升传感器整体性能。该MEMS传感器通过自动压力测试系统进行性能试验,结果表明MEMS压力传感器经过补偿后能够实现较高的线性度、稳定的零点输出特性以及理想的动态输出特性。 展开更多
关键词 专用集成电路(ASIC) 微电子机械系统(mems)技术 压力传感器 温度补偿 集成封装
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Comprehensive Warpage Analysis of Stacked Die MEMS Package in Accelerometer Application
7
作者 Xue-ren Zhang Tong Yan Tee Jing-en Luan 《电子与封装》 2006年第2期10-15,4,共7页
Packaging of MEMS ( micro-electro-mechanical system ) devices poses more challenges than conventional IC packaging, since the performance of the MEMS devices is highly dependent on packaging processes. A Land Grid Arr... Packaging of MEMS ( micro-electro-mechanical system ) devices poses more challenges than conventional IC packaging, since the performance of the MEMS devices is highly dependent on packaging processes. A Land Grid Array ( LGA ) package is introduced for MEMS technology based linear multi-axis accelerometers. Finite element modeling is conducted to simulate the warpage behavior of the LGA packages. A method to correlate the package warpage to matrix block warpage has been developed. Warpage for both package and sensor substrate are obtained. Warpage predicted by simulation correlates very well with experimental measurements. Based on this validated method, detailed design analysis with different package geometrical variations are carried out to optimize the package design. With the optimized package structure, the packaging effect on accelerometer signal performance is well controlled. 展开更多
关键词 热变形分析 mems封装 加速计 微电子技术
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MEMS陀螺仪器件级真空封装技术 被引量:24
8
作者 施芹 苏岩 +1 位作者 裘安萍 朱欣华 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1987-1992,共6页
为进一步提高MEMS陀螺仪的品质因数及其稳定性,研究了MEMS陀螺仪器件级真空封装的高真空获取技术和真空保持技术。以Z轴MEMS陀螺仪动力学方程为基础,分析了MEMS陀螺仪的误差信号与品质因数之间的关系,并采用稀薄气体动力学分析具有高品... 为进一步提高MEMS陀螺仪的品质因数及其稳定性,研究了MEMS陀螺仪器件级真空封装的高真空获取技术和真空保持技术。以Z轴MEMS陀螺仪动力学方程为基础,分析了MEMS陀螺仪的误差信号与品质因数之间的关系,并采用稀薄气体动力学分析具有高品质因数陀螺仪的空气阻尼。对早期真空封装陀螺仪品质因数的变化曲线进行了分析,得出了腔体内残余气体是品质因数下降的主要原因。采用程序升温脱附质谱分析法(TPD-MS)分析陶瓷管壳和金属盖板的放气特性,并选用了合适的吸气剂。最后,改进了器件级真空封装流程。测试结果表明,采用改进的器件级真空封装的陀螺仪品质因数最高可达162660,约为早期真空封装陀螺仪品质因数的14倍,且在一年内的变化<0.05%。 展开更多
关键词 mems陀螺仪 真空封装 真空保持度 吸气剂
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MEMS封装技术研究进展 被引量:8
9
作者 李金 郑小林 +1 位作者 张文献 陈默 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期26-31,共6页
介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。
关键词 mems 封装技术 多芯片组件 倒装芯片封装 准密封封装
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MEMS封装技术及标准工艺研究 被引量:17
10
作者 关荣锋 汪学方 +4 位作者 甘志银 王志勇 刘胜 张鸿海 黄德修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期50-54,65,共6页
分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同... 分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同时也介绍对几种MEMS惯性器件的封装要求及封装方法。 展开更多
关键词 mems封装大才疏 金-硅键合 贴片 引线键合 封帽
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MEMS中的封装技术研究 被引量:6
11
作者 石云波 刘俊 张文栋 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期235-237,共3页
MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。
关键词 mems 封装技术 芯片级封装 半导体工艺 微电子
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谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装 被引量:26
12
作者 陈德勇 曹明威 +2 位作者 王军波 焦海龙 张健 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1235-1242,共8页
为了提高传感器的品质因数,有效保护谐振器,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE),分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底... 为了提高传感器的品质因数,有效保护谐振器,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE),分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底层上制作H型谐振梁与压力敏感膜;然后,通过氢氟酸缓冲液腐蚀SOI晶圆的二氧化硅层释放可动结构。最后,利用精密机械加工技术在Pyrex玻璃圆片上制作空腔和电连接通孔,通过硅-玻璃阳极键合实现谐振梁的圆片级真空封装和电连接,成功地将谐振器封装在真空参考腔中。对传感器的性能测试表明:该真空封装方案简单有效,封装气密性良好;传感器在10kPa^110kPa的差分检测灵敏度约为10.66 Hz/hPa,线性相关系数为0.99999 542。 展开更多
关键词 微电子机械系统 谐振式压力传感器 绝缘体上硅(SOI) 阳极键合 真空封装
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MEMS惯性器件敏感电容结构相关温度漂移特性仿真(英文) 被引量:9
13
作者 胡启方 邢朝洋 刘国文 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第3期370-377,共8页
基于MEMS器件的微型惯导系统的精度和MEMS惯性器件的全温稳定性具有很高的相关性。MEMS结构相关的温度漂移主要来自材料之间的热失配应力,工艺引入的应力,以及封装应力等。而相关应力在MEMS结构中的分布以及所造成的应变又和MEMS结构具... 基于MEMS器件的微型惯导系统的精度和MEMS惯性器件的全温稳定性具有很高的相关性。MEMS结构相关的温度漂移主要来自材料之间的热失配应力,工艺引入的应力,以及封装应力等。而相关应力在MEMS结构中的分布以及所造成的应变又和MEMS结构具有一定相关性。通过ANSYS有限元分析软件建立了多种MEMS惯性器件常用梁-质量块结构的FEM模型,具体包括悬臂梁结构、双端固支梁结构、L形梁结构、对角支撑梁结构。通过热-力耦合仿真,研究了热失配应力在上述结构中的分布以及所产生的结构变形。对比分析了不同芯片粘胶形式,包括中心粘胶、三点粘胶、整片粘胶对上述MEMS结构引入的封装应力以及其全温(-40℃~60℃)温度漂移特性。此外,还分析研究了不同衬底厚度对MEMS结构封装应力的隔离效果。 展开更多
关键词 mems 惯性器件 温度漂移 封装应力
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塑料超声波焊接及其用于聚合物MEMS器件键合的研究进展 被引量:12
14
作者 张宗波 罗怡 +1 位作者 王晓东 王立鼎 《焊接》 北大核心 2008年第8期9-15,共7页
为了解决当前聚合物MEMS器件键合技术中存在的问题,将塑料超声波焊接技术引入聚合物微器件键合领域,从而形成了一种新的MEMS键合工艺——超声波键合。目前广泛应用于聚合物加工的塑料超声波焊接技术具有不需要焊剂和外部热源、对焊件破... 为了解决当前聚合物MEMS器件键合技术中存在的问题,将塑料超声波焊接技术引入聚合物微器件键合领域,从而形成了一种新的MEMS键合工艺——超声波键合。目前广泛应用于聚合物加工的塑料超声波焊接技术具有不需要焊剂和外部热源、对焊件破坏轻、焊接时间短、焊接影响区域小等优点,超声波聚合物MEMS器件键合是塑料超声波焊接技术从宏观器件到微观器件的一次应用范围上的拓宽。简述了塑料超声波焊接和MEMS器件超声波键合技术的国内外研究发展现状。采用MEMS加工工艺制作了带有键合接头的PMMA微流控芯片,并利用超声波塑料焊接机实现了高强度密封键合试验。然而,与宏观器件的焊接相比超声波MEMS键合存在着因结构微型化而产生的特殊技术问题,文章对这些问题进行了讨论。 展开更多
关键词 塑料超声波焊接 超声波键合 微流控芯片 聚合物微器件
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MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究 被引量:8
15
作者 张东梅 丁桂甫 +2 位作者 汪红 姜政 姚锦元 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2006年第1期82-84,共3页
介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种... 介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金分布均匀、无缝隙、气泡等脱焊区,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。 展开更多
关键词 微机电系统 气密性封装 共晶键合 低温封装
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MEMS圆片级气密封装微加热器阵列的设计和工艺研究 被引量:2
16
作者 陈四海 陈明祥 +5 位作者 易新建 刘胜 张鸿海 黄竹邻 汪学芳 王志勇 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期249-250,共2页
设计了 5 0 0× 5 0 0个微加热器阵列 ,加热线条宽度分别为 5 μm ,7μm ,9μm。采用离子束溅射、光刻、湿法腐蚀等工艺 ,在Si衬底上制作了微加热器 ,加热层材料为Ni/Cr ,Au ,厚度分别为4 0 0nm ,2 0 0nm。采用直流电源对加热器进... 设计了 5 0 0× 5 0 0个微加热器阵列 ,加热线条宽度分别为 5 μm ,7μm ,9μm。采用离子束溅射、光刻、湿法腐蚀等工艺 ,在Si衬底上制作了微加热器 ,加热层材料为Ni/Cr ,Au ,厚度分别为4 0 0nm ,2 0 0nm。采用直流电源对加热器进行供电 ,在红外热像仪下观察 ,随着电压、电流的增加 ,加热区温度上升很明显。测试结果表明 ,该加热器可以用于 (MEMS) 展开更多
关键词 mems 圆片级气密封装 微加热器 微电子封装
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MEMS器件真空封装用非蒸散型吸气剂薄膜研究概述 被引量:11
17
作者 周超 李得天 +2 位作者 周晖 张凯锋 曹生珠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期438-443,共6页
MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易... MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易产生微小颗粒污染。在器件的真空腔室内镀上吸气剂薄膜,吸气剂薄膜在器件高温键合的同时被激活,就可在后期维持真空腔内的真空度。非蒸散型吸气剂薄膜激活后在室温下即具有优异的吸气性能,应用于MEMS器件真空封装可以提高器件的寿命和可靠性。目前,提高非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能,降低其激活温度是国内外研究的焦点。本文简要介绍了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气原理,从膜系材料和制备技术两方面分析了国内外研究现状。在膜材料方面,目前采用ⅣB族+ⅤB族组合的三元合金作为非蒸散型吸气剂薄膜的膜系材料。另外,在材料中掺入Fe、稀土元素等进行薄膜结构的修饰也是较常用的手段。值得指出的是,TiZrV合金薄膜是兼具较好的吸气性能和最低激活温度的非蒸散型吸气剂(NEG)薄膜。在制备技术方面,MEMS器件用非蒸散型吸气剂薄膜一般采用磁控溅射镀膜,磁控溅射镀膜工艺的关键是制备出柱状的纳米晶结构,该结构存在大量的晶界,可促进原子的扩散,降低激活温度。磁控溅射镀膜工艺的研究围绕靶材选择、基片温度、溅射电压、溅射气氛等。探索综合性能更优的新型材料体系和增大薄膜的比表面积仍然是目前非蒸散型吸气剂薄膜研究的关键。本文最后对非蒸散型吸气剂薄膜的研究趋势进行了展望,指出加入调节层的双层膜的激活性能和吸气性能优于单层膜,但调控机理有待明确,今后可以在TiZrV薄膜研究的基础上进一步进行双层薄膜的研究,也可横向拓展进行新型薄膜体系,如ZrCoRE等新型合金薄膜的研究。 展开更多
关键词 mems真空封装 非蒸散型吸气剂薄膜 吸气机理 TiZrV薄膜 磁控溅射
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MEMS技术的研究现状和新进展 被引量:11
18
作者 张帅 贾育秦 《现代制造工程》 CSCD 2005年第9期109-112,共4页
介绍MEMS技术几个主要方面的研究现状和最新进展:MEMS的加工技术、封装技术、检测技术。阐述MEMS技术仍面临的问题。
关键词 mems mems加工技术 mems封装技术 mems检测技术
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MEMS高g加速度传感器封装热应力的研究 被引量:10
19
作者 李平 石云波 +2 位作者 郭涛 刘俊 张晓明 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1695-1699,共5页
封装热应力是导致MEMS器件失效的主要原因之一,本文设计了一种MEMS高g加速度传感器,并仿真研究了传感器在封装过程中的热应力及影响其大小的因素。根据封装工艺,建立设计的高g加速度传感器封装的有限元模型,利用AN-SYS软件仿真传感器在... 封装热应力是导致MEMS器件失效的主要原因之一,本文设计了一种MEMS高g加速度传感器,并仿真研究了传感器在封装过程中的热应力及影响其大小的因素。根据封装工艺,建立设计的高g加速度传感器封装的有限元模型,利用AN-SYS软件仿真传感器在不同的贴片工艺中受到的热应力及影响热应力的因素。结果显示,在封装中,与直接贴片到管壳底部相比,MEMS高g加速度传感器芯片底面键合高硼硅玻璃后再贴片到管壳底部时,封装热应力可从135MPa降低到33MPa;在贴片工艺中,基板的热膨胀系数和贴片胶的弹性模量、热膨胀系数及厚度是影响封装热应力的主要因素;在健合工艺中,基板和键合温度主要影响到热应力的大小。 展开更多
关键词 封装 mems高g加速度传感器 热应力 贴片工艺 热膨胀系数
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焊料键合实现MEMS真空封装的模拟 被引量:2
20
作者 程迎军 蒋玉齐 +1 位作者 许薇 罗乐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1033-1039,共7页
结合典型的焊料键合MEMS真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了封装腔体的真空度与气体吸附和解吸、气体的渗透、材料的蒸气压、气体通过小孔的流动等的数学模型,确定了其数值模拟的算法.通过实验初步验证了模拟结果的准确性,分... 结合典型的焊料键合MEMS真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了封装腔体的真空度与气体吸附和解吸、气体的渗透、材料的蒸气压、气体通过小孔的流动等的数学模型,确定了其数值模拟的算法.通过实验初步验证了模拟结果的准确性,分析了毛细孔尺寸对腔体和烘箱真空度的影响,实现了MEMS器件真空封装工艺的参数化建模与模拟和仿真优化设计. 展开更多
关键词 mems 真空 封装 模拟
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