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高熵(Zr,Hf,Nb,Ta)C微米长方体的制备、吸波性能和抗氧化性研究
被引量:
1
1
作者
李俐
于宏林
+1 位作者
徐文喆
耿欣
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022年第12期4432-4443,共12页
针对高熵碳化物制备困难,本文采用ZrC、HfC、NbC和TaC粉为原料,Ni粉为熔剂,通过低温无压烧结工艺成功制备出三种不同成分的高熵(Zr, Hf, Nb, Ta)C粉体。结果表明,三种粉体均为微米长方体,且暴露(100)晶面。(Zr_(1/4)Hf_(1/4)Nb_(1/4)Ta_...
针对高熵碳化物制备困难,本文采用ZrC、HfC、NbC和TaC粉为原料,Ni粉为熔剂,通过低温无压烧结工艺成功制备出三种不同成分的高熵(Zr, Hf, Nb, Ta)C粉体。结果表明,三种粉体均为微米长方体,且暴露(100)晶面。(Zr_(1/4)Hf_(1/4)Nb_(1/4)Ta_(1/4))C微米长方体因具有高介电常数而展现出优异的吸波性能,在厚度为3.5 mm、频率为6.16 GHz时,最低反射损耗值可达-48.86 dB。高熵(Zr, Hf, Nb, Ta)C微米长方体在800~1 200℃下展示出优异的抗氧化性,且氧化产物均由正交相(Nb_(x)Ta_(1-x))_(2)O_(5)固溶体、单斜相(Zr_(x)Hf_(1-x))O_(2)固溶体和正交相HfO_(2)所组成,与氧化温度和过渡金属的物质的量比无关。Zr、Hf、Nb和Ta的协同作用导致其氧化机制与单组元碳化物截然不同,Hf的存在抑制Nb_(2)O_(5)由正交晶系向单斜晶系转变,还会促使ZrO_(2)在800℃时由四方晶系转变为单斜晶系。此外,Nb和Ta的存在促使HfO_(2)在常压下由单斜晶系转变为四方晶系。
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关键词
高熵碳化物陶瓷
(Zr
Hf
Nb
Ta)C
微米长方体
吸波性能
抗氧化性
下载PDF
职称材料
题名
高熵(Zr,Hf,Nb,Ta)C微米长方体的制备、吸波性能和抗氧化性研究
被引量:
1
1
作者
李俐
于宏林
徐文喆
耿欣
机构
山东硅纳新材料科技有限公司
山东理工大学工程陶瓷研究院
山东工业陶瓷研究设计院有限公司
出处
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022年第12期4432-4443,共12页
文摘
针对高熵碳化物制备困难,本文采用ZrC、HfC、NbC和TaC粉为原料,Ni粉为熔剂,通过低温无压烧结工艺成功制备出三种不同成分的高熵(Zr, Hf, Nb, Ta)C粉体。结果表明,三种粉体均为微米长方体,且暴露(100)晶面。(Zr_(1/4)Hf_(1/4)Nb_(1/4)Ta_(1/4))C微米长方体因具有高介电常数而展现出优异的吸波性能,在厚度为3.5 mm、频率为6.16 GHz时,最低反射损耗值可达-48.86 dB。高熵(Zr, Hf, Nb, Ta)C微米长方体在800~1 200℃下展示出优异的抗氧化性,且氧化产物均由正交相(Nb_(x)Ta_(1-x))_(2)O_(5)固溶体、单斜相(Zr_(x)Hf_(1-x))O_(2)固溶体和正交相HfO_(2)所组成,与氧化温度和过渡金属的物质的量比无关。Zr、Hf、Nb和Ta的协同作用导致其氧化机制与单组元碳化物截然不同,Hf的存在抑制Nb_(2)O_(5)由正交晶系向单斜晶系转变,还会促使ZrO_(2)在800℃时由四方晶系转变为单斜晶系。此外,Nb和Ta的存在促使HfO_(2)在常压下由单斜晶系转变为四方晶系。
关键词
高熵碳化物陶瓷
(Zr
Hf
Nb
Ta)C
微米长方体
吸波性能
抗氧化性
Keywords
high-entropy carbides ceramics
(Zr,Hf,Nb,Ta)C
microcuboid
microwave absorption property
oxidation resistance
分类号
TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高熵(Zr,Hf,Nb,Ta)C微米长方体的制备、吸波性能和抗氧化性研究
李俐
于宏林
徐文喆
耿欣
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022
1
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职称材料
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