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InGaAsP多量子阱微盘激光器 被引量:2
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作者 宁永强 武胜利 +5 位作者 王立军 林久龄 刘云 傅德惠 刘育梅 金亿鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期345-348,共4页
采用湿法化学腐蚀在气源MBEInGaAsP多量子阱材料上制作了微盘型激光器,直径8μm的微盘激光器表现出很好的单模激射特性,阈值泵浦功率为170μW,激射线宽为1.5nm.
关键词 微盘激光器 多量子阱 铟镓砷磷 单模激射特性
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InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究 被引量:5
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作者 章蓓 王若鹏 +4 位作者 丁晓民 杨志坚 戴伦 崔晓明 王舒民 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-256,共4页
利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了InGaAsP单量子阱微盘激光器,并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡,证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用,反映了微盘的微腔特征.
关键词 微盘激光器 半导体激光器 量子阱 异质结 铟镓磷
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