硫增感AgBrI T颗粒乳剂光电子行为研究

利用微波相敏技术,获得了硫增感AgBrIT颗粒乳剂中自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与增感时间的关系,获得了最佳的增感时间、衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度和转移时间数值.

γ－辐照聚（2，6－萘二甲酸乙二酯）的正电子湮没寿命谱及热释电研究

用正电子湮没寿命谱（ＰＡＬＳ）及热释电（ＴＳＣ）方法相结合研究了γ－辐照聚（２，６萘二甲酸乙二酯）（ＰＥＮ）。由ＰＡＬＳ测得随辐照剂量的增加，ＰＥＮ中自由体积减少，这说明分子链堆砌紧密，分子间距离减少。而ＴＳＣ的结果表明，ＰＥＮ中载流子陷阱深度变浅，空穴注入数量增加。这两种实验结果说明分子间距离减小降低了导带的能级，从而使陷阱变浅，空穴注入增加。另外，γ辐照产生的交联与降解引起ＰＥＮ中可运动分子链段数量的变化与ＴＳＣ中初始载流子浓度有很好的相关性，说明热运动引起分子链间距离的变化有利于载流子的链间跃迁。

基于少子寿命测量研究晶硅电子态缺陷

基于瞬态微波光电导少子寿命测试仪和MATLAB编程研究了确定硅片的复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法。利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪,我们测量了硅片的少子寿命及微波光电导瞬态电压信号随时间的变化特性。根据已知的注入水平和相关复合参数,建立少子寿命与复合中心浓度的关系,我们得到硅片中的复合中心浓度。利用瞬态电压信号的时间变化特性与非平衡载流子浓度的时间衰减特性的关系,我们得到非平衡载流子浓度随时间的衰减曲线。结合非平衡载流子时间衰减特性曲线和陷阱模型表达式,利用MATLAB软件进行数值拟合得到了硅片的陷阱中心浓度。

微波相敏技术在光学材料特性研究中的应用

利用微波相敏技术,获得了用硫作不同时间表面处理AgBrI晶体自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与表面处理时间的关系,获得了最佳的表面处理时间为45分钟,有效陷阱深度为0.255～0.265eV。