Ge(313)表面能带结构分析

使用紧束缚最近邻近似下的 sp3s* 模型 ,利用形式散射理论的格林函数方法 ,首次分析了半导体 Ge的(313)高指数表面的表面能带结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (313)表面在二维布里渊区高对称点的波矢分辩的电子态密度和表面投影能带结构 .分析结果表明 :(313)表面在 - 12 e V到 1e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的轨道特性。

GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析

基于 Ga As( 1 1 4 ) A表面的几何结构 ,采用散射理论的格林函数方法 ,首次从理论上计算了 Ga As( 1 1 4 ) A表面的电子结构 ,得到了该表面的投影能带结构 ,并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性 .结果表明 ,在基本带隙中有 4个表面态 ,异极带隙中有 2个表面态 。

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征

在考虑最近邻、次近邻相互作用的SP3 模型基础上 ,采用形式散射理论的格林函数方法计算了Ⅲ -Ⅴ族半导体化合物GaAs、InSb、InAs和GaP的 (311)A表面的电子结构 ,给出了以上半导体材料体能带的表面投影能带结构 ,并给出了GaAs的 (311)A表面的层态密度函数 ,分析了各表面态沿表面布里渊区高对称线的色散特性和 (311)A表面的共同电子结构特征 ,计算结果与实验结果基本一致 .

As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究

文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨。同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究。计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长。

Si(113)表面电子结构的研究

采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.

GaAs高、低密勒指数表面性质的对比研究

对半导体GaAs的高低密勒指数表面的性质进行了比较研究。根据表面的原子排列分别计算了(001)、(114)、(113)、(112)和(111)各晶向的表面悬挂键密度以及表面的多余电子密度,探讨了理想表面和稳定表面的差别以及影响表面稳定性的因素。研究表明低指数表面的稳定性并不优于高指数表面,表面稳定性满足表面电子数目规则优于满足表面悬挂键数目最少原则。

关于FCC和BCC点阵晶面间距计算式的证明

复杂立方点阵晶面间距的计算式只与晶面指数的奇偶性有关。本文从数学上证明了这一规律的正确性和普适性。

关于FCC和BCC点阵晶面间距计算式的证明

复杂立方点阵晶面间距的计算式只与晶面指数的奇偶性有关,本文从数学上证明了这一规律的正确性和普适性。

晶面表征中密勒指数的几何含义

密勒指数,即晶面指数,是晶体学中的重要参数之一。现有教材仅给出了晶面指数的确定过程,未给出其背后的几何含义。本文从空间解析几何和向量代数分析入手,结合晶体点阵性质,给出了密勒指数能够表征晶面特征的原因,以方面学生理解和掌握这方面的教学内容。

高纯铝表面晶面指数对腐蚀孔线长大速度的影响

采用盐酸、硝酸、氢氟酸的混合溶液腐蚀从高纯铝锭上切割出的单晶{100}和{124}表面。统计观察了腐蚀孔的变化过程,回归拟合了腐蚀孔所占面积的变化,并推导了腐蚀孔的线长大速度。结果表明:腐蚀过程中腐蚀孔的线长大速度迅速下降。{124}面的表面能和表面位错应力场均高于{100}面,使点腐蚀初期其腐蚀孔的线长大速度明显大于{100}面。腐蚀后期,{124}面的腐蚀孔必须继续向内部扩展,而{100}面的腐蚀孔则可以只沿表面扩展,因而造成{100}面腐蚀孔的线长大速度大于{124}面。

紧束缚方法计算Ⅲ-V族半导体(311)B表面电子结构

本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311)

实际面间距的简捷计算方法

通过分析结晶学晶胞和固体物理原胞之间的异同点和相互联系，导出了一种计算而间距的简捷方法，该方法有效地综合了二者的优点，即可免去插人平面的麻烦，又可方便直接地求出实际面间距．

晶面标准极射赤面投影图的讨论

以往工作对晶面极射赤面投影原理及投影图阐述甚简[1,2 ] .本文在讨论的基础上 ,运用已知的晶面晶向间夹角[3 ] ,和晶面指数相关规律 。

基于改良Miller金字塔理论的护理本科生临床实习效果评价指标体系的构建

目的构建护理专业本科生临床实习效果评价指标体系,为护理本科生临床实习效果评价提供依据。方法以改良Miller金字塔理论为基础,采用文献分析、半结构式访谈法初步形成护理本科生临床实习效果评价指标体系条目池。2023年4—7月,通过目的抽样法,在护理教育、临床护理教学等领域选取20名专家,经过2轮德尔菲法专家函询,最终形成护理本科学生临床实习效果评价指标体系,并确定各项指标的权重。结果经过2轮函询,问卷有效回收率分别为95.00%(19/20)和100.00%(19/19),专家权威系数为0.86、0.88,肯德尔和谐系数为0.226和0.183(P<0.01)。最终确立了包括5个一级指标、13个二级指标和56个三级指标的护理本科生临床实习效果评价指标体系。结论本研究以改良Miller金字塔理论为基础,构建了具有一定科学性、可靠性和实用性的护理本科生临床实习效果评价指标体系,可为本科护生临床实践评价提供参考依据。

PCOS患者血清核因子-κB、AMH及BMI对IVF-ET妊娠结局影响

目的:探究多囊卵巢综合征(PCOS)患者血清核因子-κB(NF-κB)、抗缪勒氏管激素(AMH)以及体质指数(BMI)对行体外受精-胚胎移植(IVF-ET)治疗后妊娠结局的影响及预测价值。方法:回顾性收集2019年1月-2022年10月在本院初次接受IVF-ET助孕治疗的PCOS患者130例,根据临床妊娠结局分为妊娠组(69例)、未妊娠组(61例)。对比两组一般资料、NF-κB、AMH及BMI水平。采用logistic回归分析、受试者工作特征(ROC)模型分析NF-κB、AMH、BMI对妊娠结局的预测价值。结果:两组年龄、不孕年限、PCOS病程、PCOS家族史、血清性激素及促甲状腺激素(TSH)水平均无差异,两组获卵数以及可利用胚胎数无差异(P>0.05);妊娠组血清NF-κB(510.20±166.53 U/L)、AMH(9.50±3.04 ng/ml)低于未妊娠组(655.40±217.71 U/L、11.27±3.71 ng/ml),患者BMI≥24 kg/m2占比(26.1%)低于未妊娠组(50.8%)(均P<0.05)。logistic回归分析显示,血清NF-κB、AMH、BMI水平升高均为影响IVF-ET妊娠结局因素;ROC分析显示,NF-κB、AMH预测妊娠结局的截断值分别为55.846U/L、11.080ng/ml,敏感度分别为56.5%、79.7%,特异度分别为75.4%、54.1%,曲线下面积(AUC)=0.694、0.697;BMII≥24kg/m2预测妊娠结局的敏感度、特异性分别为73.9%、50.8%,AUC为0.624;3指标联合预测的临床价值最高,AUC=0.814。结论:血清外周血NF-κB、AMH、BMI均对PCOS患者行IVF-ET后的妊娠结局有影响,联合检测对妊娠结局有一定预测价值。

外周血炎症指标预测乳腺癌新辅助化疗效果

目的探讨外周血炎症指标对乳腺癌新辅助化疗(NAC)疗效的预测价值。方法回顾性分析2013年1月至2019年12月187例在本院行NAC患者资料,采用单因素和多因素Logistic回归分析外周血炎症指标(NLR、PLR、LMR、SII)和NAC术后病理MP分级的关系。结果单因素结果表明NAC疗效与ER、PR、Her-2、NLR、PLR、SII有关(P<0.05),在117例患者中,单因素结果表明NAC疗效与Her-2、NLR有关(P<0.05),Logistic回归显示PR、Her-2、NLR(正相关)是NAC疗效的独立预测因素,PR、Her-2、NLR(负相关)是NAC疗效的独立预测因素,AUC值为0.759。结论在HR-、Her2+、Ki-67高表达(>30%)的乳腺癌患者中,NLR可做为PR、Her-2等病理指标的补充,可预测乳腺癌NAC疗效。

UO_2晶体中低密勒指数晶面表面能的分子动力学模拟

采用基于刚性离子势的分子动力学模拟方法初步计算了UO2晶体中(100),(110)和(111)3种低密勒指数晶面在300—1500K范围内的表面能大小.结果表明,3种晶面的表面能大小随温度的升高而降低,与实验结果趋势一致;原子排列最紧密的(111)晶面具有最低的表面能,3种晶面的表面能大小从高到低依次为(100),(110)和(111)晶面;达到平衡状态下的表面层原子相对于体内原子层在表面的法线方向上发生了明显的压缩并且表面层原子的对称性也降低了,表面原子的弛豫效应一直影响到了第5层.计算研究结果将有助于深入认识UO2燃料中裂变气体气泡的聚集长大以及燃料的辐照肿胀开裂行为.

稳定的GaAs(2511)高密勒指数表面的电子结构

采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11) (1× 1)表面的电子结构特性进行了计算 .结果表明 :对于理想的GaAs(2 5 11)表面 ,基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域 ,即 - 0 1— 0 1eV ,0 85— 1 0eV和 1 4— 1 6eV之间 ;吸附两个As原子形成 (1× 1)再构后 ,表面态的变化主要表现在 0 85— 1 0eV之间的表面态完全消失 .结合电子数目规则 ,可以确定处在 - 0 1— 0 1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的As As二聚体键的表面态 ,而处在 1 4— 1

硅表面上电荷分布的晶向关系

本文分别用Si_(16)H_(21)模拟Si(113),Si_(35)H_(30)模拟Si(112)高密勒指数表面,用Si_(37)H_(39)模拟Si(111)及Si_(19)H_(18)模拟Si(100)表面.通过SCF-LCAC-CNDO理论计算,研究了各种表面上的净电荷分布.发现,各种表面上存在不同程度且不同分布的净电荷,表面原子sp^3轨道中的电荷做了重新分布,净电荷较多地局域在悬键方向上.表面上台阶的存在强烈地影响着表面净电荷转移的性质.此现象在Si(112)面上尤其突出.本文据此解释了不同晶面上附加表面电偶极子及态密度等实验结果.

X 射线衍射图谱的计算机指标化

本文介绍了 X 射线衍射图谱计算机指标化的原理及方法,给出了指标化程序(XRD程序)及三种粉末衍射图谱的运行实例,其结果与文献一致。