200 mm SiC外延炉及同质外延工艺研究

目前SiC产业正由150 mm(6英寸)向200 mm(8英寸)转型,为满足行业对大尺寸、高质量SiC同质外延片的迫切需求,采用自主研制的200 mmSiC外延生长设备在国产衬底上成功制备出150 mm、200 mm 4H-SiC同质外延片,并开发了适用于150 mm及200 mm的同质外延工艺,其中外延生长速率可大于60μm/h,在满足高速外延的同时,外延片质量优异,其中150 mm、200 mm SiC外延片厚度均匀性都可控制在1.5%以内,浓度均匀性均小于3%,致命缺陷密度小于0.3颗/cm2,外延表面粗糙度均方根Ra小于0.15 nm,各核心工艺指标均处于行业先进水平。