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题名200 mm SiC外延炉及同质外延工艺研究
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作者
谢添乐
李苹
杨宇
巩小亮
巴赛
陈国钦
万胜强
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机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2024年第4期11-16,29,共7页
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基金
湖南省科技重大专项十大技术攻关项目“8英寸SiC外延装备关键技术”(2023GK1020)。
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文摘
目前SiC产业正由150 mm(6英寸)向200 mm(8英寸)转型,为满足行业对大尺寸、高质量SiC同质外延片的迫切需求,采用自主研制的200 mmSiC外延生长设备在国产衬底上成功制备出150 mm、200 mm 4H-SiC同质外延片,并开发了适用于150 mm及200 mm的同质外延工艺,其中外延生长速率可大于60μm/h,在满足高速外延的同时,外延片质量优异,其中150 mm、200 mm SiC外延片厚度均匀性都可控制在1.5%以内,浓度均匀性均小于3%,致命缺陷密度小于0.3颗/cm2,外延表面粗糙度均方根Ra小于0.15 nm,各核心工艺指标均处于行业先进水平。
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关键词
碳化硅
200
mm外延炉
化学气相沉积
同质外延
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Keywords
SiC
200 mm SiC epitaxy reactor
Chemical vapor deposition
Homogeneous epitaxy
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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