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HgCdTe多载流子体系的迁移率谱分析
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作者 桂永胜 郑国珍 +1 位作者 郭少令 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期327-332,共6页
通过迁移率谱分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生长的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度．
关键词 迁移率谱 多载流子体系 汞镉碲 红外探测
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