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Towards Single-component Molecular Conductor[Ni(dmit)2]by Charge Disproportionation:2[Ni(dmit)2]^0.5→[Ni(dmit)2]+[Ni(dmit)2]^- 被引量:1
1
作者 QiFANG HongLEI WenXU 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2003年第11期1109-1112,共4页
A new method of synthesizing single-component molecular conductor [Ni(dmit)2] by the reaction 2(Me4N)[Ni(dmit)2]2 [Ni(dmit)2] + (Me4N)[Ni(dmit)2] is reported. [Ni(dmit)2] exhibits a semiconductive behavior above 167... A new method of synthesizing single-component molecular conductor [Ni(dmit)2] by the reaction 2(Me4N)[Ni(dmit)2]2 [Ni(dmit)2] + (Me4N)[Ni(dmit)2] is reported. [Ni(dmit)2] exhibits a semiconductive behavior above 167 K, while from 167 K down to the measuring limit of 60 K, it exhibits metallic conductivity. 展开更多
关键词 Single-component molecular conductors conductivity charge disproportionation.
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Molecular Electrical Conductor Ni(C_3S_5)_2 被引量:1
2
作者 Hong LEI (Dept. of Electronic Engineering, Shandong University, Jinan 250100, China)Qi FANG and Minhua JIANG (Institute of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China)Yueming SUN (Dept. of Chemistry Southeast University Nanjing 210093, Ch 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 1996年第6期457-460,共4页
The molecular based electrical conductor Ni(C3S5)2 has been prepared and its conductivity has been measured from room temperature down to 60 K. Above 167 K Ni(C3S5)2 exhibits a semiconductive behaviour, below this tem... The molecular based electrical conductor Ni(C3S5)2 has been prepared and its conductivity has been measured from room temperature down to 60 K. Above 167 K Ni(C3S5)2 exhibits a semiconductive behaviour, below this temperature it turns to exhibit metallic conductivity. Based on a tight-binding energy band calculation, an expression for the number of conducting electrons has been deduced. The calculated conducting activation energy is quite well in accordance with the measuring value. 展开更多
关键词 molecular Electrical conductor Ni C3S5 PT
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Synthesis,structure,and conductivity of molecular conductor(PyEt)[Ni(dmit)_(2)]_(2)
3
作者 方奇 许文 +5 位作者 雷虹 薛刚 陈红余 徐翠英 贾春阳 张德清 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2003年第6期595-604,共10页
A new electrical conductive crystal PyEt[Ni(dmit)2]2(dmit = 4,5-dimercapto-1,3-dithiole- 2-thione) has been synthesized and its X-ray structure has been determined to be in monoclinic system, C2/c space group. In PyEt... A new electrical conductive crystal PyEt[Ni(dmit)2]2(dmit = 4,5-dimercapto-1,3-dithiole- 2-thione) has been synthesized and its X-ray structure has been determined to be in monoclinic system, C2/c space group. In PyEt[Ni(dmit)2]2 crystal, the conducting component [Ni(dmit)2]0.5- is face-to-face packed forming molecular column along the c-direction, and these molecular columns are then side-by-side extended along the a-direction forming a kind of two-dimensional conducting sheet on(010). The measured conductivity at room temperature along a certain direction on(010) plane is 10 S·cm-1. From 282 to 269 K, the crystal shows metallic behavior but changes to semiconductor below 269 K. Based on the measured crystal structure and calculated band structure, this conductor-semiconductor phase transformation can be primarily interpreted: The metallic conductivity is corresponding to the uniform molecular column and the atomic-lattice-chain structure of Ni chain, while the semi-conductive behavior to staggered molecular column and the atomic-zigzag-chain structure of Ni chain. 展开更多
关键词 molecular conductor synthesis CRYSTAL structure energy band conductivity.
原文传递
非对称双稠合四硫富瓦烯衍生物的合成与表征 被引量:7
4
作者 丁一 仲剑初 +2 位作者 王洪志 宁桂玲 金帅明 《合成化学》 CAS CSCD 2006年第3期224-228,共5页
采用W itting偶合反应合成了两种非对称双稠合四硫富瓦烯衍生物:2-(4,′5′-二乙硫基-1,′3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-5-(4,′5′-二腈乙硫基-1,′3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯(7a)和2-(4,′5′-二丁硫基-1,′3′-二... 采用W itting偶合反应合成了两种非对称双稠合四硫富瓦烯衍生物:2-(4,′5′-二乙硫基-1,′3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-5-(4,′5′-二腈乙硫基-1,′3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯(7a)和2-(4,′5′-二丁硫基-1,′3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-5-(4,′5′-二腈乙硫基-1,′3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯(7b)。7a在室温下呈现半导体状态(σ=2.17×10-7s.cm-1),而7b是绝缘体。通过UV-vis,1H NMR,IR和元素分析对产物及中间产物的结构进行了鉴定及讨论,从而验证了合成路线的可行性。 展开更多
关键词 四硫富瓦烯 给体 分子导体 电导率 UV-VIS光谱 合成
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dmit配合物的合成与应用 被引量:4
5
作者 张秀兰 谢斌 +3 位作者 冯建申 邹立科 程煜 王志刚 《四川理工学院学报(自然科学版)》 CAS 2008年第2期71-75,共5页
文章综述了近10年来dmi(t dmit为4,5-二巯基-1,3-二硫杂环戊二烯-2-硫酮)配合物的合成方法及应用,并对其优缺点进行了讨论。
关键词 分子导体 dmit配合物 合成 应用
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含DMIT配体配合物的结构与导电性 被引量:4
6
作者 方奇 游效曾 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 1993年第6期471-479,共9页
本文描述了含DMIT(4,5-二硫基-1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮)配体配合物的含成和导电性,讨论了其各个结构层次及其与导电性的关系。Ni、Pd、Pt、的DMIT导电配合物的分子结构特征是平面构型和离域π电子态,晶体结构特征是配位阴离子堆砌成各... 本文描述了含DMIT(4,5-二硫基-1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮)配体配合物的含成和导电性,讨论了其各个结构层次及其与导电性的关系。Ni、Pd、Pt、的DMIT导电配合物的分子结构特征是平面构型和离域π电子态,晶体结构特征是配位阴离子堆砌成各种形式的、导电能力不同的分子柱和分子层,作为非导电组元的平衡离子对导电性也有重要影响。 展开更多
关键词 DMIT 分子导体 配体 络合物
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四硫富瓦烯─多酸分子杂化材料化学研究进展 被引量:1
7
作者 彭军 王恩波 《分子科学学报》 CAS CSCD 1999年第2期56-60,共5页
综述了一类有机-无机超分子组装体系四硫富瓦烯─多酸分子杂化材料近年来的研究进展。分述了Keggin型杂多阴离子、Dawson-Wels型杂多阴离子、Lindguist型同多阴离子以及含有顺磁性过渡金属原子的多阴离子的... 综述了一类有机-无机超分子组装体系四硫富瓦烯─多酸分子杂化材料近年来的研究进展。分述了Keggin型杂多阴离子、Dawson-Wels型杂多阴离子、Lindguist型同多阴离子以及含有顺磁性过渡金属原子的多阴离子的四硫富瓦烯和双乙基四硫富瓦烯的荷移盐和游离基离子盐的结构特征与导电性质。 展开更多
关键词 杂多酸 四硫富瓦烯 杂化材料 分子导体
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对冷拉拔铜锡合金导线显微组织的分子动力学模拟 被引量:1
8
作者 陈守东 陈敬超(指导) +1 位作者 封皓 杨运川 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期88-91,101,共5页
利用等温等体积的分子动力学(NTV-MD)及均方根位移和径向分布函数研究了铜锡合金中的锡在铜基体中的存在形式和分布,并进行了试验验证。结果表明:锡以固溶的的形式分布于铜基体中,有可能形成铜锡中间相Cu_6Sn_5,但锡在铜基体中没有发生... 利用等温等体积的分子动力学(NTV-MD)及均方根位移和径向分布函数研究了铜锡合金中的锡在铜基体中的存在形式和分布,并进行了试验验证。结果表明:锡以固溶的的形式分布于铜基体中,有可能形成铜锡中间相Cu_6Sn_5,但锡在铜基体中没有发生团聚现象;试验结果验证了分子动力学模拟的准确性。 展开更多
关键词 铜锡合金导线 分子动力学 径向分布函数 均方根位移 显微组织
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钼酸镧氧离子导体结构与扩散性质的分子动力学研究 被引量:2
9
作者 侯春菊 张旭 +1 位作者 刘长松 方前锋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期71-74,77,共5页
基于密度泛函的方法研究了β-La2Mo2O9的结构性质与扩散行为。研究首次发现结构中Mo有MoO4和MoO52种形式的多面体,并且O(1)、O(2)和O(3)3种氧位置的占有率分别为100%、91.7%和25%,与实验相符。所有结构可通过P213的12个对称操作而互相转... 基于密度泛函的方法研究了β-La2Mo2O9的结构性质与扩散行为。研究首次发现结构中Mo有MoO4和MoO52种形式的多面体,并且O(1)、O(2)和O(3)3种氧位置的占有率分别为100%、91.7%和25%,与实验相符。所有结构可通过P213的12个对称操作而互相转换,得到的结构可能是局部或本征极小结构。扩散研究结果显示,氧离子(空位)扩散是一种多离子间协同的集体运动行为,3个扩散通道可能与高温相的高电导有关,其中激活能为1.05eV和1.24eV的2个扩散通道可能与内耗弛豫峰有关。 展开更多
关键词 氧离子导体 La2Mo2O9 分子动力学氧空位扩散
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半导体凝固点测定仪的研制及其应用 被引量:6
10
作者 袁红安 张逢星 +1 位作者 赵小侠 董发昕 《化学分析计量》 CAS 2006年第3期49-50,54,共3页
为了配合物理化学实验“凝固点降级法测定萘的摩尔质量”,研制出半导体制冷凝固点测定仪,实现了凝固点测定和摩尔质量计算的自动化,解决了老式实验装置存在的问题。通过对环己烷凝固点和萘摩尔质量的测定,验证了该仪器的可靠性,同时还... 为了配合物理化学实验“凝固点降级法测定萘的摩尔质量”,研制出半导体制冷凝固点测定仪,实现了凝固点测定和摩尔质量计算的自动化,解决了老式实验装置存在的问题。通过对环己烷凝固点和萘摩尔质量的测定,验证了该仪器的可靠性,同时还探讨了搅拌速率和冷阱的温度变化对凝固点测定值的影响。 展开更多
关键词 半导体 凝固点 环己烷 摩尔质量
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分子导体:[NCBzPy][TCNQ]_2和[FBzPy][TCNQ]_2的合成及光谱研究
11
作者 刘光祥 黄荣谊 +2 位作者 章名田 汪铭 陈友存 《合成化学》 CAS CSCD 2004年第1期53-56,共4页
合成了两种新的取代苄基吡啶盐 [NCBzPy]Cl( 1 )和 [FBzPy]Cl( 2 ) ,1 (或 2 )与LiTCNQ ,TCNQ进一步反应生成 [NCBzPy][TCNQ]2 ( 3 ) {或 [FBzPy][TCNQ]2 ( 4 ) }。IR研究表明 :TCNQ盐中存在TCNQ0 和TCNQ-,并形成了一维TCNQ分子柱 ,且TC... 合成了两种新的取代苄基吡啶盐 [NCBzPy]Cl( 1 )和 [FBzPy]Cl( 2 ) ,1 (或 2 )与LiTCNQ ,TCNQ进一步反应生成 [NCBzPy][TCNQ]2 ( 3 ) {或 [FBzPy][TCNQ]2 ( 4 ) }。IR研究表明 :TCNQ盐中存在TCNQ0 和TCNQ-,并形成了一维TCNQ分子柱 ,且TCNQ0 和TCNQ-之间存在相互作用 ,有部分电荷发生转移。 展开更多
关键词 分子导体 TCNQ 电荷转移 合成 光谱研究 取代苄基吡啶盐 [NCBzPy][TCNQ]2 [FBzPy][TCNQ]2
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新型光化学敏感膜用于六价铬的测定
12
作者 尹志芳 黄杉生 +3 位作者 钟桐生 龙立平 董蓉萍 周子茵 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1257-1260,共4页
研制了基于新型分子导线化合物2-(2-(4-(2-(4-(2-(2,5-二庚基-4-(2-(噻吩-2-基)乙炔基)苯基)乙炔基)苯基)乙炔基)-2,5-二庚苯基)乙炔基)噻吩(简称FDB)测定铬(Ⅵ)的光化学敏感膜。研究表明:铬(Ⅵ)对固定于聚氯乙烯膜中的FDB有可逆荧光猝... 研制了基于新型分子导线化合物2-(2-(4-(2-(4-(2-(2,5-二庚基-4-(2-(噻吩-2-基)乙炔基)苯基)乙炔基)苯基)乙炔基)-2,5-二庚苯基)乙炔基)噻吩(简称FDB)测定铬(Ⅵ)的光化学敏感膜。研究表明:铬(Ⅵ)对固定于聚氯乙烯膜中的FDB有可逆荧光猝灭作用。敏感膜最佳组成为:55.0 mg聚氯乙烯、105.0 mg邻苯二甲酸二异辛酯(DIOP)和5.0 mg四苯硼钠(NaTPB)。选用最大激发波长为371 nm,发射波长为407 nm,在0.60 mol·L^(-1)硫酸溶液中,测定铬(Ⅵ)的线性范围为3.78×10^(-6)~1.26×10^(-6)mol·L^(-1),检出限(3S/N)为5.16×10^(-7)mol·L^(-1),响应时间小于1 min。敏感膜具有良好的重现性、可逆性和选择性,其他常见金属离子不干扰测定。应用于环境水中铬(Ⅵ)的测定,测定值与国标GB/T 7468—1987的测定结果相符,回收率为96.0%~106.3 %。 展开更多
关键词 光化学敏感膜 分子导线化合物 六价铬
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ET类分子导体3d轨道对晶体能带及导电性的影响
13
作者 刘国群 雷虹 方奇 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第1期10-15,共6页
采用扩展休克尔 -紧束缚方法 (EHTB)研究了ET类分子导体 [ET =bis (ethylenedithio) tetrathiafulvalene]的能带 .讨论了硫原子 3d轨道对能带结构的影响 ,添加 3d轨道导致ET分子柱间的横向作用大为增强 ,并与纵向作用处于同一数量级 ,... 采用扩展休克尔 -紧束缚方法 (EHTB)研究了ET类分子导体 [ET =bis (ethylenedithio) tetrathiafulvalene]的能带 .讨论了硫原子 3d轨道对能带结构的影响 ,添加 3d轨道导致ET分子柱间的横向作用大为增强 ,并与纵向作用处于同一数量级 ,这一结论解释了晶体二维导电性的实验结果 .计算得到 (ET) 2 C3 H5SO3 ·H2 O ,(ET) 2 HgCl3 ·TCE两个晶体的带隙分别为0 5 79,0 .5 72eV ,与实验得到的导电激活能 0 .3 19,0 .3 0 8eV符合较好 . 展开更多
关键词 ET类分子导体 硫原子3d轨道 能带结构 导电性 扩展休克尔—紧束缚方法
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配合物型分子导体(PyH)[Ni(dmit)_2]_2的能带结构及其导电性
14
作者 雷虹 许文 方奇 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第1期33-37,共5页
采用EHMO紧束缚方法计算了配合物型分子导体 (PyH) [Ni(dmit) 2 ] 2 二维阴离子导电层中相邻两 [Ni(dmit) 2 ] - 0 .5 的HOMO轨道的重叠积分 ,并进行了二维能带计算 .计算结果与其单晶变温电导率测试结果一致 ,表明该配合物型分子导体... 采用EHMO紧束缚方法计算了配合物型分子导体 (PyH) [Ni(dmit) 2 ] 2 二维阴离子导电层中相邻两 [Ni(dmit) 2 ] - 0 .5 的HOMO轨道的重叠积分 ,并进行了二维能带计算 .计算结果与其单晶变温电导率测试结果一致 ,表明该配合物型分子导体为窄能隙半导体 .在能带计算基础上讨论了该类分子导体导电性与结构的关系 .分子导体的晶体结构对其能带结构和导电性能影响极大 ,分子柱的均匀化 (包括沿分子轴方向的错动尽可能小和面间距均一 ) 展开更多
关键词 分子导体 能带结构 导电性
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分子导体(PyH)[M(dmit)_2]_2(M=Pd,Ni)的晶体结构与能带结构
15
作者 雷虹 李洪津 许文 《山东大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期84-87,共4页
在配合物型分子导体(PyH) [Pd(dmit) 2 ]2 和(PyH) [Ni(dmit) 2 ]2 中,阴离子导电组元[M(dmit) 2 ]0 .5- (M =Pd ,Ni)的面对面堆积和肩并肩排列形成二维层状结构.采用推广休克尔紧束缚方法计算了二维导电层中相邻两阴离子的HOMO轨道的... 在配合物型分子导体(PyH) [Pd(dmit) 2 ]2 和(PyH) [Ni(dmit) 2 ]2 中,阴离子导电组元[M(dmit) 2 ]0 .5- (M =Pd ,Ni)的面对面堆积和肩并肩排列形成二维层状结构.采用推广休克尔紧束缚方法计算了二维导电层中相邻两阴离子的HOMO轨道的重叠积分,并进行了二维能带计算.计算结果表明它们是窄能隙半导体,与晶样的变温电导测试的结果一致. 展开更多
关键词 分子导体 晶体结构 能带结构
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M(C_3S_5)_2型分子导体的制备及其电磁和电荷转移性质
16
作者 方奇 雷虹 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期561-569,共9页
制备了晶态分子导体M(C3S3)2,Pd(C3S3)2;Pt(C3S3)和无定形分子导体Cu(C3S3)2,测定了它们的电阻-温度曲线,磁化率-温度曲线.结合EHMO理论计算与波谱分析,得出导电组元的分子轨道形式.计算TNi(C3S5)2晶体的能带,在此基... 制备了晶态分子导体M(C3S3)2,Pd(C3S3)2;Pt(C3S3)和无定形分子导体Cu(C3S3)2,测定了它们的电阻-温度曲线,磁化率-温度曲线.结合EHMO理论计算与波谱分析,得出导电组元的分子轨道形式.计算TNi(C3S5)2晶体的能带,在此基础上阐明Ni(C3S5)2的导电机理和半导体→导体相变的机理讨论了[M(C3S3)2]2-与[M(C3S3)2]-,[M(C3S3)2]0。 展开更多
关键词 分子导体 M(C3S3)2 制备 导电性 电荷转移
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基于分子结的分子电子器件电性能研究
17
作者 左国防 雷新有 张建斌 《现代电子技术》 2010年第10期168-171,共4页
介绍了分子电子学的发展背景,并通过电极、分子以及电极-分子接触界面的分子结技术,对电极-分子-电极结中的电子传递现象进行了解释。另外,结合STM和裂分结技术,探讨了分子结中分子电子的测试方法,并对基于分子结中的分子电子器件的库... 介绍了分子电子学的发展背景,并通过电极、分子以及电极-分子接触界面的分子结技术,对电极-分子-电极结中的电子传递现象进行了解释。另外,结合STM和裂分结技术,探讨了分子结中分子电子的测试方法,并对基于分子结中的分子电子器件的库仑阻塞、Kondo效应以及动力学随机记忆等进行了讨论。 展开更多
关键词 分子结 分子电子学 分子导体 库化阻塞
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氟代硼酸锂玻璃的分子动力学模拟 被引量:5
18
作者 徐桦 邵俊 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第1期10-13,共4页
用分子动力学模拟方法,计算了氟代硼酸锂玻璃的电导率.研究的温度范围高于和近于玻璃转变温度,共模拟了七个体系,研究的成分大致覆盖了能形成玻璃的区域.所得极限电导率、活化能以及电导率随温度的变化与实验数据符合得相当好.以往的研... 用分子动力学模拟方法,计算了氟代硼酸锂玻璃的电导率.研究的温度范围高于和近于玻璃转变温度,共模拟了七个体系,研究的成分大致覆盖了能形成玻璃的区域.所得极限电导率、活化能以及电导率随温度的变化与实验数据符合得相当好.以往的研究认为快离子传导的典型特征是仅有一种离子发生迁移,我们的模拟表明氟离子对电导也有较大贡献.用活化能数据可顺利解释这个三元系各体系的电导率相对高低问题. 展开更多
关键词 分子动力学模拟 氟代硼酸锂玻璃 快离子导体 电导率 非晶态材料 锂电池
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激光分子束外延法制备氟铝共掺氧化锌薄膜及其物性研究 被引量:2
19
作者 马剑钢 林东 《物理实验》 2016年第9期4-8,共5页
采用激光分子束外延方法,将高熔点的AlF3和ZnO混合后制成高质量靶材,制备出具有高电导率和热稳定性的氟、铝共掺氧化锌薄膜(AFZO),并研究了AZO和AFZO的光电性质随退火条件的变化,探讨了AZO薄膜缺陷的性质及其形成和作用机理.研究表明受... 采用激光分子束外延方法,将高熔点的AlF3和ZnO混合后制成高质量靶材,制备出具有高电导率和热稳定性的氟、铝共掺氧化锌薄膜(AFZO),并研究了AZO和AFZO的光电性质随退火条件的变化,探讨了AZO薄膜缺陷的性质及其形成和作用机理.研究表明受主型缺陷——锌空位是导致在空气退火时AZO电学性质劣化的主要原因,而氟掺杂可以抑制锌空位的形成. 展开更多
关键词 氟铝共掺氧化锌 激光分子束外延 透明导电 锌空位
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Synthesis,Structure and Conductivity of(PyH)[Ni(dmit)2]2
20
作者 WenXU QiFANG +7 位作者 GangXUE WenTaoYU HongYuCHEN GuoOunLIU WeiXU CuiYingXU DeQingZHANG DaoBenZHU 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2003年第10期1089-1092,共4页
A new molecular conductor (PyH)[Ni(dmit)2]2 (dmit = 4, 5-dimercapto-1, 3-dithiole-2-thione) has been prepared and its crystal structure has been determined. Crystallographic parameters for (PyH)[Ni(dmit)2]2: C17H6NNi2... A new molecular conductor (PyH)[Ni(dmit)2]2 (dmit = 4, 5-dimercapto-1, 3-dithiole-2-thione) has been prepared and its crystal structure has been determined. Crystallographic parameters for (PyH)[Ni(dmit)2]2: C17H6NNi2S20; triclinic system; P-1 space group; a = 5.9227 (4) , b =8.2279 (6), c = 16.7535 (9) A, a = 90.233 (5) , 0 = 92.107 (6) , y= 104.654 (6) ; V= 789.25 (9) A3; Z = 1; Dc = 2.068 g/cm3; F (000) = 491. The conductivity at one direction on (001) plane at room temperature was measured to be 0.13 ii^-cmf1. The resistivity-temperature curve in the temperature range of 90-290 K shows that this compound behaves as a semiconductor. 展开更多
关键词 molecular conductor SYNTHESIS electrical conductivity SEMIconductor structure.
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