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淬火制备非晶硅的分子动力学模拟研究
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作者 戴永兵 徐重阳 李兴教 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第4期267-271,共5页
在微机上用分子动力学方法模拟了熔Si淬火制备a-Si的过程。硅原子间的相互作用势采用Stilinger-Weber势。受计算量的约束,淬火速度一般很高,此时采用这种势无法直接从熔Si得到a-Si。本文作者采用1000... 在微机上用分子动力学方法模拟了熔Si淬火制备a-Si的过程。硅原子间的相互作用势采用Stilinger-Weber势。受计算量的约束,淬火速度一般很高,此时采用这种势无法直接从熔Si得到a-Si。本文作者采用1000K左右的体积一次性膨胀法克服这一困难。对模拟制备的a-Si的径向偶对分布函数、键角分布函数及配位数的分析表明,a-Si中的四面体网络结构已得到了比较好的恢复。对制备过程的分析则显示,体积膨胀及随后的弛豫所导致的三体能大幅度下降是使体积一次性膨胀法有效的主要原因。 展开更多
关键词 分子动力学模拟 非晶硅 淬火 半导体材料
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