期刊文献+
共找到11篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Simulation of Reactive Distillation Process for Monosilane Production via Redistribution of Trichlorosilane
1
作者 孙帅帅 黄国强 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期287-293,共7页
The reactive distillation process for producing high purity monosilane via trichlorosilane redistribution reaction was simulated. Rigorous RadFrac block was employed in Aspen Plus simulation package. Accurate results ... The reactive distillation process for producing high purity monosilane via trichlorosilane redistribution reaction was simulated. Rigorous RadFrac block was employed in Aspen Plus simulation package. Accurate results could be given when the chemical kinetics was taken into account in the equilibrium stage model. A single column process was used for the verification of previous studies. The results showed that 99.9% purity monosilane could be achieved in the reactive distillation. A pumparound block was employed to reduce the condenser duty with inexpen-sive coolant. The effects of operating pressure, feed stage location, liquid holdup per stage and pumparound location were also investigated. The energy consumption was limited, but the refrigerant temperature was too low, which is the fatal disadvantage. Therefore, a double columns process was developed to increase the condenser tem-perature. The simulation results demonstrated that a reasonable temperature could be achieved by varying the recycle stream location. 展开更多
关键词 reactive distillation reaction kinetics trichlorosilane redistribution pumparound monosilane
下载PDF
以SiH_(4)为介质扩散法生产^(28)Si技术研究
2
作者 孙旺 周明胜 +1 位作者 姜东君 潘建雄 《同位素》 CAS 2024年第3期203-210,共8页
^(28)Si同位素主要应用于半导体领域,在量子计算、计量学领域也有一定应用。采用99%以上丰度^(28)Si制备硅晶体,可以降低声子散射、提高热导率,并且降低门电压、提高开关速度、提高芯片频率,可用于制造高速CPU、大功率器件、高性能传感... ^(28)Si同位素主要应用于半导体领域,在量子计算、计量学领域也有一定应用。采用99%以上丰度^(28)Si制备硅晶体,可以降低声子散射、提高热导率,并且降低门电压、提高开关速度、提高芯片频率,可用于制造高速CPU、大功率器件、高性能传感器等。在室温下,99.85%以上丰度^(28)Si半导体元件的热导率比天然丰度Si材料增加10%~60%。高丰度^(28)Si可用于制备量子信息长自旋相干时间器件,去除29Si干扰。本研究采用气体扩散法,以SiH_(4)为介质,开展^(28)Si同位素的分离研究。目前廉价优质的高分子有机膜已得到大规模工业应用。用于负压条件下的高速磁悬浮压缩机可以有效压缩SiH_(4)气体。通过4级扩散级联实验测得SiH_(4)的基本全分离系数可达1.010。采用多元分离理论进行级联分析计算,以天然SiH_(4)为原料,通过一次不超过300级的相对丰度匹配级联,可将轻馏分中的^(28)Si同位素丰度浓缩到99%以上。本研究验证了以SiH_(4)为介质扩散分离^(28)Si同位素可行。 展开更多
关键词 硅同位素 甲硅烷 气体扩散法 基本全分离系数
下载PDF
季铵碱树脂催化三甲氧基硅烷制备甲硅烷 被引量:2
3
作者 杨恺 安茂忠 +3 位作者 杨春晖 张磊 胡成发 葛士彬 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期1-5,共5页
为制备高纯度甲硅烷气体,用强碱性季铵碱阴离子交换树脂催化三甲氧基硅烷溶液进行歧化反应.采用脉冲放电氦离子化检测器测试粗甲硅烷气体,用气相色谱-质谱联用仪、感应耦合等离子体质谱仪测试精馏提纯的副产物四甲氧基硅烷.实验结果表明... 为制备高纯度甲硅烷气体,用强碱性季铵碱阴离子交换树脂催化三甲氧基硅烷溶液进行歧化反应.采用脉冲放电氦离子化检测器测试粗甲硅烷气体,用气相色谱-质谱联用仪、感应耦合等离子体质谱仪测试精馏提纯的副产物四甲氧基硅烷.实验结果表明:在30~50℃和0.2~0.3 MPa条件下反应制备的粗甲硅烷气体中,H2、O2、Ar、N2、CH4的质量浓度分别为221.12、1.76、1.61、17.97、0.15μg/L,纯度达到99.9%;副产物四甲氧基硅烷中,金属杂质总质量浓度低于0.15μg/L,可用来制备高纯度硅溶胶;季铵碱催化三甲氧基硅烷歧化反应,反应条件温和,三甲氧基硅烷转化率96%,硅烷产率95%.催化剂易于购买,采用固定床反应器易于控制反应,易于连续加料,此工艺具有工业化生产价值. 展开更多
关键词 季铵碱 阴离子交换树脂 三甲氧基硅烷 甲硅烷
下载PDF
电化学法制备单硅烷工艺概述 被引量:4
4
作者 卢培浩 于剑昆 吕国会 《低温与特气》 CAS 2010年第1期4-9,共6页
单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。介绍了SiH4的物化性质及毒性。SiH4... 单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。介绍了SiH4的物化性质及毒性。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、氯硅烷或烷氧基硅烷歧化法、氯硅烷还原法等,但它们存在工艺流程复杂、设备成本高、需要对产物进行复杂的精制等问题。详细介绍了几种国外公司开发的电化学合成SiH4的装置及工艺,该类方法具有操作安全和经济、可实现高度一体化、可现场发生、以及产物精制工艺简单等优点。 展开更多
关键词 单硅烷 SIH4 制备 电化学法 工艺
下载PDF
反应精馏耦合吸收工艺生产硅烷的流程模拟 被引量:3
5
作者 黄国强 孙帅帅 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期842-847,共6页
提出一种反应精馏耦合吸收工艺生产硅烷,用于提高反应精馏塔塔顶温度.在Aspen Plus中建立流程进行模拟,使用平衡级模型,其中反应过程考虑了反应动力学的影响和化学平衡的限制.通过调节塔顶采出量和回流比确定操作参数.模拟结果表明,该... 提出一种反应精馏耦合吸收工艺生产硅烷,用于提高反应精馏塔塔顶温度.在Aspen Plus中建立流程进行模拟,使用平衡级模型,其中反应过程考虑了反应动力学的影响和化学平衡的限制.通过调节塔顶采出量和回流比确定操作参数.模拟结果表明,该流程的硅烷收率接近100%,塔顶温度为-17℃.考察了吸收剂的量、循环物流进料位置和持液量等影响因素.同时,对反应精馏生产硅烷的单塔流程、双塔流程和吸收流程进行了经济评估,结果显示吸收流程具有塔顶温度高、设备维护成本低、操作成本适中等优势,适用于工业生产. 展开更多
关键词 反应精馏 吸收 硅烷 歧化 反应动力学
下载PDF
歧化法制备单硅烷的工艺进展 被引量:7
6
作者 卢培浩 马建智 《广东化工》 CAS 2010年第9期81-82,共2页
单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、... 单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、氯硅烷或烷氧基硅烷歧化法、氯硅烷还原法等,重点介绍了用歧化法制备SiH4的工艺,原料可用芳基硅烷、烷氧基硅烷以及氯硅烷等。 展开更多
关键词 单硅烷 制备 歧化法 烷氧基硅烷 三氯硅烷 二氯硅烷 工艺进展
下载PDF
硅烷的精制及罐装 被引量:3
7
作者 于剑昆 《低温与特气》 CAS 2008年第5期14-20,共7页
介绍了硅烷(S iH4)的物化性质和应用。电子和半导体行业用S iH4要求有高的纯度,重点介绍了S iH4的精制工艺。S iH4的精制方法主要有吸附法、冷冻法和精馏法3类,它们均能满足各自的工艺需要。此外,详细介绍了国外高纯S iH4的灌装工艺。
关键词 单硅烷 精制 罐装 电子特气
下载PDF
两种工业合成单硅烷的工艺介绍 被引量:2
8
作者 卢培浩 吴克杰 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期52-55,共4页
单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,详细介绍了硅化镁法和还原法制备SiH4的工艺。硅化镁法的优点是工艺简单、成熟,原料易得;其缺点是分离和回收液氨时能耗大,S... 单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,详细介绍了硅化镁法和还原法制备SiH4的工艺。硅化镁法的优点是工艺简单、成熟,原料易得;其缺点是分离和回收液氨时能耗大,SiH4收率相对较低。还原法的优点是可实现连续化生产、反应易于控制。 展开更多
关键词 单硅烷 硅化镁法 还原法 四氯硅烷:三氯硅烷
下载PDF
硅化镁制备单硅烷的工艺研究 被引量:1
9
作者 顾克军 王芳 《煤炭与化工》 CAS 2013年第2期75-76,81,共3页
单硅烷作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅和金属硅化物。介绍了一种以硅化镁、氯化铵为原料,液氨为溶剂,经高压釜加压间歇反应制备单硅烷的方法。实验通过对原料配比、溶剂含水、氯化铵... 单硅烷作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅和金属硅化物。介绍了一种以硅化镁、氯化铵为原料,液氨为溶剂,经高压釜加压间歇反应制备单硅烷的方法。实验通过对原料配比、溶剂含水、氯化铵溶液浓度、反应时间和反应温度等制备工艺的研究,得到的优化工艺条件为:氯化铵和硅化镁的物质的量比为8∶1,液氨含水<10-5,氯化铵液氨溶液浓度为20%,反应时间为3 h,反应温度为-20℃,单硅烷的收率>95%。 展开更多
关键词 硅化镁 制备 单硅烷
下载PDF
硅化镁制备单硅烷的工艺研究 被引量:3
10
作者 李群 顾克军 吴沙 《上海化工》 CAS 2013年第3期13-15,共3页
提供一种硅化镁制备单硅烷的方法,并对制备工艺进行了研究,得到的优化工艺条件为:氯化铵和硅化镁的摩尔比为8∶1,液氨含水量<10-5,氯化铵液氨溶液浓度为20%,反应时间3 h,反应温度-20℃,单硅烷的收率大于95%。
关键词 硅化镁 制备 单硅烷
下载PDF
Multiphoton Ionization of Monosilane
11
作者 陆庆正 丁传凡 +2 位作者 刁培谦 孔繁敖 松为宏幸 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 1993年第2期178-186,共9页
The (3 + 1) photon ionization spectra of SiH_4 have been measured. A basically continuous spectrum was recorded in laser wavelengths from 428 to 458 nm.Two vibrational progressions were found in the UV laser region of... The (3 + 1) photon ionization spectra of SiH_4 have been measured. A basically continuous spectrum was recorded in laser wavelengths from 428 to 458 nm.Two vibrational progressions were found in the UV laser region of 347-392 nm, anda fine structure of the band at 363.5 nm was assigned.The fragment ions were detected by a time-offlight mass spectrometer. No parent ion SiH_4^+ was observed whereas SiH_2^+ and SiH_3^+ were the major products. The ratio of SiH_2^+/SiH_3^+ was approximately equal to that of single photon ionization at the same energy, but the fraction of Si^+ was increased. Some additional bands appeared in Si^+ spectrum in the range of 384-390 nm implicating that the increased Si^+ might be generated from SiH_2^+ and SiH^+ ions. 展开更多
关键词 MULTIPHOTON PROCESSES LASER PHOTOIONIZATION MASS DETECTION monosilane.
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部