氨基硅烷偶联剂对蒙脱石的修饰改性研究

研究了氨基硅烷偶联剂对蒙脱石的修饰改性 ,并和长链烷基硅烷偶联剂作对比 .通过改性前后蒙脱石的傅立叶红外光谱 (FT IR) ,广角X射线衍射 (WAXD) ,热失重分析 (TGA)研究发现 ,在冰醋酸的处理下 ,氨基硅烷偶联剂不但能够对蒙脱石进行表面偶联修饰而且能够以插层剂的形式进入蒙脱石的层间 .初步的浸润 /分散性实验结果表明 :氨基硅烷插层 /表面修饰改性的蒙脱石在弱极性乙醇溶剂中的分散性能明显提高 .

硅烷偶联剂对超细蒙脱土的表面改性

采用不同结构的硅烷偶联剂(KH550、KH560、KH570)分别对超细蒙脱土进行接枝改性,并利用热失重分析(TGA)、X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构性质进行表征,研究结果表明:经KH560接枝的细化蒙脱土层间距最大,其次为经KH550接枝的细化蒙脱土,而经KH570接枝的细化蒙脱土层间距最小。比较而言,经KH560接枝的细化蒙脱土颗粒表面分散片层最多,其次为经KH550接枝的细化蒙脱土,而经KH570接枝的细化蒙脱土表面分散片层最少。

阳离子表面活性剂对钠基蒙脱土的插层改性研究(英文)

用十八烷基三甲基氯化铵(OTAC)通过离子交换法对钠基蒙脱土成功进行了有机化插层改性.红外分析结果表明:OTAC与蒙脱土之间发生了反应,X射线衍射(XRD)分析结果显示随OTAC浓度的提高,蒙脱土的(001)晶面间距逐渐扩大,最大值可增至3.80 nm;基于以上分析研究,假定了OTAC分子在蒙脱土片层间的排列分布状态.扫描电镜(SEM)观察到改性前后蒙脱土的表面形貌发生了显著变化,改性前蒙脱土团聚成大小不一的致密堆积颗粒,而改性后的蒙脱土被剥离为松散的鱼鳞片状;接触角测试和沉降实验结果表明,改性后钠基蒙脱土的表面润湿性由亲水性转变为亲油性.

氨基硅烷修饰NdFeB永磁微粒的研究

以3-氨丙基三乙氧基硅烷作为修饰剂,对具有永磁性的NdFeB磁性粒子进行了表面修饰,使之表面带有活性-NH_2基官能团.通过傅立叶红外光谱、差示扫描量热、热重分析、透射电镜以及磁性分析等方法对磁性微粒表面功能团进行表征,证明在选定的实验条件下,达到了理想的表面修饰效果.该法试剂易得,操作简单,结果稳定,可以使氨基化的永磁微粒进行进一步的生物应用.

氨基硅烷偶联剂表面修饰稀土长余辉发光颜料的研究

用两种氨基硅烷偶联剂对铝酸盐长余辉发光材料SrMgAl4O8∶Eu2+,Dy3+进行了表面修饰改性。通过水解pH值、电导率、ATR-FTIR、接触角及SEM表征了改性前后样品的变化。结果表明:YDH-550改性效果较好;样品余辉衰减曲线表明,表面改性对其发光性能影响不大。