辅助镀膜用K系列强流宽束考夫曼离子源

文章介绍了新型K系列多会切场强流宽束离子源（MCLB-8，16，18）。由于采用新型多会切磁场和优化的引出系统，该系列源在薄膜辅助沉积的能量（200-1000eV）范围内，具有良好的低能特性和束流分布均匀性，可使用反应气体或惰性气体工作。因此该系列源可用于各种高性能薄膜制备的大面积辅助沉积，也可用于制备大面积类金钢石膜（DLC）。文中介绍了该系列源的结构及性能。