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Thermal Characterization of 1.3 μm InAsP/InGaAsP Ridge Waveguide MQW Lasers Based on I-V Method 被引量:1
1
作者 NAN K J, ZHANG Y G, HE Y J, LI A Z (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第3期135-139,共5页
An experimental way for the thermal characterization of semiconductor lasers based on I V method under pulse driving conditions has been developed, with which the thermal characteristics of strain compensated 1.3 μm ... An experimental way for the thermal characterization of semiconductor lasers based on I V method under pulse driving conditions has been developed, with which the thermal characteristics of strain compensated 1.3 μm InAsP/InGaAsP ridge waveguide MQW laser chips have been investigated. The results show that, by measuring and analyzing the I V characteristics under appropriate pulse driving conditions at different heat sink temperatures, the thermal resistance of the laser diodes could be easily deduced. The driving current and junction voltage waveforms of the laser chips under different pulse driving conditions are also discussed. 展开更多
关键词 SEMICONDUCTORS laser Thermal characterization multi-quantum well RIDGE waveguide
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MQW EA调制器用于短脉冲光子源驱动条件的优化设计 被引量:3
2
作者 丁永奎 谭莉 +2 位作者 田贺斌 贾东方 李世忱 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期536-540,共5页
本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.数值计算结果证明EAM产生的脉冲形状比较接近Gauss脉冲,具有较小的啁啾,接近于变换限的光脉冲,十分适... 本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.数值计算结果证明EAM产生的脉冲形状比较接近Gauss脉冲,具有较小的啁啾,接近于变换限的光脉冲,十分适用于高速时分复用系统. 展开更多
关键词 mqw EA 短脉冲 光子源 驱动条件 优化设计 多量子阱电吸收调制器 量子限制 STARK效应 啁啾 线宽增强因子 时间带宽积 光通信
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Predefined Exponential Basis Set for Half-Bounded Multi Domain Spectral Method 被引量:1
3
作者 Fahhad Alharbi 《Applied Mathematics》 2010年第3期146-152,共7页
A non-orthogonal predefined exponential basis set is used to handle half-bounded domains in multi domain spectral method (MDSM). This approach works extremely well for real-valued semi-infinite differential problems. ... A non-orthogonal predefined exponential basis set is used to handle half-bounded domains in multi domain spectral method (MDSM). This approach works extremely well for real-valued semi-infinite differential problems. It spans simultaneously wide range of exponential decay rates with multi scaling and does not suffer from zero crossing. These two conditions are necessary for many physical problems. For comparison, the method is used to solve different problems and compared with analytical and published results. The comparison exhibits the strengths and accuracy of the presented basis set. 展开更多
关键词 multi-Domain Spectral METHOD MESHFREE Numerical METHOD Non-Orthogonal Predefined EXPONENTIAL Basis Set Half-Bounded Domain EXPONENTIAL Decay quantum wells Optical waveguide
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GaN基激光器多量子阱垒材料的研究 被引量:1
4
作者 陈伟华 廖辉 +6 位作者 胡晓东 李睿 贾全杰 金元浩 杜为民 杨志坚 张国义 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1441-1444,共4页
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,... 在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。 展开更多
关键词 GAN基激光器 多量子阱(mqws) ALINGAN 垒材料
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折射率线性分布多量子阱波导的色散特性 被引量:1
5
作者 周骏 曹庄琪 +1 位作者 陈英礼 杨学林 《量子电子学》 CSCD 1995年第2期178-185,共8页
本文根据标量Helmholtz方程,采用转移矩阵技术,严格求出了折射率线性分布多量子阱波导芯子区域的精确色散关系,并由Floquet理理论进一步获得了等效折射率公式与近似色散方程,数值计算结果显示出该波导的色散特性以... 本文根据标量Helmholtz方程,采用转移矩阵技术,严格求出了折射率线性分布多量子阱波导芯子区域的精确色散关系,并由Floquet理理论进一步获得了等效折射率公式与近似色散方程,数值计算结果显示出该波导的色散特性以及与波导结构的关系,发现该量子阱波导的双折射性质与入射波长有关。 展开更多
关键词 多量子阱波导 转移矩阵
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红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究
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作者 苏辉 张荣 +8 位作者 谢自力 刘斌 李毅 傅德颐 赵红 华雪梅 韩平 施毅 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期747-750,共4页
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该... 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL(15~300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的"S"变化趋势。 展开更多
关键词 INGAN/GAN多量子阱 金属有机化学气相沉积 光致荧光谱 原子力显微镜 红橙光
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折射率线性分布多量子阱波导的色散特性
7
作者 周骏 曹庄琪 +1 位作者 李玉鹏 高贤敬 《山东矿业学院学报》 CAS 1995年第2期158-162,共5页
本文采用Floquet理论和转移矩阵技术,求出了折射率线性分布多量子阱波导芯子区域的等效折射率公式和适用于TE及TM两种偏振的色散关系,其结果更适用于实际的多量子阱波导色散特性的分析。
关键词 多量子阱波导 色散 折射率线性分布
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半导体多量子阱激光器的波导模式分析
8
作者 郭长志 杨新民 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期254-263,共10页
本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果.
关键词 半导体 激光器 多量子阱 波导模式
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多量子阱波导TE、TM模场分析 被引量:1
9
作者 马永红 张思炯 佘守宪 《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 2000年第2期81-84,92,共5页
利用求解边值问题的亥姆赫兹方程和等效折射率近似方法 ,得到了芯区折射率呈锯齿型分布的多量子阱波导TE、TM模场的精确解和等效解 ,并且利用数值计算表明 :在多量子阱波导周期与芯区厚度之比趋于零时 ,精确解和等效解相当好地吻合 .本... 利用求解边值问题的亥姆赫兹方程和等效折射率近似方法 ,得到了芯区折射率呈锯齿型分布的多量子阱波导TE、TM模场的精确解和等效解 ,并且利用数值计算表明 :在多量子阱波导周期与芯区厚度之比趋于零时 ,精确解和等效解相当好地吻合 .本文的计算表明 。 展开更多
关键词 多量子阱波导 等效折射率 精确解 TE模场 TM模场
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多沟道波导及多量子阱光波导TM模色散方程的矩阵方法
10
作者 段碧明 桑明煌 欧阳晶 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第4期329-333,共5页
转移矩阵方法 (TMM)是一种精确的分析方法 ,它没有涉及任何的近似 ,计算也简单方便 ,是一种比较理想的分析光波导传播特性的方法 .该文利用转移矩阵方法导出了多沟道波导和多量子阱波导的TM模式色散方程 .
关键词 TM模 光波导 多量子阱 色散方程 沟道 转移矩阵方法 传播特性 近似 理想 分析方法
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一种新型微波光子器件——多量子阱光-微波转换器的设计构想
11
作者 王齐春 何建国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期72-76,共5页
最近十年,微波光子领域的研究在世界范围内吸引了越来越多的兴趣,作为微波光子器件系列的光-微波转换器,扮演了重要的角色。本文提出了一种新型的多量子阱超宽带光-微波变换器的设计构想,介绍了其结构、功能并进行了分析。
关键词 微波光子器件 多量子阱 光-微波转换器 设计
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InGaN/GaN多量子阱中的深能级表征分析
12
作者 刘建明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期716-720,共5页
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的In GaN/GaN多量子阱(MQW)结构中存在大量的深能级,电子空穴在多量子阱中复合发光时,深能级作为非辐射复合中心降低发光二极管(LED)内量子效率。通过稳态光电容(SSPC)和光电容... 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的In GaN/GaN多量子阱(MQW)结构中存在大量的深能级,电子空穴在多量子阱中复合发光时,深能级作为非辐射复合中心降低发光二极管(LED)内量子效率。通过稳态光电容(SSPC)和光电容(LCV)的测量方法,对比了在垒中掺杂Si和垒中没有掺杂样品的量子阱区域不同位置的深能级浓度和能级。测量结果表明,垒掺杂Si浓度为4×1017cm-3的样品的MQW的深能级密度比垒中没有掺杂的样品低一个数量级。利用变激发强度光致发光谱和发光强度来评估MQW的性能,测试结果表明,垒中掺杂Si可抑制深能级。MQW中深能级浓度影响发光效率,深能级缺陷浓度越小,MQW的发光效率越高。 展开更多
关键词 深能级 多量子阱(mqw) INGAN/GAN 发光二极管(LED) 金属有机物化学
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光控光子双开关的研究
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作者 段存丽 杜玉军 《西安工业学院学报》 2000年第1期27-30,共4页
研制了以光控光光子双开关 .在用X Y记录仪测试中 ,发现了P I N多量子阱具有光学双稳特性 ,并首次用示波器显示了CCTS激光器和P I N多量子阱的双双稳图形 .
关键词 多量子阱 光控光子双开关 光学双稳器件 激光器
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PIN结构发光二极管反向击穿特性分析 被引量:3
14
作者 李树强 夏伟 +3 位作者 马德营 张新 徐现刚 蒋民华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期506-508,共3页
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理... 通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合。同时获得了AlGaInPMQW结构的临界反向击穿电场强度数值。这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考。 展开更多
关键词 发光二极管(LED) 反向击穿电压 多量子阱(mqw) PIN结构
原文传递
多量子阱波导的传输和色散特性 被引量:1
15
作者 曹庄琪 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期289-293,共5页
本文用Floquet理论分析了多量子阱(阱垒数N>>1)波导的传输和色散特性,给出了适用于TE和TM两种偏振态的等效三层平板波导芯子折射率的解析公式,该公式清楚地说明了多量子阱波导的本征双折射行为。
关键词 多量子阱 波导 传输 色散 双折散
原文传递
MOCVD生长InGaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As应变多量子阱(英文)
16
作者 于永芹 黄柏标 +10 位作者 尉吉勇 潘教青 周海龙 岳金顺 李树强 张晓阳 秦晓燕 陈文澜 齐云 王笃祥 任忠祥 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期244-247,260,共5页
用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响。研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增... 用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响。研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增大的原因。同时也研究了应变MQWs中In组分与气相中TMIn含量的关系,为准确设计和控制MQWs的组分提供了依据。 展开更多
关键词 InGaAs/Al0.2Ga0.8As 多量子阱 mqws MOCVD In组分
原文传递
Si基多量子阱SiGe/Si波导光电探测器的制备和研究
17
作者 陈荔群 蔡志猛 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1072-1075,共4页
采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层;以SiGe/Si MQW材料作为吸收区,在Si基上制备波导型PIN光电探测器;金属Al制作在器件的台面上下,形成金属-半导体肖特基接触。测试结果表明,器件在-2V偏压下,... 采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层;以SiGe/Si MQW材料作为吸收区,在Si基上制备波导型PIN光电探测器;金属Al制作在器件的台面上下,形成金属-半导体肖特基接触。测试结果表明,器件在-2V偏压下,对台面面积为7 500μm2,暗电流为0.1μA;在0V偏压下,探测器的光响应谱的吸收峰值为1 008nm,并可以观察到随着吸收长度的增大,响应信号也随之增大。 展开更多
关键词 SiGe/Si多量子阱(mqw) 波导探测器 光谱响应
原文传递
新型多量子阱被动锁模半导体激光器噪声分析 被引量:1
18
作者 杜荣建 向望华 +1 位作者 张贵忠 张良 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1065-1069,共5页
对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析 ,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明 ,被动锁模半导体激光器 (MLLDs)的总噪声主要由散粒噪声、自发辐射放大噪声、频率调制噪声和量子噪声组成 ... 对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析 ,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明 ,被动锁模半导体激光器 (MLLDs)的总噪声主要由散粒噪声、自发辐射放大噪声、频率调制噪声和量子噪声组成 ,分别由光场的振幅。 展开更多
关键词 激光技术 锁模半导体激光器 时间抖动性 光纤通信 多量子阱
原文传递
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