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Multi-functional photonic spin Hall effect sensor controlled by phase transition
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作者 程杰 李瑞昭 +3 位作者 程骋 张亚林 刘胜利 董鹏 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期336-342,共7页
Photonic spin Hall effect(PSHE), as a novel physical effect in light–matter interaction, provides an effective metrological method for characterizing the tiny variation in refractive index(RI). In this work, we propo... Photonic spin Hall effect(PSHE), as a novel physical effect in light–matter interaction, provides an effective metrological method for characterizing the tiny variation in refractive index(RI). In this work, we propose a multi-functional PSHE sensor based on VO_(2), a material that can reveal the phase transition behavior. By applying thermal control, the mutual transformation into different phase states of VO_(2) can be realized, which contributes to the flexible switching between multiple RI sensing tasks. When VO_(2) is insulating, the ultrasensitive detection of glucose concentrations in human blood is achieved. When VO_(2) is in a mixed phase, the structure can be designed to distinguish between the normal cells and cancer cells through no-label and real-time monitoring. When VO_(2) is metallic, the proposed PSHE sensor can act as an RI indicator for gas analytes. Compared with other multi-functional sensing devices with the complex structures, our design consists of only one analyte and two VO_(2) layers, which is very simple and elegant. Therefore, the proposed VO_(2)-based PSHE sensor has outstanding advantages such as small size, high sensitivity, no-label, and real-time detection, providing a new approach for investigating tunable multi-functional sensors. 展开更多
关键词 photonic spin Hall effect multi-functional sensors phase transition sensing performance
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X波段GaAs MMIC低噪声放大器设计研究
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作者 王国强 蒲颜 +2 位作者 万瑞捷 聂荣邹 朱海 《电声技术》 2024年第2期116-118,共3页
文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带... 文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带匹配等技术实现X波段的工作频率全覆盖,并实现较低的噪声系数。测试结果表明,在8~12 GHz频率范围内,低噪声放大器功率增益大于23 dB,噪声系数小于1.7 dB,输出1 dB压缩点功率大于13 dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 X波段 单片微波集成电路(mmic)
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一种X波段150W紧凑型功率放大器MMIC
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作者 杨卅男 李通 蔡道民 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期642-647,共6页
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功... 基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功率分配/合成、阻抗变换和谐波调谐等功能,并通过多电容串联提高了击穿电压,增强了电路的鲁棒性;优化了版图布局,末级HEMT采用两两共地,并利用片上电感以缩短栅极偏置线,减小了芯片面积。最终,实现了饱和输出功率大于150 W、功率附加效率大于40%、功率增益大于22 dB的X波段功率放大器MMIC,其尺寸为3.8 mm×5.3 mm。该功率放大器MMIC可广泛应用于通信领域。 展开更多
关键词 紧凑型 X波段 功率放大器 功率附加效率 热阻 单片微波集成电路(mmic)
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GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型
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作者 郜佳佳 游恒果 +1 位作者 李静强 舒国富 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期380-387,共8页
GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,... GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,引入了位置矫正因子矩阵和耦合系数矩阵,并通过加栅窗的方式建立了芯片近结区的热阻解析模型。该模型考虑了GaN功率放大器MMIC的特点以及衬底的晶格热效应,可以更准确地表征芯片结温。采用红外热成像仪对6种GaN功率放大器MMIC在不同工作条件下进行了热测试,对比仿真和测试结果发现,解析模型的结温预测误差在10%以内,说明该模型可以准确地表征GaN功率放大器MMIC的热特性,进而用于优化和指导电路拓扑设计。 展开更多
关键词 GaN功率放大器 单片微波集成电路(mmic) 近结区 热阻解析模型 红外热成像 热特性
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0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
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作者 郝翔 王维波 +3 位作者 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期125-130,共6页
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提... 基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提高高频增益,扩展带宽,改善噪声。常温在片测试结果表明,在3.3 V单电源供电下,0.6~18.0 GHz频带内该款低噪声放大器噪声系数典型值1.5 dB,小信号增益约15 dB,增益平坦度小于±0.9 dB,输入、输出电压驻波比典型值分别为1.7和1.8,1 dB压缩点输出功率典型值14 dBm,功耗72.6 mW,芯片面积1.5 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓
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一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
6
作者 高哲 范一萌 万悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期360-364,共5页
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成... 基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成功率放大器的末端功率合成;通过对晶体管宽长比的设计与多胞晶体管的合成,实现了功率放大器的高功率稳定工作和高效率输出。经过测试,在59~61 GHz频率范围内,在占空比为20%、脉宽为100μs时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到37 dBm以上,功率附加效率(PAE)大于21.1%,功率增益大于17 dB;连续波测试条件下输出功率大于36.8 dBm, PAE大于21%。该设计在输出功率和PAE上具有一定的优势。 展开更多
关键词 V波段 功率放大器 单片微波集成电路(mmic) 高效率 功率合成
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V波段2W高效率GaN功率放大器MMIC的研制
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作者 高茂原 《通讯世界》 2024年第6期10-12,共3页
由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功... 由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功率放大器设计和制作进行研究,包括功率放大器的架构、电路实现以及功率合成和版图实现,并对功率放大器进行测试和结果分析,包括小信号特性和大信号特性。该功率放大器在40 GHz~75 GHz频段内,其饱和输出功率大于2 W,附加效率大于15%,功率增益大于18 dB,可广泛应用于毫米波雷达和通信领域。 展开更多
关键词 V波段 高功率 高效率 功率放大器 mmic
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X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
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作者 李远鹏 魏洪涛 刘会东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期805-811,共7页
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺... 为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性。芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1 dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm×2.4 mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(mmic) 负反馈
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基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC
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作者 王胜福 王洋 +3 位作者 李丽 于江涛 张仕强 李宏军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期48-53,共6页
基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控... 基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控制某一支路开关的导通或关断;带通滤波器由集总电感和电容组成。该开关滤波器组芯片通带频率覆盖0.8~18 GHz。探针测试结果表明,开关滤波器组芯片各个支路的中心插入损耗均小于8.5 dB,通带内回波损耗小于10 dB,典型带外衰减大于40 dB。为后续研发尺寸更小、性能更优的开关滤波器组提供了参考。 展开更多
关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 超宽带 多通道滤波器 带通滤波器 开关滤波器组 单片微波集成电路(mmic)
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2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC
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作者 李远鹏 陈长友 刘会东 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期706-712,共7页
基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选... 基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择,采用三串两并结构,提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现,最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄带滤波器设计,具有通带插入损耗小,阻带抑制度高等优点。末级级联低通滤波器,实现远端寄生通带抑制大于35 dBc。在片探针测试结果显示,该开关滤波器组芯片在2~6 GHz频率范围内,每个带通滤波器的插入损耗均小于8.5 dB,阻带衰减为40 dB。该芯片具有通道多、功能复杂、集成度高的特点,可应用于宽带雷达系统进行频率预选。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(mmic) 带通滤波器 低通滤波器 单刀八掷(SP8T)开关 3-8译码器 驱动器
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2~18GHz超宽带GaN分布式功率放大器MMIC 被引量:2
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作者 韩雷 边照科 +1 位作者 王生国 刘帅 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期146-150,共5页
介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的2~18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用两级非均匀分布式拓扑结构,通过调整各级管芯输出阻抗和微带线阻抗实现超宽带的功率匹配。在管芯前端增加电阻、电容并... 介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的2~18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用两级非均匀分布式拓扑结构,通过调整各级管芯输出阻抗和微带线阻抗实现超宽带的功率匹配。在管芯前端增加电阻、电容并联结构,提升各级电路稳定性并提高截止频率。为改善整体电路布局,在前级和末级放大器之间加入50Ω微带线,既可便于单侧加电,又使芯片尺寸更加合理。测试结果表明,功率放大器MMIC在2~18 GHz频带内,连续波饱和输出功率达到10 W,功率增益大于15 dB,功率附加效率大于20%。GaN非均匀分布式功率放大器MMIC在超宽带、高功率等方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 超宽带 非均匀分布式功率放大器 GAN 高效率 单片微波集成电路(mmic)
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Q波段高线性高效率GaN功率放大器MMIC 被引量:1
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作者 邬佳晟 蔡道民 +1 位作者 高学邦 陈晓宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期600-604,616,共6页
针对卫星通信和5G毫米波通信应用,基于深亚微米GaN工艺,开发了一款高功率、高线性和高效率的功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。根据器件的最大增益和负载牵引特性确定末级晶体管的总栅宽;根据增益要求采用4级放大器级联,前级、次前级... 针对卫星通信和5G毫米波通信应用,基于深亚微米GaN工艺,开发了一款高功率、高线性和高效率的功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。根据器件的最大增益和负载牵引特性确定末级晶体管的总栅宽;根据增益要求采用4级放大器级联,前级、次前级、末前级和末级的栅宽比为1∶2∶4∶8;通过对末级和前三级栅极偏置电压分别加电,实现对各级电路增益分别调节,以提高放大器的线性度;输出匹配网络中包含了二次谐波调谐电路,以降低谐波分量,提高放大器的效率,并结合片外模拟预失真电路实现线性度提升。功率放大器MMIC芯片尺寸为2.6 mm×2.1 mm。测试结果表明,在37~42 GHz,放大器的饱和输出功率大于40 dBm,功率附加效率大于30%,功率增益大于18 dB,三阶交调失真(IMD3)@36 dBm小于-30 dBc。 展开更多
关键词 Q波段 线性度 功率放大器 谐波调谐 预失真 单片微波集成电路(mmic)
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2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC 被引量:1
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作者 李士卿 何庆国 戴剑 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期224-230,共7页
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增... 基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增加接地电容,提高了放大器的高频输出阻抗,进而拓宽了带宽,提高了高频增益,并降低了噪声。在片测试结果表明,在5 V单电源电压下,在2~18 GHz内该低噪声放大器小信号增益约为26.5 dB,增益平坦度小于±1 dB,1 dB压缩点输出功率大于13.5 dBm,噪声系数小于1.5 dB,输入、输出回波损耗均小于-10 dB,工作电流为100 mA,芯片面积为2 mm×1 mm。该超宽带低噪声放大器可应用于雷达接收机系统中,有利于接收机带宽、噪声系数和体积等的优化。 展开更多
关键词 砷化镓(GaAs) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(mmic) 低噪声放大器(LNA) 共源共栅 超宽带
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Design of Drilling and Riveting Multi-functional End Effector for CFRP and Aluminum Components in Robotic Aircraft Assembly 被引量:6
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作者 Zhang Lin Tian Wei +4 位作者 Li Dawei Hong Peng Li Zhenyu Zhou Weixue Liao Wenhe 《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 EI CSCD 2018年第3期529-538,共10页
To fulfill the demands for higher quality,efficiency and flexibility in aviation industry,a multi-functional end effector is designed to automate the drilling and riveting processes in assembling carbon fiber reinforc... To fulfill the demands for higher quality,efficiency and flexibility in aviation industry,a multi-functional end effector is designed to automate the drilling and riveting processes in assembling carbon fiber reinforced polymer(CFRP)and aluminum components for a robotic aircraft assembly system.To meet the specific functional requirements for blind rivet installation on CFRP and aluminum materials,additional modules are incorporated on the end effector aside of the basic processing modules for drilling.And all of these processing modules allow for a onestep-drilling-countersinking process,hole inspection,automatic rivet feed,rivet geometry check,sealant application,rivet insertion and installation.Besides,to guarantee the better quality of the hole drilled and joints riveted,several online detection and adjustment measures are applied to this end effector,including the reference detection and perpendicular calibration,which could effectively ensure the positioning precision and perpendicular accuracy as demanded.Finally,the test result shows that this end effector is capable of producing each hole to a positioning precision within ±0.5 mm,aperpendicular accuracy within 0.3°,a diameter tolerance of H8,and a countersink depth tolerance of±0.01 mm.Moreover,it could drill and rivet up to three joints per minute,with acceptable shearing and tensile strength. 展开更多
关键词 robotic aircraft assembly CFRP and aluminum components automatic drilling and riveting multi-functional end effector online detection and adjustment
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用于毫米波相控阵的U波段10W GaN功率放大器MMIC 被引量:1
15
作者 柯鸣岗 阮文州 +1 位作者 夏侯海 杨卅男 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期605-610,共6页
基于0.15μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm。电路级间引入增益补偿网络(G... 基于0.15μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm。电路级间引入增益补偿网络(GCN),并与偏置网络结合,提高电路稳定性的同时可降低插入损耗;输出级匹配电路使用威尔金森功率合成器及簇丛式结构实现8路功率合成,同时保证阻抗匹配效果及漏极供电能力,提高放大器的输出功率与效率。测试结果表明,在40~50 GHz工作频带内,在栅极工作电压为-1.4 V,漏极工作电压28 V的工作条件下,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于40 dBm,功率增益大于15 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于2,功率附加效率(PAE)大于20%。 展开更多
关键词 功率放大器 GAN U波段 增益补偿网络(GCN) 功率合成 单片微波集成电路(mmic)
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Development of a novel multi-functional integrated bioconjugate effectively targeting K-Ras mutant pancreatic cancer 被引量:1
16
作者 Yang-Yang Wang Liang Li +4 位作者 Xiu-Jun Liu Qing-Fang Miao Yi Li Meng-Ran Zhang Yong-Su Zhen 《Journal of Pharmaceutical Analysis》 SCIE CAS CSCD 2022年第2期232-242,共11页
Folate receptor(FR)overexpression occurs in a variety of cancers,including pancreatic cancer.In addition,enhanced macropinocytosis exists in K-Ras mutant pancreatic cancer.Furthermore,the occurrence of intensive desmo... Folate receptor(FR)overexpression occurs in a variety of cancers,including pancreatic cancer.In addition,enhanced macropinocytosis exists in K-Ras mutant pancreatic cancer.Furthermore,the occurrence of intensive desmoplasia causes a hypoxic microenvironment in pancreatic cancer.In this study,a novel FR-directed,macropinocytosis-enhanced,and highly cytotoxic bioconjugate folate(F)-human serum albumin(HSA)-apoprotein of lidamycin(LDP)-active enediyne(AE)derived from lidamycin was designed and prepared.F-HSA-LDP-AE consisted of four moieties:F,HSA,LDP,and AE.F-HSA-LDP presented high binding efficiency with the FR and pancreatic cancer cells.Its uptake in wild-type cells was more extensive than in K-Ras mutant-type cells.By in vivo optical imaging,F-HSA-LDP displayed prominent tumor-specific biodistribution in pancreatic cancer xenograft-bearing mice,showing clear and lasting tumor localization for 360 h.In the MTT assay,F-HSA-LDP-AE demonstrated potent cytotoxicity in three types of pancreatic cancer cell lines.It also induced apoptosis and caused G2/M cell cycle arrest.F-HSALDP-AE markedly suppressed the tumor growth of AsPc-1 pancreatic cancer xenografts in athymic mice.At well-tolerated doses of 0.5 and 1 mg/kg,(i.v.,twice),the inhibition rates were 91.2%and 94.8%,respectively(P<0.01).The results of this study indicate that the F-HSA-LDP multi-functional bioconjugate might be effective for treating K-Ras mutant pancreatic cancer. 展开更多
关键词 Pancreatic cancer Folate receptor multi-functional Macropinocytosis-enhanced BIOCONJUGATE K-RAS PEGYLATION
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Ka波段40W功率放大器MMIC的设计和实现
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作者 王彪 王生国 +3 位作者 刘帅 李静强 付兴中 许春良 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期403-407,共5页
采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路... 采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路稳定性,末级器件采用改进型电抗式Bus-bar总线合成匹配网络,在保证各路平衡性的同时,调整器件电压和电流波形,提高电路的输出功率和功率附加效率。测试结果表明,在34~36 GHz频带内,放大器MMIC的饱和输出功率达到40 W,功率增益达到18 dB,功率附加效率达到30%。该功率放大器可有效改善毫米波发射系统的信号传输距离和作用精度。 展开更多
关键词 功率放大器(PA) KA波段 GAN 单片微波集成电路(mmic) 大功率 高效率
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2~6 GHz紧凑型、高效率GaN MMIC功率放大器 被引量:1
18
作者 邬佳晟 蔡道民 《太赫兹科学与电子信息学报》 2023年第8期1054-1058,1064,共6页
基于0.25μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,根据有源器件的G_(max)和输出功率密度,选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗;采用三级放大器,其栅宽比为1:4:16,实现高功率增益和高效率;利用等Q匹配技术,把偏置电路融入匹配... 基于0.25μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,根据有源器件的G_(max)和输出功率密度,选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗;采用三级放大器,其栅宽比为1:4:16,实现高功率增益和高效率;利用等Q匹配技术,把偏置电路融入匹配电路中,实现简单、低损耗和宽带阻抗变换;借助电磁场寄生参数提取技术实现紧凑型芯片版图,尺寸为2.8 mm×2.0 mm。测试结果表明,偏置条件漏极电压U_(D)=28 V、U_(G)=-2.2 V,在2~6 GHz频率范围内,功率放大器增益大于24 dB,饱和输出功率大于43 dBm,功率附加效率大于45%,可广泛应用于电子对抗和电子围栏等领域。 展开更多
关键词 紧凑 功率附加效率 宽带 增益 微波单片集成电路
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X波段双模功率MMIC设计
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作者 刘新宇 郭润楠 张斌 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第2期181-186,共6页
基于有源负载调制的多阻抗匹配技术,采用0.25μm GaN HEMT工艺,研制了一款工作在X波段双模功率放大器芯片,使功率放大器在峰值及回退10 dB两种输出功率模式下均具有较高的效率。采用对称双路三级放大拓扑设计,利用多阻抗匹配与电压切换... 基于有源负载调制的多阻抗匹配技术,采用0.25μm GaN HEMT工艺,研制了一款工作在X波段双模功率放大器芯片,使功率放大器在峰值及回退10 dB两种输出功率模式下均具有较高的效率。采用对称双路三级放大拓扑设计,利用多阻抗匹配与电压切换方式实现双模工作。主功放设计兼顾高功率与低功率模式下的输出功率与效率;辅功放兼顾低功率模式下输出匹配网络呈现高阻状态与高功率模式下匹配网络实现宽带匹配两种状态。测试结果表明,在25℃环境温度、脉宽100μs、占空比10%脉冲测试下,8.5~13.0 GHz频率范围内,功率放大器的高功率模式饱和输出功率最高可达47.5 dBm,功率附加效率最高达到43%;10~12 GHz频率范围内,低功率模式输出功率可达37 dBm,功率附加效率最高达到27%。 展开更多
关键词 负载调制 氮化镓(GaN) 双模 功率放大器 单片微波集成电路(mmic) 高电子迁移率晶体管(HEMT)
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A design and application of compound multi-functional sensor in wood-based panel processing
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作者 XU Kai-hong ZHOU Ding-guo 《Journal of Forestry Research》 SCIE CAS CSCD 2006年第4期319-322,共4页
A compound multi-functional sensor was designed by the study on the on-line testing technology of wood-based panels, and its properties of shape, functions, size, resistance to special environment were studied in deta... A compound multi-functional sensor was designed by the study on the on-line testing technology of wood-based panels, and its properties of shape, functions, size, resistance to special environment were studied in details. The operational principles of different sensors, technical flow of manufacturing, development of software systems of special functions, and the assessments of technical specification were also be introduced. This sensor adopted many new technologies, such as the applications of piezoresistant effect and heat sensitive effect can effectively measure the pressure and temperature, digital signal processing technology was used to extract and treat signals, and resist interference, encapsulation technology was used to keep the normal run of sensor under a harsh environment. Thus, the on-line compound multi-functional temperature/pressure sensor can be applied better to supervise the production of wood-based panels. All technical specifications of the compound multi-functional sensor were tested and the results met the requirements of the equipments. 展开更多
关键词 Wood-based panel processing multi-functional sensor Piezoresistant effect Heat sensitive effect
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