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Theory of Dynamics In-Phase Locking and Quasi-Period Synchronization in Two Mutually Coupled Multi-Quantum-Well Lasers 被引量:1
1
作者 YAN Sen-Lin 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2011年第3期481-488,共8页
Abstract We study dynamics in two mutually coupling multi-quantum-well lasers. We carry out theoretical and numerical analysis of synchronization, anti-synchronization, in-phase locking in the two identical lasers but... Abstract We study dynamics in two mutually coupling multi-quantum-well lasers. We carry out theoretical and numerical analysis of synchronization, anti-synchronization, in-phase locking in the two identical lasers but detuning, in detain. It is proved that the coupling level determines stability of the lasers by analyzing the eigenvalue equation. Critical case of locking is discussed via the phase difference equation. Quasi-period and stable states in the two lasers are investigated via varying the current, detuning and coupling level. 展开更多
关键词 in-phase locking SYNCHRONIZATION multi-quantum-well laser COUPLING
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Dynamic characteristics in an external-cavity multi-quantum-well laser
2
作者 Sen-Lin Yan 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第6期185-194,共10页
This paper outlines our studies of bifurcation, quasi-periodic road to chaos and other dynamic characteristics in an external-cavity multi-quantum-well laser with delay optical feedback. The bistable state of the lase... This paper outlines our studies of bifurcation, quasi-periodic road to chaos and other dynamic characteristics in an external-cavity multi-quantum-well laser with delay optical feedback. The bistable state of the laser is predicted by finding theoretically that the gain shifts abruptly between two values due to the feedback. We make a linear stability analysis of the dynamic behavior of the laser. We predict the stability scenario by using the characteristic equation while we make an approximate analysis of the stability of the equilibrium point and discuss the quantitative criteria of bifurcation. We deduce a formula for the relaxation oscillation frequency and prove theoretically that this formula function relates to the loss of carriers transferring between well regime and barrier regime, the feedback level, the delayed time and the other intrinsic parameters. We demonstrate the dynamic distribution and double relaxation oscillation frequency abruptly changing in periodic states and find the multi-frequency characteristic in a chaotic state. We illustrate a road to chaos from a stable state to quasi-periodic states by increasing the feedback level. The effects of the transfers of carriers and the escaping of carriers on dynamic behavior are analyzed, showing that they are contrary to each other via the bifurcation diagram. Also,we show another road to chaos after bifurcation through changing the linewidth enhancement factor, the photon loss rate and the transfer rate of carriers. 展开更多
关键词 BIFURCATION CHAOS multi-quantum-well laser optical feedback
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1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
3
作者 段阳 林中晞 苏辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期90-97,共8页
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,... 针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。 展开更多
关键词 半导体激光器 碰撞锁模 InP基材料 InGaAs/InGaAsP多量子阱
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多量子阱钙钛矿半导体合成及光伏性能表征的综合实验设计
4
作者 武光宝 夏俊民 陈润锋 《大学物理实验》 2024年第5期27-33,共7页
随着全球能源需求的持续增长和环境保护意识的加强,开发和利用可再生能源成为了当务之急。在这一背景下,钙钛矿光伏电池以其高效率和低成本的特性受到了广泛研究。本文介绍了一个综合物理实验,即多量子阱钙钛矿的合成及其光伏性能的表... 随着全球能源需求的持续增长和环境保护意识的加强,开发和利用可再生能源成为了当务之急。在这一背景下,钙钛矿光伏电池以其高效率和低成本的特性受到了广泛研究。本文介绍了一个综合物理实验,即多量子阱钙钛矿的合成及其光伏性能的表征。实验旨在通过合成多量子阱钙钛矿材料并评估其在光伏应用中的性能,以培养学生的科研兴趣和实践技能。实验内容包括:多量子阱钙钛矿材料的合成,采用层间插层策略引入不同尺寸的有机阳离子,以调控材料的结构与相分布;通过X射线衍射和吸收-发光光谱技术对材料的晶体结构、结晶性、光学和电学性质进行表征;制备钙钛矿光伏电池并通过电流-电压曲线评估其光电转换效率。本实验有望使学生深入理解材料物理、器件物理和光伏技术的基本概念,激发他们在新能源领域的研究兴趣,为他们未来的科研活动或职业生涯提供实践经验和技术基础。实验的设计兼顾了教学的全面性和科研的前沿性,有望在物理及相关学科的教学改革中起到积极作用。 展开更多
关键词 多量子阱钙钛矿 光伏效应 光电性质 综合物理实验
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一款多色叠层量子阱红外探测器的读出电路设计
5
作者 张露漩 于艳 李敬国 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期746-749,共4页
一款完整的红外焦平面探测器主要包含探测器件、读出电路、封装结构和制冷组件。目前根据不同应用场景,探测波段范围不断变宽、探测灵敏度需求提高、成像速度要求加快,对探测器设计提出了更严格、更复杂的指标要求。其中,读出电路将探... 一款完整的红外焦平面探测器主要包含探测器件、读出电路、封装结构和制冷组件。目前根据不同应用场景,探测波段范围不断变宽、探测灵敏度需求提高、成像速度要求加快,对探测器设计提出了更严格、更复杂的指标要求。其中,读出电路将探测光信号转换为电信号传输至系统,是探测器组件的关键核心模块。本文设计了一款对应多色叠层量子阱型器件的红外焦平面探测器读出电路,能够实现同时间、同空间对四波段信号进行探测,并且同时读出,四波段信号的探测积分与读出之间没有互相干扰。探测器规格640×512,像元间距50μm(四波段),各波段信号可实现分时积分、分别可调,采用边积分边读出工作模式,读出帧频可达到四波段探测时≥50 Hz,电路噪声≤0.5 mV,动态范围≥70 dB,电功耗≤600 mW,是一款超大规模低噪声高帧频的高性能读出电路。 展开更多
关键词 多色 量子阱 红外探测器 读出电路
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InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应 被引量:10
6
作者 黄绍艳 刘敏波 +3 位作者 王祖军 唐本奇 肖志刚 张勇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1024-1028,共5页
本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。... 本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升。 展开更多
关键词 多量子阱激光二极管 Γ射线 辐射效应
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多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析 被引量:9
7
作者 潘炜 张晓霞 +2 位作者 罗斌 吕鸿昌 陈建国 《量子电子学报》 CAS CSCD 1999年第4期324-328,337,共6页
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELs的速率方程,并给出了其方程的严格解析解.在此基础之上,讨论了VCSELs的稳态特性,并与普通开腔和三维... 依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELs的速率方程,并给出了其方程的严格解析解.在此基础之上,讨论了VCSELs的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较.给出了VCSELs中阈值电流密度,光输出和自发辐射与器件结构参数(阱层数,阱宽和势垒厚度)之间的依赖关系.这对于VCSELs的理论研究和优化器件结构将会有所裨益. 展开更多
关键词 垂直腔面发射 半导体激光器 VCSELS 速率方程
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具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性 被引量:5
8
作者 王小丽 王文新 +5 位作者 江洋 马紫光 崔彦翔 贾海强 宋京 陈弘 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1152-1158,共7页
研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光... 研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光致发光(PL)谱均出现了双发光峰。我们认为这两个峰分别来自于量子点和量子阱,且存在着载流子从阱向点转移的输运机制。最后变温PL积分强度的Arrhenius拟合表明,SL插入结构并没有在MQW中引入新的缺陷,使其发光效率下降。 展开更多
关键词 INGAN/GAN多量子阱 超晶格 电致发光 光致发光
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一种模数混合的PGC解调方案 被引量:6
9
作者 宫铭举 邓越 +3 位作者 乔东海 邵敏 李国新 杨富强 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期538-540,共3页
分析了相位载波(PGC)技术的模拟数字混合解调方案,提出了一种改进的模拟数字混合系统。此系统可降低采样频率,消除寄生调幅的影响,同时克服了因载波漂移带来的解调困难。采用多量子阱激光器作为光源,使载波信号工作在较高的频率... 分析了相位载波(PGC)技术的模拟数字混合解调方案,提出了一种改进的模拟数字混合系统。此系统可降低采样频率,消除寄生调幅的影响,同时克服了因载波漂移带来的解调困难。采用多量子阱激光器作为光源,使载波信号工作在较高的频率范围(0-20MHz),从而提高了系统带宽和动态范围。试验表明,通过该方案建立的系统满足解调要求。由于较低的采样频率,该方案适合时分复用的光纤传感器阵列。 展开更多
关键词 相位载波 模拟数字混合系统 采样频率 载波频率 寄生调幅 多量子阱激光器
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InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响 被引量:3
10
作者 于永芹 黄柏标 +7 位作者 尉吉勇 潘教青 周海龙 齐云 陈文澜 秦晓燕 张晓阳 任忠祥 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期345-349,共5页
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效... 本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。 展开更多
关键词 InGaAs/AlGaAs量子阱 量子尺寸效应 MOCVD 应变效应 金属有机物化学气相淀积 铟钙砷化合物 铝钙砷
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多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析 被引量:5
11
作者 吴文光 范广涵 +2 位作者 沈为民 金尚忠 徐时清 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期651-654,共4页
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器... 采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。 展开更多
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 多量子阱 阈值电流密度
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Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的光荧光表征 被引量:2
12
作者 蔡炜颖 李志锋 +4 位作者 李宁 陆卫 沈学础 周均铭 黄绮 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期66-68,共3页
对 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱 (μ- PL)测量 ,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直接与势垒中 Al含量相关 ,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算 ,获... 对 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱 (μ- PL)测量 ,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直接与势垒中 Al含量相关 ,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算 ,获得了 Al组分和阱宽值 ,并由此推算出相应的红外探测响应波长 ,与光电流谱的实验结果相比吻合良好 . 展开更多
关键词 量子阱 红外探测器 多量子阱 峰值响应波长 显微荧光光谱 铝组分 势阱宽度 GaAs ALGAAS
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MQW EA调制器用于短脉冲光子源驱动条件的优化设计 被引量:3
13
作者 丁永奎 谭莉 +2 位作者 田贺斌 贾东方 李世忱 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期536-540,共5页
本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.数值计算结果证明EAM产生的脉冲形状比较接近Gauss脉冲,具有较小的啁啾,接近于变换限的光脉冲,十分适... 本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.数值计算结果证明EAM产生的脉冲形状比较接近Gauss脉冲,具有较小的啁啾,接近于变换限的光脉冲,十分适用于高速时分复用系统. 展开更多
关键词 MQW EA 短脉冲 光子源 驱动条件 优化设计 多量子阱电吸收调制器 量子限制 STARK效应 啁啾 线宽增强因子 时间带宽积 光通信
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双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性 被引量:3
14
作者 陈献文 吴乾 +4 位作者 李述体 郑树文 何苗 范广涵 章勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期190-193,共4页
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进... 为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射. 展开更多
关键词 INGAN/GAN多量子阱 双波长 发光二极管 金属有机化学气相沉积
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Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光 被引量:1
15
作者 叶志镇 林时胜 +8 位作者 何海平 顾修全 陈凌翔 吕建国 黄靖云 朱丽萍 汪雷 张银珠 李先杭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1433-1435,共3页
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推... 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用. 展开更多
关键词 LED Na掺杂 P型ZNO ZnO/ZnMgO多量子阱
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立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备 被引量:1
16
作者 朱丽萍 叶志镇 +2 位作者 赵炳辉 倪贤锋 赵浙 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期448-450,共3页
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置 ,能够较好的调节反应气体的流动状态 ,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型Ga... 自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置 ,能够较好的调节反应气体的流动状态 ,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型GaN以及多量子阱多层结构材料 ,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管 ,性能良好 ,具有实用价值。 展开更多
关键词 MOCVD GAN 外延生长 多量子阱 发光二极管
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GaN基激光器多量子阱垒材料的研究 被引量:1
17
作者 陈伟华 廖辉 +6 位作者 胡晓东 李睿 贾全杰 金元浩 杜为民 杨志坚 张国义 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1441-1444,共4页
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,... 在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。 展开更多
关键词 GAN基激光器 多量子阱(MQWs) ALINGAN 垒材料
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垂直腔面发射半导体激光器输出特性的分析 被引量:1
18
作者 张晓霞 潘炜 罗斌 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 1999年第4期480-484,共5页
依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应,分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应,比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果。从理论上推出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。并讨论了其输出特性即粒子数反转和光输出随泵浦... 依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应,分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应,比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果。从理论上推出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。并讨论了其输出特性即粒子数反转和光输出随泵浦速率变化的关系,同时也讨论了利用微腔效应进一步降低半导体激光器激射阈值的途径。 展开更多
关键词 半导体激光器 自发辐射 封闭腔 VCSELS 输出特性
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组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响 被引量:1
19
作者 单含 李梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期68-71,共4页
通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条... 通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量。利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6~2.28μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV。 展开更多
关键词 GaSb衬底 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 X射线双晶衍射 发光性质
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GaN基蓝光LED峰值波长蓝移现象分析及解决措施 被引量:6
20
作者 刘一兵 《湖南工业大学学报》 2008年第3期87-90,共4页
分析了引起GaN基蓝光LED峰值波长不稳定的原因,它是由多量子阱区内极化效应引起的量子限制斯塔克效应造成的。讨论了通过弱化压电场,采用四元系结构,优化外延材料的生长条件和总应变量等措施来提高波长的稳定性,并指出了提高GaN基蓝光LE... 分析了引起GaN基蓝光LED峰值波长不稳定的原因,它是由多量子阱区内极化效应引起的量子限制斯塔克效应造成的。讨论了通过弱化压电场,采用四元系结构,优化外延材料的生长条件和总应变量等措施来提高波长的稳定性,并指出了提高GaN基蓝光LED峰值波长稳定性的最优方案。 展开更多
关键词 氮化镓 蓝光LED 峰值波长蓝移 压电效应 多量子阱
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