多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件

用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI

一种新型介质槽隔离SiCOIMESFET

提出了一种新型的 Si COIMESFET器件结构 ,即介质槽隔离 Si COIMESFET。模拟结果表明 ,新型结构器件与常规平面 Si COI MESFET器件相比 ,击穿电压得到很大提高 ,从 3 80 V提高到近 1 1 0 0 V,而饱和漏电流和跨导下降。但通过器件结构的优化设计可以保障在击穿电压提高的同时漏电流和跨导不会发生大的退化。该器件结构为高温、抗辐照和大功率集成电路研制打下基础。

一种新的V形槽腐蚀方法

本文介绍一种新的V形槽腐蚀方法。这种方法是在原KOH腐蚀剂的基础上,增加异丙醇,乙醇等缓冲剂和严格温度控制,获得良好的V形槽,电路芯片面积可以进一步减小。同时,为了便于磨抛,在电路划片间距内增设磨抛标志,保证单晶层厚度和质量。