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Design of 256 bit single-poly MTP memory based on BCD process
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作者 KIM Kwang-il KIM Min-sung +3 位作者 PARK Young-bae PARK Mu-hun HA Pan-bong KIM Young-hee 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2012年第12期3460-3467,共8页
We propose a single-poly MTP (multi-time programmable) cell consisting of one capacitor and two transistors based on MagnaChip's BCD process. The area of a unit cell is 37.743 75μm^2. The proposed single-poly MTP ... We propose a single-poly MTP (multi-time programmable) cell consisting of one capacitor and two transistors based on MagnaChip's BCD process. The area of a unit cell is 37.743 75μm^2. The proposed single-poly MTP cell is erased and programmed by the FN tunnelling scheme. We design a 256 bit MTP memory for PMICs (power management ICs) using the proposed single-poly MTP cells. For small-area designs, we propose a selection circuit between V10V and VSV, and a WL (word-line) driver by simplifying its logic circuit. We reduce the total layout area by using pumped internal node voltages from a seven-stage cross-coupled charge pump for V10V (=10 V) and V5V (=5 V) without any additional charge pumps. The layout size of the designed 256 bit MTP memory is 618.250 μm × 437.425μm. 展开更多
关键词 multi-time programmable memory PMIC cross-coupled charge pump
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一种面向无源RFID电子标签的电流灵敏放大器设计 被引量:1
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作者 李文晓 李建成 +2 位作者 李聪 王震 尚靖 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2014年第12期2361-2366,共6页
提出了一种适用于无源射频识别RFID电子标签中多次可编程MTP非易失性存储器NVM的新型电流灵敏放大器结构。该电路在不增加面积的情况下具有低功耗、高速度、高可靠性和高灵敏度的优越性能。基于GSMC 0.13μm-CMOS工艺下的仿真结果表明,... 提出了一种适用于无源射频识别RFID电子标签中多次可编程MTP非易失性存储器NVM的新型电流灵敏放大器结构。该电路在不增加面积的情况下具有低功耗、高速度、高可靠性和高灵敏度的优越性能。基于GSMC 0.13μm-CMOS工艺下的仿真结果表明,新型灵敏放大器在-40℃-80℃的环境下具有很高的读取速度,且能够工作在低电压(0.8V)下。在1.2V工作电压、27℃室温下电路的读出延时是10.5ns,平均功耗为6.1μW@25MHz,分辨率可达到33nA。 展开更多
关键词 灵敏放大器 射频识别 非易失性存储器 mtp 低功耗
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多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析 被引量:2
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作者 王宇龙 王明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期65-69,共5页
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温... 基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过10^(4)次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。 展开更多
关键词 嵌入式非易失性存储器(eNVM) 多次可编程(mtp)存储器 数据保持能力 Arrhenius模型 加速老化试验 激活能
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