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Volume and Surface Nucleation of Crystals in Glass Based on Blast-Furnace Slag
1
作者 Galina A. Sycheva 《Journal of Crystallization Process and Technology》 2017年第2期11-47,共37页
Using differential thermal analysis, X-ray phase analysis, electron microscopy, and optical microscopy, the nucleation of crystals in glass obtained by blending metallurgical slag with silicon dioxide has been studied... Using differential thermal analysis, X-ray phase analysis, electron microscopy, and optical microscopy, the nucleation of crystals in glass obtained by blending metallurgical slag with silicon dioxide has been studied. The type of crystallization (homogeneous or heterogeneous, volume or surface) is revealed for each of nine compositions of synthesized glass. It is shown that the first crystalline phase in a volume crystallizing glass is perovskite (CaO·TiO2);in this phase a nucleation of the main phase occurs: melilite (solid solution of gehlenite 2CaO·Al2O3·SiO2 in akermanite 2CaO·MgO·2SiO2). The fundamental characteristics of homogeneous (for a catalizing phase, perovskite) and heterogeneous (for a catalyzed phase, melilite) of crystallization are determined: the steady state nucleation rate Ist, time of unsteady state nucleation τ, crystal growth rate U, and activation energy of frictional flow. The temperature dependences of Ist, τ, and U are obtained. The kinetics of the crystallization of glass is studied and the rates of the surface crystal growth are determined in the glass of nine compositions. The influence of grinding the particles of the original glass on the sequence of deposition of the crystalline phases was studied. Practical recommendations are presented for the use of blast-furnace slag as a raw material for the synthesis of glass and their further utilization. 展开更多
关键词 GLASS Based on BLAST-furnace SLAG VOLUME NUCLEATION Catalyzed VOLUME NUCLEATION SURFACE crystal growth and NUCLEATION
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基于8英寸的碳化硅单晶生长炉技术
2
作者 靳丽岩 王毅 +3 位作者 王宏杰 武昕彤 郭帝江 师开鹏 《电子工艺技术》 2024年第3期46-49,62,共5页
碳化硅是制作高温、高频、大功率以及高压器件的理想材料之一。为提高生产效率并降低成本,大尺寸碳化硅衬底的制备是重要发展方向。针对8英寸碳化硅单晶生长的工艺需求,分析了碳化硅物理气相输运法生长机理,研究了碳化硅单晶生长炉的加... 碳化硅是制作高温、高频、大功率以及高压器件的理想材料之一。为提高生产效率并降低成本,大尺寸碳化硅衬底的制备是重要发展方向。针对8英寸碳化硅单晶生长的工艺需求,分析了碳化硅物理气相输运法生长机理,研究了碳化硅单晶生长炉的加热系统、坩埚旋转、工艺参数控制技术,通过热场模拟仿真分析和工艺试验,成功制备生长了8英寸晶体。 展开更多
关键词 碳化硅 8英寸 物理气相输运 单晶生长炉
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红外测温仪在碳化硅单晶生长炉中的应用
3
作者 靳丽岩 《电子工艺技术》 2024年第4期51-55,共5页
碳化硅单晶生长炉的温度监测及控制是碳化硅晶体生长工艺的关键。针对碳化硅单晶生长炉的高温测量需求及使用工况,分析了红外测温仪测温的工作原理及分类,研究了碳化硅单晶生长炉的测温结构及温度控制技术。通过引入模糊PID算法实现了... 碳化硅单晶生长炉的温度监测及控制是碳化硅晶体生长工艺的关键。针对碳化硅单晶生长炉的高温测量需求及使用工况,分析了红外测温仪测温的工作原理及分类,研究了碳化硅单晶生长炉的测温结构及温度控制技术。通过引入模糊PID算法实现了热场温度的稳定控制,经过升温测试试验,达到碳化硅工艺生长的要求。 展开更多
关键词 碳化硅 单晶生长炉 红外测温仪 高温测量
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碲锌镉晶体VGF法生长温场的梯度区高度设计研究 被引量:1
4
作者 刘江高 范叶霞 +4 位作者 侯晓敏 折伟林 王丛 吴卿 曹聪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1222-1226,共5页
本文对不同梯度区高度的VGF法温场生长碲锌镉(CdZnTe)晶体过程进行了稳态和非稳态仿真模拟分析。研究发现,晶体生长等径初期界面凸度随着梯度区高度的增加而减小;等径末期界面凸度受梯度区高度的影响不大;界面的凸度与固液界面温度梯度... 本文对不同梯度区高度的VGF法温场生长碲锌镉(CdZnTe)晶体过程进行了稳态和非稳态仿真模拟分析。研究发现,晶体生长等径初期界面凸度随着梯度区高度的增加而减小;等径末期界面凸度受梯度区高度的影响不大;界面的凸度与固液界面温度梯度变化率正相关。非稳态模拟结果显示,现有变温条件下,晶体生长过程中固液界面凸度存在先增大后减小的趋势,趋势转变点接近梯度区高度中点;界面形状的变化趋势受固液界面上生长速度分布直接影响;对比而言,10 cm高的梯度区更容易实现前中期固液界面凸界面的获得,利于形成高单晶率CdZnTe晶体。 展开更多
关键词 碲锌镉晶体 垂直梯度凝固法 温场设计
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旋转编码开关在PLC项目中的应用
5
作者 田有益 沈勇 《电子设计工程》 2023年第16期126-129,133,共5页
针对PLC项目中的某些参数调节问题,研究了带按键旋转编码开关的工作原理及使用方法。基于西门子S7-1200系列PLC设计了实验,包括硬件配置、接线图及程序设计。通过研究带按键旋转编码开关的工作原理,并对其输出信号进行了分析。根据元件... 针对PLC项目中的某些参数调节问题,研究了带按键旋转编码开关的工作原理及使用方法。基于西门子S7-1200系列PLC设计了实验,包括硬件配置、接线图及程序设计。通过研究带按键旋转编码开关的工作原理,并对其输出信号进行了分析。根据元件输出特性对PLC进行编程,完成了对开关旋转方向的判别及信号提取。经实验验证,该设计能够实现对参数增减的灵活调节功能,带按键旋转编码开关具有可靠性高、操作便捷、控制精准、调节范围广等特点,将其应用到基于PLC的晶体生长炉控制系统中,使得对晶体生长控制系统的操作更加便捷。 展开更多
关键词 旋转编码开关 PLC 晶体生长炉 参数调节
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含钛高炉渣中CaO和MnO对钙钛矿结晶的影响 被引量:24
6
作者 李玉海 娄太平 隋智通 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期1-4,共4页
含钛高炉渣中钛组分弥散分布于多种矿物相中 ,很难直接用选矿方法分离。在高炉渣中加入 Ca O和 Mn O可使钛富集于充分结晶长大的钙钛矿相中 ,为选矿分离创造必要条件。作者借助多视场图像分析及粘度测定研究了 Ca O、Mn O对钙钛矿相结... 含钛高炉渣中钛组分弥散分布于多种矿物相中 ,很难直接用选矿方法分离。在高炉渣中加入 Ca O和 Mn O可使钛富集于充分结晶长大的钙钛矿相中 ,为选矿分离创造必要条件。作者借助多视场图像分析及粘度测定研究了 Ca O、Mn O对钙钛矿相结晶的影响。实验结果表明 :Ca O加入量对钙钛矿结晶及晶体生长有双重影响。加入适量 Ca O,有利于钙钛矿相结晶量的增加 ,但 Ca O加入量过多 ,使熔渣粘度及熔化性温度显著提高 ,反而抑制钙钛矿结晶长大。加入适量 Mn O可显著降低熔渣粘度及熔化性温度 ,促进钙钛矿结晶长大。随 Ca O加入量提高 ,钙钛矿由粗大的树枝晶转变为细小等轴晶 ,说明加入过多 Ca O不利于钙钛矿晶体粗化。 展开更多
关键词 高炉渣 钙钛矿 结晶 晶体生产 CAO MNO
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晶体生长炉的PID神经网络温度控制算法 被引量:7
7
作者 仲元昌 郭耿涛 +1 位作者 贾年龙 赵贞贞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1302-1307,共6页
本文采用了数字PID与神经网络相融合的晶体生长炉温度测控方法,设计了生长晶体的PID神经网络温度控制器,并用FPGA(Field Programmable Gate Array)实现了PID神经网络的并行结构;神经网络采用符合32位IEEE754的单精度浮点数运算单元。理... 本文采用了数字PID与神经网络相融合的晶体生长炉温度测控方法,设计了生长晶体的PID神经网络温度控制器,并用FPGA(Field Programmable Gate Array)实现了PID神经网络的并行结构;神经网络采用符合32位IEEE754的单精度浮点数运算单元。理论分析和仿真结果表明:该PID神经网络温度控制器具有很高的控制精度和响应速度,有利于提高晶体生长炉的控温精度和加热效率。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 晶体生长炉 神经网络 浮点
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轴向磁场对硅单晶Czochralski生长过程的影响 被引量:8
8
作者 李友荣 余长军 +1 位作者 吴双应 彭岚 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期249-254,共6页
利用有限元方法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定,模拟磁场强度范围为(0-0.3)T,研究了用Czochralski(Cz)法生长单晶硅轴向磁场对熔体流动和氧... 利用有限元方法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定,模拟磁场强度范围为(0-0.3)T,研究了用Czochralski(Cz)法生长单晶硅轴向磁场对熔体流动和氧传输过程的影响.结果表明:轴向磁场可有效地抑制熔体内的流动,但增大加热器功率和结晶界面处晶体内的轴向温度梯度;对于常规Cz炉,轴向磁场可增大结晶界面平均氧浓度,而对于具有气体导板的Cz炉,则会减小结晶界面平均氧浓度. 展开更多
关键词 材料科学基础学科 全局分析 有限元方法 硅Cz炉 轴向磁场
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全自动提拉单晶炉系统控制技术 被引量:4
9
作者 李金 何晔 +6 位作者 佘建军 付昌禄 宋晓佳 母江东 邓力 何根华 陈川贵 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第1期140-143,共4页
详细阐述了一种全新单晶炉自动控制系统,该系统采用工业控制计算机为数据控制核心,上称重控制传感器进行晶体数据采集,利用感应加热或电阻加热方式控制单晶炉温场。通过对单晶炉控制系统特性研究和热场模型的正确推导,有效解决了系统温... 详细阐述了一种全新单晶炉自动控制系统,该系统采用工业控制计算机为数据控制核心,上称重控制传感器进行晶体数据采集,利用感应加热或电阻加热方式控制单晶炉温场。通过对单晶炉控制系统特性研究和热场模型的正确推导,有效解决了系统温场及晶体结晶过程中引发的大滞后及系统非线性控制问题。试验结果表明,该系统控制稳定可靠,各项性能指标均达到国际先进水平。 展开更多
关键词 晶体生长 单晶炉 上称重
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模糊自整定PID在单晶炉温度控制中的仿真 被引量:9
10
作者 雷华桢 王东方 郑凤琴 《机械设计与制造》 北大核心 2009年第10期143-145,共3页
针对焦炉温度大惯性、纯滞后、非线性和时变性等特点,结合PID和模糊控制两者的优点,提出了一种模糊自整定PID控制方法。对模糊自整定PID算法进行了理论分析,对焦炉生产的简化模型做了仿真研究。结果表明,采用模糊自整定PID控制,系统的... 针对焦炉温度大惯性、纯滞后、非线性和时变性等特点,结合PID和模糊控制两者的优点,提出了一种模糊自整定PID控制方法。对模糊自整定PID算法进行了理论分析,对焦炉生产的简化模型做了仿真研究。结果表明,采用模糊自整定PID控制,系统的调节时间缩短,响应速度加快,抗干扰能力和适应参数变化的能力都优于常规PID控制,具有更好的动态特性和稳定性,有效减少了炉温的波动。 展开更多
关键词 模糊控制 PID 单晶炉 仿真
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基于双摆模型的单晶炉提拉系统摆动现象动力学分析 被引量:5
11
作者 原大宁 马建平 +2 位作者 杨润 傅卫平 刘宏昭 《西安理工大学学报》 CAS 2008年第2期177-181,共5页
针对单晶炉旋转提拉系统在运行中出现的摆动现象进行了建模和数值仿真。将该旋转提拉系统简化为在支座简谐激励下的双摆力学模型,模型中考虑了提拉软轴及提拉头的质量,以及系统的阻尼。应用拉格朗日方程导出了该系统的非线性振动方程并... 针对单晶炉旋转提拉系统在运行中出现的摆动现象进行了建模和数值仿真。将该旋转提拉系统简化为在支座简谐激励下的双摆力学模型,模型中考虑了提拉软轴及提拉头的质量,以及系统的阻尼。应用拉格朗日方程导出了该系统的非线性振动方程并加以线性化,通过模态分析将耦合的双自由度振动方程化为两个单自由度方程。应用Matlab平台进行数值仿真,模拟出了提拉系统振动幅值随旋转频率的变化关系。理论分析结果与实际中观察到的现象一致。研究结果为改善提拉系统的动态性能,减小提拉系统的摆动幅值提供了理论方法和依据。 展开更多
关键词 单晶炉 提拉系统 摆动
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多加热区晶体炉温场控制研究 被引量:2
12
作者 罗军 王锦昌 +4 位作者 范世 谈晓臣 张中礼 崔维鑫 黄良甫 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期228-,共1页
在一台包含多个加热区的晶体生长实验炉中进行了温场控制实验研究。此炉的炉膛由 7个结构完全相同的陶瓷管电阻式加热器串行排列组成 ,各加热器间有隔热层 ,从而形成 7个加热区。 7对热电偶分别安装在各加热器中部管内壁上。此炉配备以I... 在一台包含多个加热区的晶体生长实验炉中进行了温场控制实验研究。此炉的炉膛由 7个结构完全相同的陶瓷管电阻式加热器串行排列组成 ,各加热器间有隔热层 ,从而形成 7个加热区。 7对热电偶分别安装在各加热器中部管内壁上。此炉配备以Intel 80c31为核心的计算机温度控制及数据采集系统。该系统采用数字PID方式独立调节 7个加热区的温度 ,从而可以编程实现多种精密控制的静态和动态温场模式 :( 1 )实现高均匀度的等温温场 ,且温场的温度可以匀速升高或降低 ;( 2 )可以用相邻的 3至 4个加热区形成近似线性的梯度温场 ;( 3)通过控制形成温度梯度的加热器和其它加热器有序的匀速降温过程 ,实现梯度温区沿炉膛轴向等速移动 ,在坩埚静止的条件下完成晶体生长。此炉工作温度小于 90 0℃ ,控温精度为± 0 .5℃ (稳态 ) /± 1 .0℃ (降温 ) ,温度梯度范围为0℃ /cm~ 2 0℃ /cm ,降温速率≤ 1℃ /min(晶体生长速率≤ 1 5mm/h)。此炉有望成为一种新型的高精度、多用途材料加工装置。 展开更多
关键词 晶体生长 生长炉 温场控制
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激光晶体炉上称重法自动直径控制(ADC)技术 被引量:4
13
作者 董淑梅 李言 +2 位作者 李留臣 王庆 楚波 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1141-1145,共5页
自动直径控制(ADC)技术是直拉法晶体生长设备的一项动直径控制方法,并从理论上分析了上称重法自动直径控制(ADC)原理,着重介绍了在传统TDL-J50A及TDL-J60激光晶体炉上自主开发的上称重法自动直径控制系统的机械结构及控制系统.使用上称... 自动直径控制(ADC)技术是直拉法晶体生长设备的一项动直径控制方法,并从理论上分析了上称重法自动直径控制(ADC)原理,着重介绍了在传统TDL-J50A及TDL-J60激光晶体炉上自主开发的上称重法自动直径控制系统的机械结构及控制系统.使用上称重法自动直径控制系统已成功地生长出φ51~76mmYAG晶体及φ51~76mm铌酸锂晶体,取得了良好的控制效果. 展开更多
关键词 激光晶体炉 自动直径控制 上称重法
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多温区空间晶体生长炉的解耦预测控制研究 被引量:3
14
作者 于强 王刚 +2 位作者 秦琳琳 郑涛 吕旭涛 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1947-1950,1973,共5页
通过传热机理分析,推导出了多温区晶体生长炉的简化线性模型,使用递推最小二乘法辨识了模型参数。研究了解耦预测控制,改进了预测控制性能指标的选取方法,不需要在线调节前馈增益矩阵,提高了控制的实时性。对系统进行控制仿真,结果表明... 通过传热机理分析,推导出了多温区晶体生长炉的简化线性模型,使用递推最小二乘法辨识了模型参数。研究了解耦预测控制,改进了预测控制性能指标的选取方法,不需要在线调节前馈增益矩阵,提高了控制的实时性。对系统进行控制仿真,结果表明,该控制方法具有良好的控制精度,为该方法的实际应用奠定了基础。 展开更多
关键词 多温区晶体生长炉 机理建模 解耦控制 预测控制
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在多工位炉上CeO_2:Bi_(12)SiO_(20)单晶生长的研究(Ⅱ)——空间生长实验部分 被引量:3
15
作者 周燕飞 王锦昌 +2 位作者 唐连安 陈诺夫 陈万春 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期283-288,共6页
掺Ce:Bi12SiO20单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为(?)10mm×40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的X射线摇摆曲线、吸... 掺Ce:Bi12SiO20单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为(?)10mm×40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的X射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体。 展开更多
关键词 CeO2:Bi12SiO20晶体 掺铈硅酸铋 晶体生长 微重力 多工位炉 喇曼光谱 光学性能 空间生长实验
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我国人工晶体生长设备的回顾与展望 被引量:3
16
作者 李留臣 薛抗美 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期328-331,共4页
本文回顾了我国人工晶体生长设备的发展历史 ,展望了人工晶体生长设备的发展前景。
关键词 中国 人工晶体 回顾 发展前景 晶体生长设备 单晶炉
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微下拉法晶体生长炉自动控制系统的研究 被引量:2
17
作者 宋晓佳 何晔 +3 位作者 屈菁菁 丁雨憧 付昌禄 陈川贵 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第2期241-243,共3页
该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式... 该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式可以生长出外形美观,内部质量好的纤维晶体。 展开更多
关键词 微下拉法 光纤 单晶炉 晶体生长 自动控制
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空间晶体生长炉温度系统建模 被引量:3
18
作者 于强 吕旭涛 +2 位作者 石春 郑涛 秦琳琳 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第13期3596-3599,共4页
简要介绍了空间晶体生长炉的结构和工作原理,根据热平衡原理建立了空间晶体生长炉的机理模型。参考机理模型确定模型结构后,用相关系数法与最小二乘法相结合的辨识方法对空间晶体生长炉进行了实验建模。最后,对所得实验模型进行了白性校... 简要介绍了空间晶体生长炉的结构和工作原理,根据热平衡原理建立了空间晶体生长炉的机理模型。参考机理模型确定模型结构后,用相关系数法与最小二乘法相结合的辨识方法对空间晶体生长炉进行了实验建模。最后,对所得实验模型进行了白性校验,验证了实验模型的有效性。 展开更多
关键词 晶体生长炉 机理建模 实验建模 相关系数法 最小二乘法 白性检验
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调质高炉渣非等温析晶动力学研究 被引量:2
19
作者 任倩倩 张玉柱 +1 位作者 龙跃 邹宗树 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期960-965,共6页
采用Factsage热力学软件模拟了调质高炉渣矿物的析出过程.结合高温综合热分析(DSC)、场发射扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了调质高炉渣的析晶过程,并根据DSC曲线用Kissinger,Ozawa和Augis-Bennett方程计算出了析晶反应的活化能.... 采用Factsage热力学软件模拟了调质高炉渣矿物的析出过程.结合高温综合热分析(DSC)、场发射扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了调质高炉渣的析晶过程,并根据DSC曲线用Kissinger,Ozawa和Augis-Bennett方程计算出了析晶反应的活化能.借助Augis-Bennett方程计算了晶体生长指数n,确定了晶化机理.结果表明:随着升温速率的增加,调质高炉渣由三维体积析晶逐渐向表面析晶转变,酸度系数为1.3和1.4的调质高炉渣在高温下的主要析出相均为镁黄长石和钙铝黄长石,析晶活化能分别为469 kJ/mol;471 kJ/mol(T_(p1)),393 kJ/mol(T_(p2)). 展开更多
关键词 调质高炉渣 析晶活化能 晶体生长指数 酸度系数 动力学
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空间晶体生长炉综合控制方法 被引量:3
20
作者 于强 俞号峰 刘威 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期87-92,共6页
空间晶体生长炉控制对象复杂,具有纯滞后、强耦合、非线性等不利于控制的特性.为实现炉温的精确控制,提出了一个空间晶体生长炉综合控制方法并通过软件来实现.将相关系数法和增广递推最小二乘法相结合,辨识系统模型,使用Hooke-Jeeves模... 空间晶体生长炉控制对象复杂,具有纯滞后、强耦合、非线性等不利于控制的特性.为实现炉温的精确控制,提出了一个空间晶体生长炉综合控制方法并通过软件来实现.将相关系数法和增广递推最小二乘法相结合,辨识系统模型,使用Hooke-Jeeves模式搜索法进行PID参数的自整定,采用PID加前馈控制的算法对系统进行仿真,使用同样的算法和控制参数对空间晶体生长炉进行实时控制,并在控制的过程中实时调整控制参数,以达到最佳的控制结果.实验结果表明,当三个温区的温度均达到700℃时,温度稳定度小于±0.3℃,满足系统设计要求.同时介绍了实现综合控制软件的基本原理、功能、特点及在实际中的应用.实际工程的应用结果表明,该软件可满足空间晶体生长炉对控制系统的要求. 展开更多
关键词 系统辨识 空间晶体生长炉 系统控制 系统仿真
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