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MEMS封装技术研究进展
被引量:
8
1
作者
李金
郑小林
+1 位作者
张文献
陈默
《微纳电子技术》
CAS
2004年第2期26-31,共6页
介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。
关键词
MEMS
封装技术
多芯片组件
倒装芯片封装
准密封封装
下载PDF
职称材料
多芯片组件互连延迟的建模及其解
被引量:
1
2
作者
来金梅
李珂
林争辉
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期336-339,共4页
多芯片组件中互连线必须采用完整的RLC分布参数模型,要得到关于这样的传输线上的既准确又有效的延迟的解比以往建立在LC或RC线模型上的求解更具有综合性。分别采用三种不同的技术对多芯片组件互连延迟进行建模,并给出了相应的解。
关键词
多芯片组件
互连延迟
MCM
IC
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职称材料
计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型
被引量:
1
3
作者
张鸿欣
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期286-289,共4页
提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次...
提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次单元 )的上表面温度 ,作为该层次单元下表面的边界条件 ,而把它上表面上的层次单元 (子层次单元 )的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源 .通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值 .提出的层次单元间的耦合强度 (即每轮计算中 ,母层次单元上表面的温度改变不是全部 ,而是部分用于更新其子层次单元的下表面的边界条件 )保证了所有情况下的迭代收敛 .层次模型算法不仅速度数量级地高于普通的模块一体计算 ,而且热场与产生它的热源关系清楚 ,便于指导模块设计 .计算与测量在实验误差 ( 5℃ )
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关键词
层次模型
多芯片多基片
模块
稳态热场
下载PDF
职称材料
题名
MEMS封装技术研究进展
被引量:
8
1
作者
李金
郑小林
张文献
陈默
机构
重庆大学生物力学与组织工程教育部重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第2期26-31,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(30270407)
文摘
介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。
关键词
MEMS
封装技术
多芯片组件
倒装芯片封装
准密封封装
Keywords
MEMS packaging
multichip model
flip-chip
quasi-hermetic package
modular MEMS package
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多芯片组件互连延迟的建模及其解
被引量:
1
2
作者
来金梅
李珂
林争辉
机构
上海交通大学电子信息学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期336-339,共4页
基金
国家九五重点科技攻关项目
文摘
多芯片组件中互连线必须采用完整的RLC分布参数模型,要得到关于这样的传输线上的既准确又有效的延迟的解比以往建立在LC或RC线模型上的求解更具有综合性。分别采用三种不同的技术对多芯片组件互连延迟进行建模,并给出了相应的解。
关键词
多芯片组件
互连延迟
MCM
IC
Keywords
multichip
module,Interconnection delay,
model
ing,Dimensional analysis,Curve fitting
分类号
TN420.597 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型
被引量:
1
3
作者
张鸿欣
机构
西安电子科技大学CAD所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期286-289,共4页
基金
陕西省自然科学基金
文摘
提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次单元 )的上表面温度 ,作为该层次单元下表面的边界条件 ,而把它上表面上的层次单元 (子层次单元 )的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源 .通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值 .提出的层次单元间的耦合强度 (即每轮计算中 ,母层次单元上表面的温度改变不是全部 ,而是部分用于更新其子层次单元的下表面的边界条件 )保证了所有情况下的迭代收敛 .层次模型算法不仅速度数量级地高于普通的模块一体计算 ,而且热场与产生它的热源关系清楚 ,便于指导模块设计 .计算与测量在实验误差 ( 5℃ )
关键词
层次模型
多芯片多基片
模块
稳态热场
Keywords
Multilevel
model
, Thermal Field Simulation, Module Having
multichip
and Multisubstrate
分类号
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MEMS封装技术研究进展
李金
郑小林
张文献
陈默
《微纳电子技术》
CAS
2004
8
下载PDF
职称材料
2
多芯片组件互连延迟的建模及其解
来金梅
李珂
林争辉
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
下载PDF
职称材料
3
计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型
张鸿欣
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
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职称材料
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