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Structure and electrical properties of PZT/LNO/PT multilayer films on stainless steel substrates 被引量:1
1
作者 Zhao, Xuelian Jiang, Dan +1 位作者 Yu, Shengwen Cheng, Jinrong 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第3期272-275,共4页
PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) ferroelectric thin films were deposited on LaNiO3 (LNO) by sol-gel method. The PbTiO3 (PT) seed layer was depos-ited between the LNO buffer layer and stainless steel (SS) substrate, which effect... PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) ferroelectric thin films were deposited on LaNiO3 (LNO) by sol-gel method. The PbTiO3 (PT) seed layer was depos-ited between the LNO buffer layer and stainless steel (SS) substrate, which effectively decreased the annealing temperature of LNO layer from 750 C to 650 C. X-ray diffraction (XRD) reveals that LNO layers with PT layer crystallize into a perovskite phase on annealing at 650 C for 10 min. PZT deposited on LNO buffer layer with PT seed layer exhibits good ferroelectric property. 展开更多
关键词 pt seed layer LNO pzt ferroelectric thin films
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PT/PZT/PT薄膜微力传感器 被引量:8
2
作者 崔岩 孟汉柏 +2 位作者 王兢 石二磊 王立鼎 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1404-1409,共6页
提出了一种基于PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器。运用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法制作了PT和PZT薄膜,采用X射线衍射技术表征了PZT和PT/PZT/PT两种薄膜的成相特征,用阻抗分析仪测试了PZT和PT/PZT/PT薄膜的介电常数。结果表明,在PZ... 提出了一种基于PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器。运用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法制作了PT和PZT薄膜,采用X射线衍射技术表征了PZT和PT/PZT/PT两种薄膜的成相特征,用阻抗分析仪测试了PZT和PT/PZT/PT薄膜的介电常数。结果表明,在PZT薄膜退火温度同为600℃时,PZT和PT/PZT/PT薄膜均为完整的钙钛矿结构,而且PT/PZT/PT薄膜沿(100)晶向强烈取向;在测试频率为1 kHz时,经600℃热处理条件下制备的PZT和PT/PZT/PT薄膜的相对介电常数分别为525和981。最后应用MEMS工艺制作了基于PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器。在静态和准静态下对微力传感器的传感特性进行了测试。测试结果表明,力与位移或电荷具有良好的线性关系。两种尺寸微力传感器的灵敏度分别为0.045 mV/μN和0.007 mV/μN,力分辨率分别为3.7μN和16.9μN,满足了微牛顿量级微小力的测量。 展开更多
关键词 pt/pzt/pt薄膜 微悬臂梁 微力传感器
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PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响
3
作者 李磊 余远根 +3 位作者 姜涛 祝元坤 王现英 郑学军 《电子科技》 2016年第4期1-5,共5页
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Si衬底上制备了PbTiO_3(PT)薄膜和Pb(Zr_x,Ti_(1-x))O_3(PZT)薄膜,研究了退火温度以及PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,制备的PZT薄膜为纯钙钛矿结构的多晶薄... 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Si衬底上制备了PbTiO_3(PT)薄膜和Pb(Zr_x,Ti_(1-x))O_3(PZT)薄膜,研究了退火温度以及PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,制备的PZT薄膜为纯钙钛矿结构的多晶薄膜,有PT种子层的PZT薄膜晶粒尺寸更大,(110)面取向度更高,结晶性能更好;原子力显微镜(AFM)结果表明,制备的薄膜表面形貌比较平整、均匀、无裂纹;压电力显微镜(PFM)结果表明,压电力显微镜(PFM)结果表明,有PT种子层时,PZT薄膜的平均压电系数d_(33)为128~237 pm/V,无PT种子层时平均压电系数d_(33)为21~29 pm/V。在升温速率为10℃/s的退火条件下保温10 min时,随着退火温度的升高,PZT薄膜晶粒尺寸增大,粗糙度增大,(110)面取向度升高,平均压电系数d_(33)增大。PT种子层能够有效的改善PZT薄膜的结晶性能和压电性能。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 pzt薄膜 退火温度 钙钛矿结构 pt种子层 压电系数
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不同PT厚度的PZT/PT复合薄膜的性能研究 被引量:1
4
作者 李于利 汪静 +1 位作者 姚熹 张良莹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期38-40,共3页
采用改进的sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备PZT/PT复合薄膜(共10层),PT的层数分别为2,4,6和8层。结果表明,600℃热处理的PZT/PT复合薄膜为钙钛矿结构,无第二相。随着PT厚度的增加,εr变小,100kHz时为313~228。tgδ在频率低于100kHz... 采用改进的sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备PZT/PT复合薄膜(共10层),PT的层数分别为2,4,6和8层。结果表明,600℃热处理的PZT/PT复合薄膜为钙钛矿结构,无第二相。随着PT厚度的增加,εr变小,100kHz时为313~228。tgδ在频率低于100kHz时,不随PT厚度变化,为0.015左右;频率为100kHz~1MHz时,PZT6/PT4tgδ最大,1MHz时仍小于0.06。 展开更多
关键词 无机非金属材料 复合薄膜 pzt/pt sol—gel法 介电性能
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多层PT/PZT薄膜的结构特性研究
5
作者 郑俊华 谭秋林 唐力程 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1034-1036,1042,共4页
通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上制备了多层PT/PZT(PbTiO_3/Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3)薄膜,研究了不同退火时间对其纳米结构、结晶性能及相变特性的影响。利用FESEM测试了不同退火时间对薄膜纳米结构的影响,选用XRD与... 通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上制备了多层PT/PZT(PbTiO_3/Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3)薄膜,研究了不同退火时间对其纳米结构、结晶性能及相变特性的影响。利用FESEM测试了不同退火时间对薄膜纳米结构的影响,选用XRD与Raman分析了薄膜的结晶取向及相变特点。实验结果表明,随着退火时间的增加,薄膜的三方相向四方相转变,并具有(110)择优取向。退火时间为20min是PZT薄膜的最佳退火时间,此时薄膜的结晶效果良好、晶粒大小均匀、具有纯钙钛矿结构,此种结构的薄膜有望应用于MEMS器件中。 展开更多
关键词 多层pt/pzt薄膜 压电材料 溶胶-凝胶法 钙钛矿结构 退火时间
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硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究 被引量:4
6
作者 张林涛 任天令 +2 位作者 张武全 刘理天 李志坚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期49-52,共4页
用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制备了硅基Pb(Zr_0.53Ti_0.47)0_3(PZT铁电薄膜。分析了PZT铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质。基于上述分析结果提出并实现了低温退火处理制备有PT过渡... 用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制备了硅基Pb(Zr_0.53Ti_0.47)0_3(PZT铁电薄膜。分析了PZT铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质。基于上述分析结果提出并实现了低温退火处理制备有PT过渡层的PZT铁电薄膜的工艺流程。测试了低温制备的PZT铁电薄膜的C-V、漏电等电性能,发现在Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的工艺中加入PT过渡层,有助于提高PZT薄膜的品质。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 pzt pt 铁电薄膜
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PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 被引量:6
7
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 赵修建 周学东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期354-360,共7页
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单... 以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 pzt铁电薄膜 电性能 pt种子层 SOL-GEL法 热处理 电滞回线 I-V特性 介电常数
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溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究 被引量:6
8
作者 鲁健 吴建华 +2 位作者 赵刚 王海 褚家如 《微细加工技术》 EI 2004年第1期41-46,共6页
采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利... 采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50nm。 展开更多
关键词 pt薄膜 射频磁控溅射工艺 pzt铁电薄膜 微机电系统 热处理工艺
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PZT厚膜拾振器微图形化工艺研究 被引量:6
9
作者 方华斌 刘景全 +4 位作者 徐峥谊 王莉 陈迪 蔡炳初 刘悦 《微细加工技术》 EI 2005年第4期48-51,共4页
采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Ti/Pt/PZT/Ti/Pt形式的拾振器敏感元结构。基于半导体光刻技术,通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术,成功地实现了敏感元的微图形化,解决了Pt/Ti下电极刻蚀难、制作的PZ... 采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Ti/Pt/PZT/Ti/Pt形式的拾振器敏感元结构。基于半导体光刻技术,通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术,成功地实现了敏感元的微图形化,解决了Pt/Ti下电极刻蚀难、制作的PZT膜形貌不好和上电极容易起壳等问题,为基于PZT厚膜的高性能拾振器的研制打下了良好的基础。 展开更多
关键词 拾振器 pzt厚膜 pt/TI电极 湿法化学刻蚀 干法刻蚀
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高度(100)取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究 被引量:1
10
作者 吴家刚 朱基亮 +3 位作者 肖定全 朱建国 谭浚哲 张青磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期779-781,共3页
利用射频磁控溅射技术,以PbOx为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,采用原位溅射技术制备了高度(100)取向的[(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/Pb(Zr0.20Ti0.80)O3]n(n=1,2){筒记为[PLT/PZT]。)多层铁电薄膜,研究了层... 利用射频磁控溅射技术,以PbOx为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,采用原位溅射技术制备了高度(100)取向的[(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/Pb(Zr0.20Ti0.80)O3]n(n=1,2){筒记为[PLT/PZT]。)多层铁电薄膜,研究了层数对多层铁电薄膜介电性能和铁电性能的影响。研究得出,(100)取向的PbOx,过渡层导致了[PLT/PZT]。多层铁电薄膜的(100)择优取向;高度(100)择优取向的[PLT/PZT]2薄膜具有更大的剩余极(2Pr=31.45μC/cm)和更好的“蝴蝶”状C-V曲线。这些研究结果表明,所制备的(100)取向的[PLT/PZT]2多层铁电薄膜具有优良的铁电性能。 展开更多
关键词 PLT/pzt 多层铁电薄膜 磁控溅射 (100)取向 电学性质
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[Fe/Pt]_n多层膜中膜层结构对磁性能的影响 被引量:2
11
作者 董凯锋 杨晓非 +2 位作者 鄢俊兵 程伟明 程晓敏 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2008年第2期15-16,61,共3页
采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同膜层结构的[Fe/Pt]n多层膜,经不同温度真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜。实验结果表明,[Fe/Pt]n多层膜结构可以有效降低FePt薄膜的有序化温度,550℃退火30min后其平行膜面矫顽力... 采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同膜层结构的[Fe/Pt]n多层膜,经不同温度真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜。实验结果表明,[Fe/Pt]n多层膜结构可以有效降低FePt薄膜的有序化温度,550℃退火30min后其平行膜面矫顽力可达320.3kA/m;多层膜结构中,Pt层厚度与Fe层厚度相同时,矫顽力最大;Pt层和Fe层厚度相等且总厚度相同的情况下,Fe、Pt单层厚度越薄,有序化温度越低,且对应的矫顽力越大。 展开更多
关键词 [Fe/pt]n多层膜 矫顽力 有序化温度
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Co/Pt多层膜X射线小角衍射分析 被引量:1
12
作者 陈亮维 吴隽 王永能 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期29-32,共4页
对Co/Pt多层膜进行X射线小角衍射分析,测量出多层膜的周期厚度,解释多层膜小角衍射主峰之间出现次峰的现象,并确立了次峰个数与膜周期数之间的关系。
关键词 Co/pt多层膜 X射线衍射 磁光材料
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纳米胶体球表面生长的Co/Pt多层膜的磁性研究
13
作者 刘惠莲 张永军 +1 位作者 王雅新 杨景海 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期637-639,共3页
利用自组装技术在Si表面上制备二维有序胶体球阵列,利用磁控溅射系统以此为衬底制备Co/Pt垂直多层膜,形成曲面膜.与沉积在Si表面上相同结构的多层膜做比较,当测量角度在0°-45°之间时,曲面膜的磁滞回线形状几乎无变化,表明转... 利用自组装技术在Si表面上制备二维有序胶体球阵列,利用磁控溅射系统以此为衬底制备Co/Pt垂直多层膜,形成曲面膜.与沉积在Si表面上相同结构的多层膜做比较,当测量角度在0°-45°之间时,曲面膜的磁滞回线形状几乎无变化,表明转换场分布很窄,这是由各向异性轴在球表面的变化造成的. 展开更多
关键词 自组装 磁控溅射 Co/pt多层膜 磁性 各向异性
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不同退火工艺Pt电极上沉积溶胶凝胶Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的织构演化(英文)
14
作者 杨帆 费维栋 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1760-1765,共6页
利用溶胶凝胶工艺在Pt电极上沉积了PZT薄膜,选用传统退火及其快速退火工艺制备两种Pt基底(CTA-Pt和RTA-Pt),并采用X射线衍射广角及其ω扫描技术分别研究了Pt电极退火工艺对溶胶凝胶PZT结构及其织构演化的影响。研究结果显示:在传统退火... 利用溶胶凝胶工艺在Pt电极上沉积了PZT薄膜,选用传统退火及其快速退火工艺制备两种Pt基底(CTA-Pt和RTA-Pt),并采用X射线衍射广角及其ω扫描技术分别研究了Pt电极退火工艺对溶胶凝胶PZT结构及其织构演化的影响。研究结果显示:在传统退火工艺制备Pt电极上沉积的薄膜为(111)择优取向,而在快速退火工艺制备Pt电极上沉积的薄膜表现为(100)织构;分析表明PZT薄膜的织构演化可能与Pt电极在不同退火工艺下的内应力差异有关。 展开更多
关键词 pzt薄膜 织构 X射线衍射 pt电极
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离子束溅射制备Co/Pt多层膜的结构和磁性
15
作者 许思勇 赵怀志 +1 位作者 冯嘉猷 李文治 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第2期92-96,共5页
采用离子束溅射技术制备了Co/Pt多层膜,并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度(tCo)或Pt层厚度(tPt)的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的(002)织构,Pt层表现出fcc结构的(111)织构。当Co层和Pt层都比较薄时,界面有Co-P... 采用离子束溅射技术制备了Co/Pt多层膜,并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度(tCo)或Pt层厚度(tPt)的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的(002)织构,Pt层表现出fcc结构的(111)织构。当Co层和Pt层都比较薄时,界面有Co-Pt的化合物形成。当tPt=2.4nm而tCo在0.6~2.4nm变化时,样品的磁矫顽力(Hc)随tCo增加而下降,饱和磁化强度(Ms)随tCo增加而增加。当tCo=1.2nm而tPt在1.2~4.8nm变化时,Hc呈现先升后降的变化,Ms随tPt增大而减小。样品的Hc还受调制周期(D)和周期数ny的影响,通过对Co层和Pt层的厚度比、调制周期、周期数的设计,可以获得较大的磁矫顽力。 展开更多
关键词 离子束溅射 钴/铂多层膜 磁矫顽力 结构 磁性
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不同m(Zr)/m(Ti)及靶形式在不同衬底上溅射PZT薄膜的研究
16
作者 叶勤 周慎平 PONGTHEP Arkornsakul 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 2001年第5期59-63,共5页
分别用m(Zr) /m(Ti)配比为 30 / 70、5 3/ 4 7、70 / 30的源材料及陶瓷块状靶和预烧粉末靶的形式 ,在Ag、Au、Pt衬底上溅射制取PZT薄膜 .比较分析了薄膜的钙钛矿结构形成情况 ,所需的热处理温度及铁电特性 .研究表明 :靶材的配比靠近 30... 分别用m(Zr) /m(Ti)配比为 30 / 70、5 3/ 4 7、70 / 30的源材料及陶瓷块状靶和预烧粉末靶的形式 ,在Ag、Au、Pt衬底上溅射制取PZT薄膜 .比较分析了薄膜的钙钛矿结构形成情况 ,所需的热处理温度及铁电特性 .研究表明 :靶材的配比靠近 30 / 70时较容易获得钙钛矿结构 ;用预烧粉末靶或用Ag衬底可降低热处理温度 ;用Au、Pt衬底能得到较好的电学特性 . 展开更多
关键词 pzt薄膜 衬底 智能材料 热处理 铁电材料 锆/钛比 靶形式 溅射制备
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PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响 被引量:8
17
作者 吕纯 吴智 +2 位作者 周静 沈杰 陈文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期24115-24118,共4页
采用液相旋涂法制备了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合薄膜,研究了PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响。随着PZT薄膜厚度的增加,BMT/PZT复合薄膜的介电常数呈线性增加。当PZT薄膜的厚度较小时,会明... 采用液相旋涂法制备了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合薄膜,研究了PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响。随着PZT薄膜厚度的增加,BMT/PZT复合薄膜的介电常数呈线性增加。当PZT薄膜的厚度较小时,会明显地增加BMT/PZT复合薄膜的介电损耗;当继续增加PZT薄膜的厚度,介电损耗反而下降直到与BMT薄膜的介电损耗值接近。这是由于PZT的介电常数与介电损耗均明显高于BMT薄膜所致,而异质界面的存在抑制了PZT薄膜中畴壁的运动,使其对复合薄膜介电损耗的影响减弱。研究结果表明,PZT薄膜的引入可以提升BMT薄膜的介电常数而对介电损耗的影响不大。 展开更多
关键词 BMT/pzt复合薄膜 pzt薄膜厚度 介电性能
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“三明治式”多层Au/Pt复合薄膜的制备及其对甲醇的电氧化(英文) 被引量:3
18
作者 赵静 孙越 +1 位作者 李永军 梁韧 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1868-1874,共7页
采用界面组装、欠电位沉积和氧化还原置换反应组合方法制备了单层Pt/Au复合薄膜,并且不需要任何有机偶联剂;组装单层Pt/Au复合薄膜为三类多层Pt/Au复合薄膜:(Pt/Au)n、Ptm/Au和(Pt3/Au)k(n、m和k分别为Pt/Au、Pt和Pt3/Au的层数).采用电... 采用界面组装、欠电位沉积和氧化还原置换反应组合方法制备了单层Pt/Au复合薄膜,并且不需要任何有机偶联剂;组装单层Pt/Au复合薄膜为三类多层Pt/Au复合薄膜:(Pt/Au)n、Ptm/Au和(Pt3/Au)k(n、m和k分别为Pt/Au、Pt和Pt3/Au的层数).采用电子显微镜研究了Au纳米粒子单层膜和Pt/Au复合多层膜的形貌.对于所有的多层膜电极而言,其电化学活性面积随着层数的增加而增加.通过研究甲醇在每一类Pt/Au复合薄膜上的氧化电流密度,考察了其对甲醇的电催化和抗毒化性能.对于同一类复合薄膜而言,甲醇分别在(Pt/Au)3、Pt3/Au和(Pt3/Au)2电极上均具有最大的氧化电流密度,且优于本体Pt电极.在这三种电极中,(Pt/Au)3电极无论从电流密度上还是从抗毒化能力上讲,其性能是最好的,而且其抗毒化能力也优于商业Pt/C催化剂.这种良好的催化性能源于Au和Pt之间最大化的协同效应,这取决于Pt和Au原子比率以及Pt纳米层和Au纳米层之间的排布方式. 展开更多
关键词 界面组装 欠电位沉积 Au/pt复合多层膜 电氧化 甲醇
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不同结构多层PZT薄膜的制备及性能特性研究 被引量:1
19
作者 郑俊华 谭秋林 +1 位作者 唐力程 熊继军 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期655-658,共4页
采用相同的工艺分别制备了锆钛酸铅(PZT,r(Zr)/r(Ti)=52/48)与钛酸铅(PT)两种前驱体,并通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备了PZT,PT/PZT-PZT/PT,PT/PZT/-/PZT/PT 3种不同结构的多层PZT薄膜。利用场发射扫描电子显微... 采用相同的工艺分别制备了锆钛酸铅(PZT,r(Zr)/r(Ti)=52/48)与钛酸铅(PT)两种前驱体,并通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备了PZT,PT/PZT-PZT/PT,PT/PZT/-/PZT/PT 3种不同结构的多层PZT薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)测试了薄膜的结构,选用XRD分析了薄膜的结晶取向,采用阻抗分析仪测试了薄膜的介电常数、介电损耗及电压-电容曲线,使用铁电性能测试系统测试了薄膜的铁电性。实验结果表明,PT/PZT/-/PZT/PT结构的薄膜相对于其他两种结构的薄膜具有较高的红外探测率与剩余极化强度及较小的介电损耗,具有强大的应用潜能。 展开更多
关键词 多层锆钛酸铅/钛酸铅(pt/pzt)薄膜 不同结构 压电材料 溶胶-凝胶法 介电性 铁电性
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PT种子层对微力传感器性能的影响
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作者 孟汉柏 崔岩 +2 位作者 王兢 陈会林 王立鼎 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期461-464,共4页
为了提高微牛顿量级微力传感器的灵敏度,比较了有PT种子层和无PT种子层的PZT压电薄膜对微力传感器性能的影响。运用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法制作了PZT和PT/PZT/PT薄膜,采用X射线衍射技术表征了PZT和PT/PZT/PT两种薄膜的成相特征,用半导体... 为了提高微牛顿量级微力传感器的灵敏度,比较了有PT种子层和无PT种子层的PZT压电薄膜对微力传感器性能的影响。运用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法制作了PZT和PT/PZT/PT薄膜,采用X射线衍射技术表征了PZT和PT/PZT/PT两种薄膜的成相特征,用半导体参数测试仪测试了PZT和PT/PZT/PT两种薄膜的漏电流。结果表明,在同为600℃退火温度下,两种薄膜均具有钙钛矿结构,而且PT/PZT/PT薄膜沿(100)晶向强烈取向。当外加电压增加时,PZT薄膜的漏电流基本保持不变;PT/PZT/PT薄膜的漏电流变化在1nA左右。最后应用MEMS工艺分别制作了基于PZT,PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器,并在静态和准静态下对微力传感器的传感特性进行了测试。测试结果表明,添加PT种子层对微悬臂梁的弹性系数基本没有影响,但微悬臂梁的灵敏度显著增加。 展开更多
关键词 pzt薄膜 pt/pzt/pt薄膜 微悬臂梁 微力传感器 压电系数
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