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Single-phase formation mechanism and dielectric properties of sol-gel-derived Ba(Ti_(0.2)Zr_(0.2)Sn_(0.2)Hf_(0.2)Ce_(0.2))O_(3) high-entropy ceramics
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作者 Jia Liu Cuiying Ma +5 位作者 Lianli Wang Ke Ren Hongpei Ran Danni Feng Huiling Du Yiguang Wang 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第35期103-111,共9页
Single-phase Ba(Ti_(0.2)Zr_(0.2)Sn_(0.2)Hf_(0.2)Ce_(0.2))O_(3)(BTZSHC) high-entropy ceramics(HECs) with the perovskite structure were successfully prepared via the sol-gel method.The results reveal that the as-prepare... Single-phase Ba(Ti_(0.2)Zr_(0.2)Sn_(0.2)Hf_(0.2)Ce_(0.2))O_(3)(BTZSHC) high-entropy ceramics(HECs) with the perovskite structure were successfully prepared via the sol-gel method.The results reveal that the as-prepared ceramics exhibit a single cubic phase belonging to the Pm3 m space group.The high entropy is the driving force of the formation of single-phase ceramics.A larger entropy(ΔS_(mix)) and a negative enthalpy(ΔH_(mix)) are conducive to the formation of single-phase compounds.Herein,ΔS_(mix)=0.323 R mole-1andΔH_(mix)=43.88 kJ/mol.The sluggish-diffusion effect ensures the thermal stability of high-entropy systems.Dielectric measurements reveal that the as-prepared BTZSHC high-entropy ceramics are relaxor ferroelectrics,and the degree of relaxor(γ) is 1.9.The relaxor behavior of the as-prepared ceramics can be ascribed to the relaxation and thermal evolution of their polar units(PUs).The findings of this work provide a theoretical basis and technical support for the preparation of single-phase high-entropy ceramics. 展开更多
关键词 High-entropy ceramics Single-phase formation mechanism Perovskite structure sol-gel method dielectric properties
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Sol-gel法制备低温共烧多层陶瓷基板用高硅玻璃
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作者 徐政 孙义传 《现代技术陶瓷》 CAS 1995年第3期19-21,共3页
本文介绍了Sol-gel法制备低温共烧多层陶瓷基板用高硅玻璃粉技术,研究了这种高硅玻璃及其瓷料的有关性能。
关键词 多层陶瓷基板 溶胶-凝胶法 高硅玻璃 玻璃粉
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偏压下弛豫型铁电陶瓷有效介电系数稳定方法的研究 被引量:1
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作者 袁战恒 孙海君 +1 位作者 张良莹 姚熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期513-519,共7页
本研究利用调整有效介电常数的互补公式[1] 及B 位离子振动模型的位移公式[2] ,导出了用于PMN/PZN/PT,PMN/PZN系铁电陶瓷稳定有效介电常数的经验公式:- T- T02T- T01A2 = d1d2A1 . 用... 本研究利用调整有效介电常数的互补公式[1] 及B 位离子振动模型的位移公式[2] ,导出了用于PMN/PZN/PT,PMN/PZN系铁电陶瓷稳定有效介电常数的经验公式:- T- T02T- T01A2 = d1d2A1 . 用此式对PZN,PMN基铁电陶瓷偏压特性的研究,发现铁电陶瓷偏压下有效介电常数主要受其构型、A 及B位离子的电负性差、添加剂的加权电负性差、宽容因子及其添加量的影响. 研究表明用此式对调整弛豫型铁电陶瓷的有效介电系数更加直观. 展开更多
关键词 弛豫型铁电体 偏压 介电系数 稳定方法 陶瓷
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表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文) 被引量:5
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作者 董启明 郭小伟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻... 表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持. 展开更多
关键词 干涉光刻 表面等离子体激元 克莱舒曼结构
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