真空退火对周期性界面掺杂Ni_(80)Co_(20)薄膜磁性的影响

用磁控溅射方法制备了两个具有不同Fe层厚度的 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(tFe) ]N 多层膜系列样品 ,其中tFe=0 1和 2nm .研究了两个系列样品的磁及输运性质随Ni80 Co2 0 层厚度L的变化关系 .在退火态 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(0 1nm) ]N 系列样品中 ,发现各向异性磁电阻 (AMR)和横向磁电阻 (TMR)在L为 10nm附近存在一较宽的增强峰 ,其峰位与制备态 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(2nm) ]2 5多层膜TMR的增强峰位一致 .当L小于Ni80 Co2 0 合金的电子平均自由程时 ,制备态 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(0 1nm) ]N 样品的各向异性磁电阻 (Δρ)和零场电阻率 ρ都随L的减小而增加 ,且ρ的增量超过Δρ的增量 .ρ随L的依赖关系可采用Fuchs Sondheimer理论描述 .在L小于 10nm时 ,制备态界面掺杂 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(0 1nm) ]N 系列样品的矫顽力Hc 随L近似直线上升 ,在L大于 10nm后趋于饱和 .退火后Hc显著下降 .实验结果表明 ,在多层膜结构中 ,界面散射可导致 ρ和Δρ的增强 ;磁性合金界面层还可导致畴结构的改变及TMR和AMR的增强 .