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GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
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作者 程兴奎 马洪磊 +1 位作者 周均铭 黄绮 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期318-320,共3页
在 77K温度 ,测量了 Ga As/ Al Ga As多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=15 89cm- 1 ,即λ=6 .2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 .
关键词 多量子阱结构 光电流 电子干涉
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