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制备室温CdSe探测器的研究 被引量：2
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作者 宋芳 赵北君 +6 位作者 朱世富 金应荣 邵双运 杨文彬 王学敏 于丰亮 李正辉 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期25-29,共5页
报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理... 报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 . 展开更多
关键词 多级提纯垂直气相法 CdSe单晶体 半导体探测器
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