结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响

使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著。同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著。

两步化学气相沉积法制备In2Se3／MoSe2范德华尔斯异质结

利用两步化学气相沉积的方法，构建垂直型范德华尔斯外延的In2Se3／MoSe2异质结构．透射电子显微镜表征显示In2Se3与单层MoSe2具有一致的晶格取向．由于二维In2Se3和MoSe2之间的相互作用，导致单层MoSe2的光致发光部分淬灭和红移．此外，由于异质结的独特能带结构，该异质结构还具有明显的整流行为和光伏效应，并且通过开尔文探针力显微镜可以进一步证实n＋-n的能带结构．文中范德华尔斯外延的合成方法还可以扩展至其它的二维异质结构，在电子和光电子器件方面具有广阔的应用前景．