n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估

n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池。结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决p型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等问题。最后预测了n型晶体硅太阳电池的产业化前景。

常规多晶与高效率n型晶体硅太阳电池组件光谱响应趋势及原因分析

目前太阳能电池组件主要分为两种:一种是常规多晶太阳电池组件,一种是高效率n型晶体硅太阳电池组件。由于两种组件在设计原理上存在很大差异,导致它们对光谱响应时间的要求也是各自不同。文章通过对两种电池组件在不同光谱响应时间内进行I-V测试,分析两种组件对光谱响应时间上的需求情况以及原因分析。

N型背发射极晶体硅太阳电池模拟研究

N型晶体太阳电池由于少子寿命高、光致衰减低、弱光响应好等优点,近年来在高效率低成本太阳电池领域一直备受关注。利用PC1D模拟,对N型背发射极晶体硅太阳电池进行了分析。结果表明,背发射极掺杂浓度、结深、背表面复合速率、前表面掺杂浓度及复合速率都对电池转换效率有较大影响,尤其是电池前表面与背表面复合速率对电池性能的影响最为明显,而电池前表面场掺杂深度则对电池性能影响较小。对于前表面复合来说,当前表面复合速率小于1×10^3cm/s时,电池性能受表面复合速率变化的影响很小;但复合速率超过1×10^3cm/s后,电池转换效率快速下降。背表面复合对电池效率影响则更明显,当背表面复合速率超过1×10^4cm/s后,电池转换效率急剧下降,在背表面复合速率增大到1×10^6cm/s时,电池效率下降到不足5%,而在电池背表面复合速度较小时（10~10^3cm/s）则可获得较高的转换效率。

N型IBC太阳能电池的工艺研究

文中主要研究的是N型IBC太阳能电池,即N型背结背接触式电池。使用silvaco TCAD软件对N型IBC太阳电池进行工艺仿真,然后对已完成的N型IBC太阳能电池结构使用silvaco TCAD软件进行器件仿真,并对相关参数进行优化,探究该种太阳能电池各方面的特性,最后与工艺仿真进行结合分析,对N型IBC太阳能电池的工艺研究进行总结整理,得出该太阳能电池的最佳工艺参数组合。

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池

文章综述了N型背结背接触和背结前接触晶体硅太阳能电池的研究和产业化的最新进展.从原理上阐述了N型背结背接触电池高效率的原因.从研究的角度,综述和点评了国际上几个研究小组在N型背结前接触晶体硅电池方面的研究工作.论述了丝网印刷Al烧结法制备N型背结背接触电池方面的研究进展.

Nano-photonic crystal formation on highly-doped n-type silicon

We present a novel electrochemical technique for the fabrication of nano-photonic crystal structures. Based on a specially designed electrolyte, porous silicon(PSi) layers with different porosities are possible to be produced on highly-doped n-type silicon substrate by varying the applied current density which determines the size and the morphology of pores. By applying an alternative current density modulation during anodization, porous silicon photonic crystals are obtained using HF-containing electrolyte without oxidizing components. The current burst model(CBM) is employed to interpret the mechanism of the formation of the macropore porous silicon.