第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究

研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。

N型多孔单晶硅片的热电性能研究

半导体硅热电材料原材料极为丰富，而且安全无毒。尽管硅材料有着比较大的塞贝克系数，但是由于硅的热导率太高而电导率偏低导致热电性能低而不适用于热电材料。为了解决这一问题，本文采用电化学腐蚀的方法制备了N型多孔硅。采用物理气相沉积和电化学腐蚀相结合的方法在硅片上的纳米孔中镶嵌InSb，实现实空结合量子结构。这一结构大大提高了N型硅材料的热电优值，为研制具有高热电转化效率的热电材料开辟了一个新的途径。

N型硅——高效太阳电池的希望

全面阐述了N型硅片作为太阳电池基片的优点和缺点,并介绍了目前几种主要N型硅太阳电池的结构。

离子注入技术在n型电池p-n结制备中的应用

介绍了离子注入制备n型电池p-n结的工艺原理及工艺特点,通过对n型硅片和p+发射极主要参数进行模拟分析,得到高效n型电池性能参数的范围及趋势;并对比不同离子注入剂量对n型电池p-n结方阻、implied V_(oc)及J_(0e)的影响,确定了制备高质量n型电池p-n结的离子注入剂量。

晶闸管制造曾经大量消耗黄金

黄金是财富的象征，金子是昂贵的。1921年列宁发表了一篇“论黄金在目前和在社会主义完全胜利后的作用”的重要论文。他说到：为了(抢夺)金子的缘故，在帝国主义挑起的第一次世界大战和其他战争中，数千万人遭到屠杀，更多的人变成残废。因此，“我们将来在世界范围内取得胜利以后，我想，我们会在世界几个最大城市的街道上用金子修一些公共厕所。”因为那时黄金将失去它作为财富标志的作用，用它修公厕将使后来的人们永远记住争夺黄金给人类带来过什么样的灾难。