1
单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型
吕懿
张鹤鸣
胡辉勇
杨晋勇
殷树娟
周春宇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
2
γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响
郝敏如
胡辉勇
廖晨光
王斌
赵小红
康海燕
苏汉
张鹤鸣
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
2
3
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究
周航
崔江维
郑齐文
郭旗
任迪远
余学峰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
5
4
n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
李伟华
庄奕琪
杜磊
包军林
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
5
GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响
梁海莲
董树荣
顾晓峰
李明亮
韩雁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
6
高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法
刘城
王爱记
刘自瑞
刘建强
毛海央
《微纳电子技术》
北大核心
2019
0
7
一种新型凹源HV-NMOS器件研究
孙伟锋
易扬波
吴烜
王平
吴建辉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
8
高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究
游海龙
蓝建春
范菊平
贾新章
查薇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
11
9
N型半导体金属氧化物NO_(2)气体传感器研究进展
罗凤羽
郑晓虹
张骋
万博
《功能材料与器件学报》
CAS
2020
2
10
TiO_2-WO_3复合薄膜型气敏传感器性质研究
冯庆
王新强
刘高斌
王万录
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
11
沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响
吴晓鹏
杨银堂
刘海霞
董刚
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
12
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
吴晓鹏
杨银堂
董刚
高海霞
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
13
栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响
恩云飞
何玉娟
罗宏伟
潘金辉
肖庆中
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
14
基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究
刘斯扬
钱钦松
孙伟锋
李海松
时龙兴
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
15
PDSOI NMOS器件激光模拟光电流效应
任尚清
王博博
蒋春生
钟乐
孙鹏
解磊
《太赫兹科学与电子信息学报》
2021
0
16
带阶梯栅氧的N-LDMOS晶体管热载流子退化分析(英文)
刘斯扬
钱钦松
孙伟锋
《Journal of Southeast University(English Edition)》
EI
CAS
2010
1
17
热电子应力下nMOSFET中复合电流的退化特性研究
陈海峰
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017
0
18
功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化
陈轶群
陈佳旅
蒲贤勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
1
19
基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究
吴晓鹏
杨银堂
高海霞
董刚
柴常春
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
5
20
Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化
王兵冰
汪洋
黄如
张兴
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2