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高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
被引量:
3
1
作者
刘兵
蒲红斌
+5 位作者
赵然
赵子强
鲍慧强
李龙远
李晋
刘素娟
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第4期570-575,共6页
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体...
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm^-2,电阻率范围为0.02~0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。
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关键词
PVT法
6英寸
n型4h-sic
数值模拟
温场分布
晶体品质
下载PDF
职称材料
PVT法生长n型4H-SiC电阻率的研究
被引量:
3
2
作者
侯晓蕊
王英民
+5 位作者
李斌
魏汝省
刘燕燕
田牧
王程
王光耀
《电子工艺技术》
2019年第3期164-167,共4页
采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径和掺氮量对电阻率的影响。实验结果表明:生长温度越低,掺氮量越多,晶片电阻率越低;冷却孔直径越小,掺氮量越多,晶片电阻率分布越均匀。但掺氮量过多会导致晶体结晶质量下...
采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径和掺氮量对电阻率的影响。实验结果表明:生长温度越低,掺氮量越多,晶片电阻率越低;冷却孔直径越小,掺氮量越多,晶片电阻率分布越均匀。但掺氮量过多会导致晶体结晶质量下降。电阻率的分布与背景B和Al含量相关,随着C/Si的升高,生长台阶的降低,电阻率升高。通过调整温场和优化掺氮工艺,获得了结晶质量较好的n型4H-SiC单晶。
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关键词
n型4h-sic
生长温度
冷却孔直径
掺氮量
电阻率均匀性
下载PDF
职称材料
功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺
被引量:
2
3
作者
夏经华
桑玲
+7 位作者
杨香
郑柳
查祎英
田亮
田丽欣
张文婷
杨霏
吴军民
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第7期568-576,共9页
综述了在n/p型4H-SiC上同时形成欧姆接触技术的研究进展,包括欧姆接触理论、欧姆接触工艺及其优缺点以及热稳定性/可靠性等方面。重点介绍了基于Ni基金属的n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触的工艺,包括以金属Ni为基础并结合Ti和Al与W等金属...
综述了在n/p型4H-SiC上同时形成欧姆接触技术的研究进展,包括欧姆接触理论、欧姆接触工艺及其优缺点以及热稳定性/可靠性等方面。重点介绍了基于Ni基金属的n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触的工艺,包括以金属Ni为基础并结合Ti和Al与W等金属所形成的各种复合接触材料、通过合适的合金化退火工艺后得到的合金相、形成欧姆接触后得到的比接触电阻率,讨论了可能的欧姆接触形成机理,评估了其热稳定性/可靠性。讨论了在工艺上增加保护层对Ni基n/p型4H-SiC欧姆接触的性能以及热稳定性/可靠性等性能的影响。最后,评估了该工艺的研发现状和存在的问题,并提出未来的展望。
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关键词
n
/p
型
4
h-sic
n
i基金属
同时形成欧姆接触
欧姆接触机理
合金相
下载PDF
职称材料
题名
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
被引量:
3
1
作者
刘兵
蒲红斌
赵然
赵子强
鲍慧强
李龙远
李晋
刘素娟
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
中科钢研节能科技有限公司
西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第4期570-575,共6页
基金
陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-003)。
文摘
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm^-2,电阻率范围为0.02~0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。
关键词
PVT法
6英寸
n型4h-sic
数值模拟
温场分布
晶体品质
Keywords
PVT method
6-i
n
ch
n
-type
4
h-sic
n
umerical simulatio
n
temperature distributio
n
crystal quality
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
PVT法生长n型4H-SiC电阻率的研究
被引量:
3
2
作者
侯晓蕊
王英民
李斌
魏汝省
刘燕燕
田牧
王程
王光耀
机构
中国电子科技集团公司第二研究所
出处
《电子工艺技术》
2019年第3期164-167,共4页
基金
国际科技合作项目(2013DFR10020)
中国电子科技集团公司技术创新基金(5511234)
山西省科技重大专项(20181101007)
文摘
采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径和掺氮量对电阻率的影响。实验结果表明:生长温度越低,掺氮量越多,晶片电阻率越低;冷却孔直径越小,掺氮量越多,晶片电阻率分布越均匀。但掺氮量过多会导致晶体结晶质量下降。电阻率的分布与背景B和Al含量相关,随着C/Si的升高,生长台阶的降低,电阻率升高。通过调整温场和优化掺氮工艺,获得了结晶质量较好的n型4H-SiC单晶。
关键词
n型4h-sic
生长温度
冷却孔直径
掺氮量
电阻率均匀性
Keywords
n
type
4
h-sic
growth temperature
cooli
n
g hole diameter
co
n
te
n
t of
n
2
resistivity distributio
n
u
n
iformity
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺
被引量:
2
3
作者
夏经华
桑玲
杨香
郑柳
查祎英
田亮
田丽欣
张文婷
杨霏
吴军民
机构
先进输电技术国家重点实验室
全球能源互联网研究院有限公司
中国科学院半导体研究所
中国科学院微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第7期568-576,共9页
基金
国家电网有限公司总部科技项目(5455GB180006)。
文摘
综述了在n/p型4H-SiC上同时形成欧姆接触技术的研究进展,包括欧姆接触理论、欧姆接触工艺及其优缺点以及热稳定性/可靠性等方面。重点介绍了基于Ni基金属的n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触的工艺,包括以金属Ni为基础并结合Ti和Al与W等金属所形成的各种复合接触材料、通过合适的合金化退火工艺后得到的合金相、形成欧姆接触后得到的比接触电阻率,讨论了可能的欧姆接触形成机理,评估了其热稳定性/可靠性。讨论了在工艺上增加保护层对Ni基n/p型4H-SiC欧姆接触的性能以及热稳定性/可靠性等性能的影响。最后,评估了该工艺的研发现状和存在的问题,并提出未来的展望。
关键词
n
/p
型
4
h-sic
n
i基金属
同时形成欧姆接触
欧姆接触机理
合金相
Keywords
n
/p-type
4
h-sic
n
i-based metal
simulta
n
eous formatio
n
of Ohmic co
n
tacts
Ohmic co
n
tact mecha
n
ism
alloy phase
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
刘兵
蒲红斌
赵然
赵子强
鲍慧强
李龙远
李晋
刘素娟
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
3
下载PDF
职称材料
2
PVT法生长n型4H-SiC电阻率的研究
侯晓蕊
王英民
李斌
魏汝省
刘燕燕
田牧
王程
王光耀
《电子工艺技术》
2019
3
下载PDF
职称材料
3
功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺
夏经华
桑玲
杨香
郑柳
查祎英
田亮
田丽欣
张文婷
杨霏
吴军民
《微纳电子技术》
北大核心
2020
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引证文献
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