某些周期函数类的n宽度

设G是B核,记用d_n,d^n和δ_n分别表示Kolmogorov,Gel'fand和线性n宽度。本文求出了和的精确值,找到了各自的极子空间(或最优算子)。由此证明了Pinkus猜想(即是的极子空间,)在p=q时的正确性。

某一函数类的n-K宽度

研究了由非退化全正核K和具有特殊性质的连续模函数ω所确定的函数类K∞,ω,M与K∞,ω,(M)在Orlicz空间内的n维Kolmogorov宽度的精确估计问题.

实轴上函数类W^rH~ω的平均n─宽度

对于ｒ阶导数的连续模被一个给定上凸连续模新控制的所有ｒ阶可微函数类，我们求出在ｌｏｏ（Ｒ）一范数下其平均ｎ－宽度，并找到了极优子空间。

无限维空间在概率框架和平均框架下的逼近特征

研究无限维空间l2在概率框架和平均框架下的逼近特征,得到了l2在lq(2≤q≤∞)中的kolmogorov(n,δ)-宽度及p-平均kolmogorov n-宽度的精确阶。

n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响

结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n-基区;二是阳极p+区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Sip+n-n+功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析得到以下结论:与相同结构尺寸的常规Si功率二极管相比较,20%Ge含量的超结SiGe功率二极管,反向阻断电压提高了1.6倍,正向压降减小了约60mV(正向电流密度为10A/cm2时).虽然反向恢复时间没有明显减少,但反向峰值电流密度降低了17%,软恢复特性也显著提高,后者的软度因子是前者的2倍多.超结部分的p型柱和n型柱宽度是器件设计中的重要结构参数,本文重点讨论了该参数对器件电学特性的影响:柱区宽度越小,阻断电压越高,漏电流越小,但同时正向压降有所增加.柱区宽度对反向恢复特性的影响没有明显的单调性,柱区宽度过小时会出现硬恢复现象.通过对该结构参数进行优化设计可以同时获得低通态压降、高阻断电压、快速恢复的特性.

L_(2)上复变函数的傅里叶级数逼近

考虑定义在圆盘U={z∈C:1/2<|z|<1}上解析且原点为其本性奇点的特殊复函数类的逼近.得2到最佳逼近E_(n-1)(f)_(2)分别与函数z^(r)f^((r))的m阶连续模及K泛函的精确Jackson不等式.然后,研究最佳逼近E_(n-1)(f)_(2)与函数z^(r)f^((r))的m阶连续模在区间(0,h)上的加权积分之间关系,得到相应的精确Jackson不等式.最后,得到关于函数z^(r)f^((r))的m阶连续模,函数z^(r)f^((r))的m阶连续模在区间(0,h)上的加权积分和K泛函等函数类上的最佳逼近及n维宽度.