氮杂苯并菲类n-型有机半导体材料研究进展

苯并菲盘状液晶是一类新型的有机电子学材料.该类材料多数以空穴传输功能为主,能传输电子的n-型材料较少.氮杂苯并菲是与苯并菲衍生物非常相似的一种杂环化合物,材料结构中引入了氮原子,吸电子能力得到增强,是潜在的n-型有机半导体材料,具有重要的应用价值.本文系统回顾了氮杂苯并菲类盘状液晶材料的研究进展,分类讨论了材料的分子结构,其中包括二、四、六氮杂苯并菲,以及它们的合成方法和物理化学性能,论述了材料在光电子领域的最新使用进展,并在此基础上,对该类液晶材料作为n-型有机半导体在光电子器件领域的应用前景进行了展望.

n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能(英文)

在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis（2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl）-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylicdiimide（NTCDI-C8F）和N,N′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide（PTCDI-C8）层后,器件的阈值电压由-19.4V显著降低到-1.8和-8.7V、迁移率提高了约2倍、电流开关比保持在10^5~10^6。这为通过简单地在电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层的方法来构建具有低阈值电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路。

上海有机所n型有机半导体材料研究取得重要进展

不同于以往在缺电子的芳核上直接引入拉电子基团（如氰基、氟原子）来设计n一型有机半导体材料的方法，中科院上海有机化学研究所材料化学实验室的研究人员采用在缺电子的芳核上稠合富电子的硫杂环（提高迁移率），并结合拉电子的丙二氰基团封端的策略（保证稳定性），

n型有机半导体材料研究获进展

近年来．有机薄膜场效应晶体管（OTFT）因其在轻薄、可弯折、个性时尚的有机电子产品方面有广阔的应用前景，成为有机电子学中的研究热点。P型和n型有机半导体材料对于OTFT的发展同等重要，因为由P型和n型OTFT共同构筑的有机互补电路具有功耗低、操作速度快、噪声容限大等优点，

可以结合使用n型非晶氧化物与p型有机半导体

在实际应用方面，同ZnO相比，透明非晶氧化物半导体（TAOS：transparent amorph ousoxide semiconductors）很可能较早地用于显示屏的驱动TFT等。在候选的透明非晶体氧化物半导体材料中，a-IGZO位列第一。但a-IGZO是n型半导体，具备足够性能的P型材料目前还没有被发现。

有机电子传输材料研究新进展

综述了应用于有机光导体、发光器件、场效应管和太阳能电池等领域的有机电子传输材料研究的最新进展,总结和比较了有机材料载流子迁移率的测试方法,并提出了设计高性能有机电子传输材料的若干原则。

含氟有机场效应晶体管材料的研究进展

在空气中稳定的n型有机半导体材料是当前有机场效应晶体管(OFET)研究的重要方向。分子中引入氟取代基和三氟甲基/全氟烷基可能会将有机半导体材料从p型转变成n型,同时还可提高有机半导体材料的稳定性。从分子结构的角度出发介绍了含氟类有机半导体材料的最新进展及其在场效应晶体管中的应用,并进一步提出了该领域的研究前景。

含2-(1,3-二巯基-2-亚基)丙二腈基团结构的有机场效应晶体管材料合成

通过在苯环中心引入两个2-(1,3-二巯基-2-亚基)丙二腈基团,设计合成了苯环扩展的衍生物6CNTM。通过紫外-可见吸收和循环伏安法研究其光学和电化学性质;首次研究了基于材料6CNTM的薄膜OFET的电荷传输性质。结果显示:薄膜OFET器件具有电子传输性能,电子迁移率为6.62×10^(-3)cm^2/V·s,阈值电压(V_(th))为14V,开关比(I_(on)/I_(off))为4×10~2。为将此基团引入并苯化合物中,设计合成高性能、空气中稳定的n-型有机半导体材料提供前瞻性指导。

n-型有机半导体促进印刷电子工业发展

原来的n-型半导体由于空气中的水和氧进入有机半导体层阻碍电子移动。日本山形大学研究人员在全球首次开发成功新型n-型有机半导体涂覆薄膜，可以形成非常均匀且致密的薄膜。只要选择最佳成膜条件和半导体器件的结构，就可得到3cm^2／Vs以上电子移动度的有机半导体，而目前液晶电视使用的非晶硅，电子移动度只有1cm^2／Vs。

高性能的n-型和双极性有机小分子场效应晶体管材料

作为有机场效应晶体管的关键组成部分,有机半导体材料直接决定了器件的性能和稳定性。相比于p-型有机半导体材料,n-型和双极性有机半导体材料在迁移率和稳定性等方面则显著滞后。因此,n-型和双极性小分子有机半导体材料的设计与合成已成为高性能OFETs的学术研究的焦点。这篇综述重点突出了近十年报道的具有较好性能的n-型和双极性小分子有机半导体材料,并且对其结构和性能的关系进行了归纳,旨在对设计合成高性能、空气稳定的n-型和双极性有机小分子半导体材料提供一些指导帮助。

综研化学和神户大学开发出p型半导体P3HT的新合成法,可用于有机太阳能电池

日本综研化学与神户大学教授森敦纪共同开发出了用于有机太阳能电池和有机FET等的有机类p型半导体材料P3HT的新合成方法。今后,将推进开发量产化技术。据双方介绍,该合成法还可用于开发P3HT以外的有机半导体高分子材料。原来的做法一直采用Dihalogen体作为起始原料合成P3HT。

非富勒烯小分子有机太阳能电池电子受体材料的研究进展

富勒烯及其衍生物是一类重要的n-型电子受体材料,在有机太阳能电池器件中发挥了至关重要的作用.但由于富勒烯材料吸光波长较窄、亲和能高、溶解性差等,严重限制了富勒烯作为有机太阳能电池n-型电子受体材料的更广泛应用和器件性能的进一步提升.非富勒烯n-型电子受体材料具有能级可调、合成简便、加工成本低、溶解性能优异等特点,更重要的是,此类材料在可见太阳光光谱中比富勒烯及其衍生物材料有更加宽广的吸收范围;近年来,受到越来越多的关注和研究.本文较为系统地阐述了非富勒烯小分子材料作为有机太阳能电池n-型电子受体材料的研究进展,并对其发展前景作了展望.

基于聚合物给体与非富勒烯有机小分子受体材料的有机太阳能电池研究进展

在本体异质结有机太阳能电池的研究中,富勒烯及其衍生物是一类重要的n-型电子受体材料,然而基于富勒烯的材料有一些难以克服的弱点,例如在可见光范围内较弱且窄的吸收、很难调节的带隙、溶解性较差等,这些都严重限制了富勒烯类材料在有机太阳能电池中作为n-型受体材料更广泛的应用。而非富勒烯n-型电子受体材料比富勒烯类材料拥有在可见光光谱中更加宽广的吸收范围、能级更易调节、合成简便、加工成本更低、溶解性能更加优异等重要特点,目前基于非富勒烯类材料的本体异质结有机太阳能电池的能量转换效率超过了4%。本文综述了几类非富勒烯类有机小分子受体材料的研究进展,讨论了提高基于非富勒烯类有机小分子材料的有机太阳能电池器件性能的关键因素,并对其发展前景作了展望。

银离子无机抗菌粉体项目

抗菌材料可分为有机、无机金属离子型和半导体光催化型三大类。有机抗菌材料因耐热性差、持久性不足等问题，应用局限性大；光催化类抗菌材料发展迅速，但需进一步解决其紫外光依赖性、光利用率等问题，尚处于产业化应用初期；金属离子型抗菌材料，具有优良的耐热性、光谱抗菌性、安全性、耐光性和化学稳定性，持续抗菌时间长，是目前抗菌市场的主流产品。

聚合物太阳能电池阴极修饰层研究进展

聚合物太阳能电池以其质量轻、成本低、制备工艺简单等优点成为清洁能源利用的研究热点.近年来聚合物太阳能电池光电转换效率逐步提高,单结聚合物太阳能电池的光电转换效率已超过11%,其中器件的界面修饰层成为影响器件光伏性能的重要因素.本文总结了聚合物太阳能电池阴极修饰层的研究进展,分别从无机材料和有机材料两方面介绍了常用的阴极修饰层材料.无机材料包括金属氧化物、金属和金属化合物等,有机材料包括聚合物、富勒烯衍生物以及n-型有机半导体材料等.本文还从阴极修饰层的电学特性、光学特性、能级位置、表面形貌、界面接触等方面讨论了其对聚合物太阳能电池光伏性能的影响,展望了聚合物太阳能电池的发展前景.

非富勒烯聚合物太阳电池研究进展

综述了以p-型共轭聚合物为给体、n-型有机半导体为受体的非富勒烯聚合物太阳电池光伏材料最新研究进展,包括n-型共轭聚合物和可溶液加工小分子n-型有机半导体(n-OS)受体光伏材料,以及与之匹配的p-型共轭聚合物给体光伏材料.介绍的n-型共轭聚合物受体光伏材料包括基于苝酰亚胺(BDI)、萘酰亚胺(NDI)以及新型硼氮键连受体单元的D-A共聚物受体光伏材料,目前基于聚合物给体(J51)和聚合物受体(N2200)的全聚合物太阳电池的能量转换效率最高达到8.26%.n-OS小分子受体光伏材料包括基于BDI和NDI单元的有机分子、基于稠环中心给体单元的A-D-A型窄带隙有机小分子受体材料等.给体光伏材料包括基于齐聚噻吩和苯并二噻吩(BDT)给体单元的D-A共聚物,重点介绍与窄带隙A-D-A结构小分子受体吸收互补的、基于噻吩取代BDT单元的中间带隙二维共轭聚合物给体光伏材料.使用中间带隙的p-型共轭聚合物为给体、窄带隙A-D-A结构有机小分子为受体的非富勒烯聚合物太阳电池能量转换效率已经突破12%,展示了光明的前景.最后对非富勒烯聚合物太阳电池将来的发展进行了展望.