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n—和p—沟道MOSFET的漏极雪崩热载流子寿命模型
1
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第3期78-78,共1页
关键词
p-
沟
道
n-沟道
MOSFET
漏极雪崩热载流子
寿命模型
热电子
热空穴
下载PDF
职称材料
短沟道n—和p—MOSFET中氧化击穿的位置和硬度
2
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第3期77-77,共1页
关键词
短
沟
道
n-
P-MOSFET
氧化击穿
位置
硬度
高电压应力
下载PDF
职称材料
题名
n—和p—沟道MOSFET的漏极雪崩热载流子寿命模型
1
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第3期78-78,共1页
关键词
p-
沟
道
n-沟道
MOSFET
漏极雪崩热载流子
寿命模型
热电子
热空穴
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
短沟道n—和p—MOSFET中氧化击穿的位置和硬度
2
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第3期77-77,共1页
关键词
短
沟
道
n-
P-MOSFET
氧化击穿
位置
硬度
高电压应力
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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1
n—和p—沟道MOSFET的漏极雪崩热载流子寿命模型
《电子产品可靠性与环境试验》
2003
0
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职称材料
2
短沟道n—和p—MOSFET中氧化击穿的位置和硬度
《电子产品可靠性与环境试验》
2003
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职称材料
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