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n-Ge样品中的反常伏安特性
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作者 王永超 姜坤 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第3期288-290,共3页
根据反型层模型 ,对 n-Ge中的反常伏安特性进行了定量计算 ,得到了与实验一致的结果 .
关键词 n-ge 反型层模型 反常伏安特性 反常霍尔效应 定量计算 半导体材料 电特性
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Effect of graphene tunnel barrier on Schottky barrier height of Heusler alloy Co_2MnSi/graphene/n-Ge junction
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作者 李桂芳 胡晶 +4 位作者 吕辉 崔智军 候晓伟 刘诗斌 杜永乾 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期426-429,共4页
We demonstrate that the insertion of a graphene tunnel barrier between Heusler alloy Co_2MnSi and the germanium(Ge) channel modulates the Schottky barrier height and the resistance–area product of the spin diode. W... We demonstrate that the insertion of a graphene tunnel barrier between Heusler alloy Co_2MnSi and the germanium(Ge) channel modulates the Schottky barrier height and the resistance–area product of the spin diode. We confirm that the Fermi level is depinned and a reduction in the electron Schottky barrier height(SBH) occurs following the insertion of the graphene layer between Co_2MnSi and Ge. The electron SBH is modulated in the 0.34 eV–0.61 eV range. Furthermore,the transport mechanism changes from rectifying to symmetric tunneling following the insertion. This behavior provides a pathway for highly efficient spin injection from a Heusler alloy into a Ge channel with high electron and hole mobility. 展开更多
关键词 Co2MnSi/graphene/n-ge junction Fermi-level depinning Schottky barrier height metal-induced gap states (MIGS)
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Ohmic Contact at Al/TiO_2/n-Ge Interface with TiO_2 Deposited at Extremely Low Temperature
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作者 Yi Zhang Huan Liu +3 位作者 Gen-Quan Han Yan Liu Jin-Cheng Zhang Yue Hao 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第2期116-119,共4页
TiO2deposited at extremely low temperature of 120°C by atomic layer deposition is inserted between metal and n-Ge to relieve the Fermi level pinning. X-ray photoelectron spectroscopy and cross-sectional transmiss... TiO2deposited at extremely low temperature of 120°C by atomic layer deposition is inserted between metal and n-Ge to relieve the Fermi level pinning. X-ray photoelectron spectroscopy and cross-sectional transmission electron microscopy indicate that the lower deposition temperature tends to effectively eliminate the formation of GeOxto reduce the tunneling resistance. Compared with TiO2deposited at higher temperature of 250°C,there are more oxygen vacancies in lower-temperature-deposited TiO2, which will dope TiO2contributing to the lower tunneling resistance. Al/TiO2/n-Ge metal-insulator-semiconductor diodes with 2 nm 120°C deposited TiO2achieves 2496 times of current density at-0.1 V compared with the device without the TiO2interface layer case, and is 8.85 times larger than that with 250°C deposited TiO2. Thus inserting extremely low temperature deposited TiO2to depin the Fermi level for n-Ge may be a better choice. 展开更多
关键词 TIO Ohmic Contact at Al/TiO2/n-ge Interface with TiO2 Deposited at Extremely Low Temperature Ge Al
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受主型热缺陷补偿的n-Ge常温下的反常伏安特性 被引量:1
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作者 邢旭 刘益春 +1 位作者 齐秀英 焦志伟 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期413-416,共4页
近年来,人们在各种半导体材料中不断发现了一些新的反常特性,但由于人们对这些反常特性的机理和产生的规律性看法不一,所以至今这方面的研究仍在进行中. 自n-Ge常温反常Hall效应、反常磁致电阻效应圈和反常电导效应发现以来。
关键词 n-ge 热缺陷 半导体 反常伏安特性
原文传递
p型热缺陷补偿的n-Ge在室温下的反常Hall效应和反常电导效应
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作者 邢旭 《中国科学(A辑)》 CSCD 1990年第8期880-888,共9页
关于n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,至今尚未得到解决.我们用热处理的方法,对n-Ge样品进行了p型热缺陷的补偿.实验结果发现,补偿前样品呈正常Hall效应和电导效应,补偿后则变为室温下的反常Hall和反常电导效应.我们围绕这一变化进... 关于n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,至今尚未得到解决.我们用热处理的方法,对n-Ge样品进行了p型热缺陷的补偿.实验结果发现,补偿前样品呈正常Hall效应和电导效应,补偿后则变为室温下的反常Hall和反常电导效应.我们围绕这一变化进行了实验和理论研究工作,从这些工作中得出,n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,是在样品中形成了反型层结构. 展开更多
关键词 n-ge 热缺陷 反常Hall效应
原文传递
石墨烯杂氮载Pd催化剂对2,4-二氯酚的液相催化加氢脱氯 被引量:9
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作者 李燕妮 陈泉源 +1 位作者 周娟 黄昭露 《中国环境科学》 EI CAS CSSCI CSCD 北大核心 2017年第2期577-583,共7页
以石墨烯(GE)和杂氮石墨烯(N-GE)为载体,分别以浸渍法(记为im-)和沉淀-沉积法(记为dp-)将金属Pd均匀的分散到载体上得到催化剂im-Pd/GE,dp-Pd/GE,im-Pd/N-GE和dp-Pd/N-GE,采用元素分析仪、透射电子显微镜和X-射线光电子能谱仪对材料进... 以石墨烯(GE)和杂氮石墨烯(N-GE)为载体,分别以浸渍法(记为im-)和沉淀-沉积法(记为dp-)将金属Pd均匀的分散到载体上得到催化剂im-Pd/GE,dp-Pd/GE,im-Pd/N-GE和dp-Pd/N-GE,采用元素分析仪、透射电子显微镜和X-射线光电子能谱仪对材料进行表征,并将制备的催化剂用于水中2,4-二氯酚的催化加氢脱氯.结果表明,杂氮后催化剂的含氮量为11.3%.相比于Pd/GE,以含氮石墨烯为载体的催化剂,有较高的阳离子态Pd(Pd^(n+))含量和较小的Pd颗粒,且显示了较高的催化活性,采用沉淀-沉积法则使催化剂活性得到进一步加强.此外,2,4-二氯酚的催化脱氯以逐步脱氯和同步脱氯2种方式同时进行. 展开更多
关键词 2 4-二氯酚 n-ge 催化加氢脱氯 沉淀-沉积法 金属-载体相互作用
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严重急性呼吸综合征(SARS)冠状病毒N蛋白基因的表达及其初步应用 被引量:3
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作者 张明程 段淑敏 +5 位作者 伊瑶 周永东 高阳 杨焕明 董小平 毕胜利 《病毒学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期269-270,共2页
SARS coronavirus N gene w as expressed by Ecoli expression systemThe expressed protein was p urified and an ELISA method was se t up for detection of SARS virus i nfected patient’s serum antibodyT he recomb... SARS coronavirus N gene w as expressed by Ecoli expression systemThe expressed protein was p urified and an ELISA method was se t up for detection of SARS virus i nfected patient’s serum antibodyT he recombinant SARS coronavirus N protein offers an efficient way fo r serological diagnosis and is use ful for epidemiological study and vaccine 展开更多
关键词 严重急性呼吸综合征 SARS 冠状病毒 N蛋白 基因表达
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蒙药孟根乌苏(水银)-18味丸的方药组成考证 被引量:7
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作者 佟海英 高娃 +3 位作者 呼和木仁 呼日乐巴根 高钰思 乌吉斯古冷 《世界科学技术-中医药现代化》 北大核心 2013年第6期1353-1358,共6页
蒙药孟根乌苏(水银)-18味丸源于《甘露四部》,在该书中名为金-18,孟根乌苏-18方名首见于《蒙医金匮》,后代医家对其组成和用量有所调整,直至《内蒙古蒙成药标准》的颁布,使其统一而趋于固定。在不同时期药物组成有17、18、19味不同,至... 蒙药孟根乌苏(水银)-18味丸源于《甘露四部》,在该书中名为金-18,孟根乌苏-18方名首见于《蒙医金匮》,后代医家对其组成和用量有所调整,直至《内蒙古蒙成药标准》的颁布,使其统一而趋于固定。在不同时期药物组成有17、18、19味不同,至少出现5个不同药物组成的孟根乌苏-18方。但其中制水银、诃子、草乌、硫黄、苘麻子、决明子、白云香、木香、石菖蒲、苏格木勒、石膏、肉豆蔻、丁香、草果、红花、黑云香等16味药物是固定不变的。孟根乌苏-18味丸的药物配比在不同时期出现了不一致现象,其落差显著,单味药物配比变化较大的属硫黄和白云香,其次有苘麻子、决明子、草果、文冠木。沿用至今的孟根乌苏-18味丸与《甘露四部》载金-18方是药物组成相同的同方异名,与《蒙医金匮》和《诃黎勒晶珠解疑难经》载孟根乌苏-18方药物组成和配比均相同的同方同名。 展开更多
关键词 孟根乌苏-18味丸 药味数 药量 考证
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变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度 被引量:1
9
作者 符斯列 王春安 陈俊芳 《实验科学与技术》 2010年第2期15-17,共3页
文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77~400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为lg(|RH|T3/2)-1/... 文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77~400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为lg(|RH|T3/2)-1/T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。 展开更多
关键词 变温霍尔效应 n型标准锗样品 禁带宽度
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从认知视角看“整(个)+N”和“全+N” 被引量:5
10
作者 丁雪欢 《中南民族大学学报(人文社会科学版)》 CSSCI 北大核心 2007年第3期166-169,共4页
本文简要区分“全”和“整”的词义,详细分析“全”和“整(个)”各自所修饰的名词类别及其离散性、完形性特征,以及“整(个)+N”和“全+N”的表意侧重点及不同的认知视角。
关键词 “全/整(个)” 名词 离散性 完形性 表意侧重点 认知视角
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变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性 被引量:1
11
作者 王春安 闫俊虎 《信息记录材料》 2010年第3期56-59,共4页
采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性。根据77K^400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的分析,由lg(|RH|)-1/T曲线高温本征导电温区的斜率计算得到样品禁带宽度Eg=0.75eV,由lg(|RH|T3/4)-1/T低... 采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性。根据77K^400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的分析,由lg(|RH|)-1/T曲线高温本征导电温区的斜率计算得到样品禁带宽度Eg=0.75eV,由lg(|RH|T3/4)-1/T低温杂质电离区的曲线斜率得到施主杂质电离能为Ei=0.012eV。 展开更多
关键词 浅掺杂n型锗薄膜 变温霍尔效应 禁带宽度 杂质电离能
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(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的理论研究
12
作者 杨爱龄 傅柔励 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1989年第3期273-277,共5页
本文用半经验紧束缚法研究了(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格,计算了其能隙随层厚的变化,其结果能说明超晶格体系的准二维特性,表明(7,7)超晶格已足以模拟异质界面问题,并指出(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的禁带中很可能存在界面态。
关键词 硒化锌 超晶格 晶体 紧束缚法
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基于OTN技术的大颗粒业务大连接承载模式研究 被引量:4
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作者 陈孟奇 《电信工程技术与标准化》 2018年第9期7-10,共4页
近年,各类专线业务的"大带宽、低时延、快响应"诉求愈加明显,对传送网的承载能力提出更高的要求,特别是N×10 GE专线业务需求逐年增加,有必要研究一套标准化的承载模式来满足业务接入的需求,以实现网络承载模式的标准化... 近年,各类专线业务的"大带宽、低时延、快响应"诉求愈加明显,对传送网的承载能力提出更高的要求,特别是N×10 GE专线业务需求逐年增加,有必要研究一套标准化的承载模式来满足业务接入的需求,以实现网络承载模式的标准化、快速化和智能化。 展开更多
关键词 N×10GE专线 承载方式 快速开通
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中国社区中的心理健康案例研究(二十二)——赌博障碍 被引量:2
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作者 甘小荣 胡雯 +2 位作者 郑亚楠 占斌 李荐中 《中国全科医学》 CAS 北大核心 2017年第34期4342-4346,共5页
赌博障碍是一种以持续、不能控制赌博冲动为特征的渐进性慢性精神障碍。临床表现为嗜赌不贻、自制尝试失败,且表现出戒断症状与耐受性,通常给自身带来严重的经济问题、心理问题以及家庭关系障碍。本文报道1例23岁男性赌博障碍患者的心... 赌博障碍是一种以持续、不能控制赌博冲动为特征的渐进性慢性精神障碍。临床表现为嗜赌不贻、自制尝试失败,且表现出戒断症状与耐受性,通常给自身带来严重的经济问题、心理问题以及家庭关系障碍。本文报道1例23岁男性赌博障碍患者的心理治疗过程,以期提高社区医生应用综合心理治疗咨询与治疗方法的能力。 展开更多
关键词 赌博障碍 心理治疗过程 全科医学 精神卫生
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新型桥联烯烃聚合茂金属催化剂研究进展 被引量:2
15
作者 侯卫锋 孙俊全 《高分子通报》 CAS CSCD 2002年第4期18-25,40,共9页
概述了桥联茂金属催化剂催化乙烯、α 烯烃均聚及共聚的最新进展。
关键词 研究进展 桥联茂金属催化剂 烯烃 聚合 催化性能 聚烯烃
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皖北方言的“V+搁+N(L)”格式 被引量:8
16
作者 张德岁 唐爱华 《语言科学》 CSSCI 北大核心 2011年第2期219-224,共6页
皖北方言的"V+X+N(L)"格式中的"X"来源于动词"搁"的虚化,"V+搁+N(L)"格式,只有在"V"是无界的、持续性的动词时,才可以变换成"搁+N(L)+V"格式,"搁"的用法既不等... 皖北方言的"V+X+N(L)"格式中的"X"来源于动词"搁"的虚化,"V+搁+N(L)"格式,只有在"V"是无界的、持续性的动词时,才可以变换成"搁+N(L)+V"格式,"搁"的用法既不等同于普通话的"在"或"到",也不等同于其他方言区的"着"及其变体。在文艺作品中我们只发现了"搁+N(L)+V"格式,还没有发现"V+搁+N(L)"格式的用例。 展开更多
关键词 皖北方言 “V+X+N(L)”格式 “X+N(L)+V”格式 结构特点 “搁”
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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
17
作者 周志文 沈晓霞 李世国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺... Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。 展开更多
关键词 锗(Ge) N型掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻
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先进的智能网开发与研究──A_1型智能网及其结构特点
18
作者 刘文涛 菅原研次 《计算机应用》 CSCD 1995年第3期14-19,共6页
本文在全面介绍中日国际合作开发研究的A_1型智能同同时,参照CCITT/I.312建议,并综合国内外智能网开发研究现状,对智能同的基本概念、定义和分类做了进一步的描述和澄清。
关键词 智能网 A1型智能网 通信网 专家系统
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张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节
19
作者 周志文 郭海根 +2 位作者 李世国 沈晓霞 王颖 《深圳信息职业技术学院学报》 2017年第3期59-63,共5页
基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53 ... 基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53 e V。当单独掺杂N型杂质9.5×1019cm-3时,锗的费米能级到达Γ带底。引入适量的张应变和N型掺杂浓度,既有利于锗能带结构的调节,又有利于材料的实际制备。研究结果为锗发光器件的设计和制作提供借鉴。 展开更多
关键词 张应变 N型掺杂 能带 发光器件
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两种支架材料搭载骨髓间充质干细胞联合高压氧修复海水浸泡兔桡骨骨缺损 被引量:3
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作者 张淦 程迅生 +4 位作者 陈聪聪 陈肖松 马武秀 王崎 符来想 《安徽医科大学学报》 CAS 北大核心 2016年第10期1425-1429,共5页
目的探讨n-HA/明胶、β-TCP/明胶搭载骨髓间充质干细胞(BMSCs)联合高压氧修复海水浸泡兔桡骨开放性骨缺损的效果。方法 45只新西兰大耳兔,在兔双侧桡骨中段制作15 mm的骨缺损区,双前肢人工海水浸泡3 h,制作成海水浸泡开放性骨缺损模型... 目的探讨n-HA/明胶、β-TCP/明胶搭载骨髓间充质干细胞(BMSCs)联合高压氧修复海水浸泡兔桡骨开放性骨缺损的效果。方法 45只新西兰大耳兔,在兔双侧桡骨中段制作15 mm的骨缺损区,双前肢人工海水浸泡3 h,制作成海水浸泡开放性骨缺损模型。将实验兔随机分成3组即对照组、n-HA/明胶组、β-TCP/明胶组,每组15只。伤口浸泡于人工海水3 h,彻底清创后,对照组在骨缺损区单纯植入BMSCs,n-HA/明胶组植入n-HA/明胶/BMSCs,β-TCP/明胶组植入β-TCP/明胶/BMSCs。手术后立即进行高压氧疗,每天1次,连续14 d。于手术后第4、8、12周摄片后分批处死后取材,行组织学和生物力学检测。比较各组缺损修复的效果。结果 (1)X线片检查:术后4周对照组、n-HA/明胶组、β-TCP/明胶组骨缺损区有薄云状骨痂阴影,阴影区域n-HA/明胶组>β-TCP/明胶组>对照组。术后8周,对照组少量骨痂形成;n-HA/明胶组、β-TCP/明胶组新生骨痂大量形成。术后12周,对照组骨缺损未完成修复;n-HA/明胶组、β-TCP/明胶组皮质连续性好,髓腔再通,基本完成修复;(2)骨痂灰度值测量:相同时间观察点,骨痂灰度值n-HA/明胶组>β-TCP/明胶组>对照组。术后第12周时,对照组、n-HA/明胶组、β-TCP/明胶组骨痂灰度值差异有统计学意义(P<0.05);(3)组织学观察:术后第4周,n-HA/明胶组、β-TCP/明胶组有新生骨小梁生成,骨小梁形成量n-HA/明胶组>β-TCP/明胶组>对照组,可见部分移植的支架材料残余;术后第8周,对照组未见板层骨形成,n-HA/明胶组、β-TCP/明胶组有大量板层骨形成,术后第12周,对照组少量板层骨,n-HA/明胶组、β-TCP/明胶组大量板层骨形成,两组移植的支架材料均消失;(4)生物力学检测:术后12周各组最大抗折力n-HA/明胶组>β-TCP/明胶组>对照组,n-HA/明胶组和β-TCP/明胶组抗折力接近于正常骨。结论 nHA/明胶/BMSCs联合高压氧和β-TCP/明胶/BMSCs联合高压氧均能修复海水浸泡开放性骨缺损。n-HA/明胶/BMSCs效果优于β-TCP/明胶/BMSCs。 展开更多
关键词 海水浸泡 骨缺损 高压氧 骨髓间充质干细胞 n-HA/明胶 β-TCP/明胶
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