一种全新的高性能n－JFET和n－p－n兼容工艺

本文提出了一种全新的ｎ－ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ兼容工艺，采用二次外延实现了ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ的隔离。介绍了工艺流程，并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对ｎ－ＪＦＥＴ的Ｖ＿ｐ和ｎ－ｐ－ｎ管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了Ｖ＿ｐ达３．５～４．５Ｖ，Ｉ＿（ＤＳＳ）＝１５ｍＡ的ＪＦＥＴ和ｆ＿Ｔ＝８００ＭＨｚ，β＝１００，ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥２５Ｖ的ｎ－ｐ－ｎ管，并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。

用于重离子加速器束流位置测量的JFET低噪声高阻宽带前置放大器

为解决重离子加速器束流位置探测中横跨低中高频段的微弱信号难以数字化的难题,设计了一款低噪声高阻宽带前置放大器。放大电路采用多级放大结构,输入级由两级低噪声N沟道结型场效应晶体管(NJFET)级联,并采用共源共栅与源极跟随低噪声结构,利用恒流源阻抗特性增大开环增益;输出级采用宽带电流反馈型运算放大器提供足够的输出功率和带宽,负反馈网络与两级放大电路并联提高灵敏度、减小失真。实测带宽34 kHz~38.47 MHz,带内增益36.2 dB,平坦度小于±0.3 dB,输入电压噪声密度为0.76 nV/(Hz)1/2@10 MHz,1/f噪声拐点160.85 kHz,增益压缩1 dB的输出功率(P^(1dB))为26.2 dBm,总谐波失真为-55.34 dB@100 kHz,满足了低噪声、宽带前置放大器的设计需求。